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SVF10N60F

产品描述高压MOSFET
产品类别分立半导体   
文件大小302KB,共9页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
下载文档 详细参数 全文预览

SVF10N60F概述

高压MOSFET

参数指标

BVDSS[V]:600


Type:N


VGS[±V]:30


ID[A]:10


VGS(TH)[V]:2~4


RDS(on).Max@VGS=10V[Ω]:1


Package:TO-220F-3L

SVF10N60F规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1Ω @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)
类型N沟道
GPRS拨号发送数据遇到问题了
以下是通信数据写:7EFF03C021010100130206000000000305C223050802070266217E读:7EFF03C021040100090305C2230547E17E写:7EFF03C0210102000E02060000000008020702B60B7E读:7EFF03C0210202000E0206000000000802070288887E读:7EFF03C...
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