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12F

器件型号:12F
厂商名称:Naina Semiconductor
厂商官网:http://www.nainasemi.com
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器件描述

12AMP SILICON POWER DIODE

12F器件文档内容

           12F/12FR                                                         NAINA

     12AMP SILICON POWER DIODE

                                                                      DO-4

FEATURES                                                12F/ 12FR
All Diffused Series
Available in Normal & Reverse Polarity                   A       C        4
Industrial Grade
Available In Avalanche Characteristic                    C       A                    19

* Available in metric and UNF thread                                                 10

ELECTRICAL SPECIFICATIONS                                                              11.5
                                                                                 M6 x 1.0
IF (A) Maximum Average Forward             12F/FR       F FR
                                          12A
         Current Te=1500C                 1.2V                     11A/F
                                          250 A
VFM Maximum peak forward                  60 A
          voltage drop @ Rated IF(AV)
                                          250A2Sec
IFSMMaximum peak one cycle
          (non-rep) surge current 10msec

IFRMMaximum peak one cycle (non
          -rep) surge current 10msec

I2t      Maximum I2t rating (non-rep.)

         for 5 to 10 m sec.

THERMAL MECHANICAL SPECIFICATIONS

     JC    Maximum thermal resistance Junction to case  2oC/W
                                                        -65oC to 150oC
     TJ    Operating Junction Temp.                     -65oC to 150oC
                                                        0.14 M-Kg min, 0.17 M-kg max
     Tstg  Storage temperature                          7 gms.

           Mounting torque (non-lubricated threads)

     W     Approx, weight

     ELECTRICAL RATINGS

TYPE       12F/12FR                       10 20 40 60         80 100 120 140 160

VRRM       Max. repetitive peak           100 200 400 600     800 1000 1200 1400 1600
           voltage (v)                    70 140 280 420

VR(RMS) Max. R.M.S. reverse voltage (V)                       560 700       840 980 1120
                                                              800 1000      1200 1400 1600
VR         Max. D.C. Blocking Voltage (V) 100 200 400 60      320 400       480 560 640
IR(AV)     Recommended R.M.S. working 40 80 160 240
           Voltage(v)                                         100 100 100 100 100
           Max. Average reverse leakage 100 100 100 100
           current @ VRMM Tc 250C uA

                                      NAINA SEMICONDUCTOR LTD.
                                     D95,SECTOR 63 NOIDA(INDIA)
                             e-mail : sales@nainasemi.com, web site : www.nainasemi.com
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