SBR3504,SBR3504 pdf中文资料,SBR3504引脚图,SBR3504电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SBR3504

SBR3504: 产品描述Bridge Rectifier Diode, 35A, 400V V(RRM),; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小543KB，共4页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

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SBR3504概述

Bridge Rectifier Diode, 35A, 400V V(RRM),

功能特点

产品名称：SILICON /GLASS PASSIVATED THREE PHASE BRIDGE RECTIFIERS 硅/玻璃钝化三相桥式整流器

产品型号：SBR3504

产品特征：

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Ideal for Printed Circuit Boards

机械数据：

Case: Epoxy Case with Heat Sink Interally

Mounted in the Bridge Encapsulation

Terminals:Plated Leads Solderable per

MIL-STD_202.Method 208

Polarity: As Marked on Body

Weight:20 grams (apprex.)

Mounting Position:

Bolt Down on Heatsink With Silicone Thermal

Compound Between Bridge and Mouting Surface

For Maximun Heat Transfer Efficiency

Mounting Torque:20 in Ibs.Max.

Marking:Type Number

最大额定值和电气特性：

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

产品数据：

Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM 最大反向峰值电压：400V

Working Peak Reverse Voltage VRWM 工作峰值反向电压：400V

DC Blocking Voltage VR DC阻断电压：400V

Peak Non-Repetitive Reverse Voltage VRSM 峰值反向电压：500V

RMS Reverse Voltage VR(RMS) 反向电压有效值：280V

Maximum Average Forward Rectified Current @TC = 100℃ I(AV) 最大正向电流：35 A

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 非重复峰值正向浪涌电流：

(No Voltage Reapplid t=8.3ms at 60Hz) IFSM ：500 A

(No Voltage Reapplid t=10ms at 50Hz) IFSM ：475 A

(100% Reapplid t=8.3ms at 60Hz) IFSM ：420A

(100% Reapplid t=10ms at 50Hz) IFSM ：400 A

(I^2)t Rating for fusing

(No Voltage Reapplid t=8.3ms at 60Hz) (I^2)t ：1030 (A^2)S

(No Voltage Reapplid t=10ms at 50Hz) (I^2)t ：1130 (A^2)S

(100% Reapplid t=8.3ms at 60Hz) (I^2)t ：730 (A^2)S

(100% Reapplid t=10ms at 50Hz) (I^2)t ：800(A^2)S

Forward Voltage (per element) @ TJ=25℃,@IFM=40Apk per single junction VF ：1.2V

Peak Reverse Current (per leg) @ TJ=25℃ IR 最大反向漏电流：10μA

At Rated DC Blocking Voltage @ TJ = 125℃ IR 最大反向漏电流：5.0mA

RMS Isolation Voltage from Case to Lead VISO ：2500V

Operating Temperature Range TJ 工作结温：-40 to +125 ℃

Storage Temperature Range TSTG储存温度范围：-40 to +150 ℃

Thermal Resistance Junction to Case at DC Operation per Bridge RθJC 热阻系数：1.16K/W

Thermal Resistance Case to Heatsink Mounting Surface,Smooth,Flat and Greased RθCS ：0.2K/W

封装：SKBPC

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