电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

RTT033924FTP

器件型号:RTT033924FTP
器件类别:无源元件    贴片电阻   
厂商:RALEC(旺诠)
旺诠科技(昆山)有限公司于2001年4月于昆山成立后段Taping工场,并同时于黄浦江中路进行建厂事宜,2002年12月份新厂落成,并开始全制造投产。 旺诠生产产品为SMT贴片电阻器,包括芯片电阻、排列电阻、网络电阻,目前月产能为90亿PCS,主要应用于桌上型笔记本计算机,计算机周边产品网络通讯手机等,为了适应电子产品小型化的趋势及高精度的要求,所以本公司积极开发更小型、精度更高的产品。 本公司积极完成符合国际标准的认证,先后已完成ISO9000、ISO14000等认证,旺诠身为地球村的一员,也要善尽环保的责任,故于2004年完成电镀端电极无铅化外,于2005年7月份量产符合RoHS之产品。 旺诠秉持董事长的经营理念,对外保持诚信是坚持的原则,回馈是不变的理念,超越是永远的目标,对内保持人才是进步的动力,研发是发展的磐石,不断的努力进步。 公司总投资金额1亿美元,占地面积:11.9万平方米,现在有员工2800多人,未来2-3年将实现华东地区贴片电阻占有率第一的企业愿景。
厂商官网:https://www.ralec.com/zh-CN
下载文档

器件描述

阻值(欧姆):3.92M 精度:±1% 功率:1/10W 温度系数:±100ppm/°C

参数
属性参数值
阻值(欧姆)3.92M
精度±1%
功率1/10W
温度系数±100ppm/°C

RTT033924FTP产品介绍

RALEC
文件編號
旺 詮
1
適用範圍:
厚膜晶片電阻器規格標準書
版本日期
頁 次
IE-SP-007
2009/06/08
1/20
本承認書適用於本公司所生產的無鉛、無鹵素之RTT系列厚膜晶片電阻器。
2
型別名稱:
(例)
型別
無鉛厚膜
晶片電阻器
RTT
尺寸
01(0201)
02(0402)
03(0603)
05(0805)
06(1206)
12(1210)
20(2010)
25(2512)
03
100
電阻值
J
容差
TP
包裝型式
TH:2 mm Pitch紙帶(卷裝) 10000 pcs
TP:4 mm Pitch紙帶(卷裝) 5000 pcs
P2:4 mm Pitch紙帶(卷裝) 10000 pcs
P3:4 mm Pitch紙帶(卷裝) 15000 pcs
P4:4 mm Pitch紙帶(卷裝) 20000 pcs
TE:4 mm Pitch膠帶(卷裝) 4000 pcs
BA:散裝(盒裝)
3
-碼
4
-碼
JUMPER
E24系列
EX. 10Ω =100
4.7Ω =4R7
E96系列
EX. 10.2Ω =10R2
10KΩ =1002
000
B=±
D=±
F=±
G=±
J=±
0.1%
0.5%
1%
2%
5%
3
規格表:
3.1
阻值範圍:≧1Ω
型別
額定
功率
T.C.R
最高
最高額
過負荷
(ppm/℃ )
定電壓
電壓 溫度係數
±
600
±
250
阻值範圍
B(± 0.1%)
E-24、E-96
------
------
D(± 0.5%)
E-24、E-96
1Ω≦R<25Ω
F(± 1%)
E-24、E-96
1Ω≦R<25Ω
G(± 2%)
J(± 5%)
E-24
1Ω≦R<25Ω
JUMPER
(0Ω)
額定電流
JUMPER
(0Ω)
阻值
F
(± 1%)
35mΩ
MAX.
J
F
J
(± 5%) (± 1%) (± 5%)
0.5A
0.5A
50mΩ
MAX.
RTT01
1
w
(0201)
20
RTT02
1
w
(0402)
16
RTT03
1
w
(0603)
10
RTT05
(0805)
RTT06
(1206)
RTT12
(1210)
RTT20
(2010)
RTT25
(2512)
1
w
8
1
w
4
1
w
2
3
w
4
25V
50V
25Ω≦R≦10MΩ 25Ω≦R≦10MΩ 25Ω≦R≦10MΩ
±
100 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ
50V
100V
±
200
+500
-200
------
------
10Ω≦R<100Ω
------
10Ω≦R<100Ω 10Ω≦R<100Ω
1M<R≦10MΩ 1M<R≦20MΩ
1Ω≦R<10Ω
1Ω≦R<10Ω
------
1A
1.5A
50mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
±
100 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ
75V
150V
150V
300V
±
200
------
1Ω≦R<100Ω
1Ω≦R<33Ω
1Ω≦R≦20MΩ
1M<R≦10MΩ
------
1Ω≦R<33Ω
1Ω≦R≦20MΩ
1M<R≦10MΩ
------
1Ω≦R<33Ω
1Ω≦R≦20MΩ
1M<R≦10MΩ
------
10Ω≦R<33Ω
10Ω≦R≦20MΩ
1M<R≦10MΩ
1Ω≦R<10Ω
1Ω≦R<10Ω
------
10Ω≦R≦10MΩ
1Ω≦R<10Ω
------
10Ω≦R≦10MΩ
1Ω≦R<10Ω
1A
2A
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
50mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
±
100 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ
±
200
------
1Ω≦R<100Ω
2A
2.5A
±
100 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ
200V
400V
±
200
------
1Ω≦R<100Ω
2A
3.5A
±
100 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ
200V
400V
±
200
±
400
------
------
------
------
2A
4A
50mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
±
100 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ
200V
400V
±
200
±
400
------
------
------
------
------
1Ω≦R<10Ω
2A
5A
50mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
±
100 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ
1W
200V
400V
±
200
±
400
------
------
------
------
------
1Ω≦R<10Ω
2A
7A
50mΩ
MAX.
20mΩ
MAX.
½用溫度範圍
-55℃
~
+155℃
(0201:-55℃ ~
+125℃)
核准
審查
制定
備註
非 發 行 管 制 文 件
自行注意版本更新
非 經 允 許 ,禁 止 自 行 ½ 印 文 件
發行管制章
DATA Center.
序號:
60
RALEC
文件編號
旺 詮
額定
功率
厚膜晶片電阻器規格標準書
最高
額定電流
最高
過負荷電流
T.C.R ( ppm /
)
溫度係數
±
600
±
300
±
250
±
200
±
600
±
300
±
600
±
400
±
1500
±
1200
±
800
±
600
±
200
±
1500
±
1200
±
1000
±
600
±
200
±
1500
±
1000
±
700
±
400
±
200
±
1500
±
1200
±
900
±
500
±
200
±
1500
±
1200
±
900
±
500
±
200
版本日期
頁 次
IE-SP-007
2009/06/08
2/20
3.2
阻值範圍:<1Ω
阻值範圍
F(± 1%)、G(± 2%)、J((± 5%)
E-24、E-96
80
≦R<200
200≦R<400 mΩ
400
≦R<600
600≦R<1000 mΩ
60≦R<100 mΩ
100
≦R<200
200
≦R<500
500
≦R<1000
10
≦R<19
19
≦R<33
33
≦R<50
50
≦R<100
100
≦R<1000
10
≦R<19
19
≦R<25
25
≦R<50
50
≦R<100
100
≦R<1000
10
≦R<19
19
≦R<25
25
≦R<50
50
≦R<100
100
≦R<1000
10
≦R<19
19
≦R<25
25
≦R<50
50
≦R<100
100
≦R<1000
10
≦R<19
19
≦R<25
25
≦R<50
50
≦R<100
100
≦R<1000
型別
RTT02
(0402)
1/16W
0.88A
2.2A
RTT03
(0603)
1/10W
1.29A
3.22A
RTT05
(0805)
1/8W
3.53A
8.82A
RTT06
(1206)
1/3W
5.77A
14.42A
RTT12
(1210)
1/2W
7.07A
17.67A
RTT20
(2010)
3/4W
8.66A
21.65A
RTT25
(2512)
1W
10A
25A
½用溫度範圍
-55℃
~
+155℃
非 發 行 管 制 文 件
自行注意版本更新
非 經 允 許 ,禁 止 自 行 ½ 印 文 件
發行管制章
DATA Center.
序號:
60
RALEC
文件編號
旺 詮
型別
½用
溫度範圍
說明
厚膜晶片電阻器規格標準書
RTT01 (0201)
-55℃
~
+125℃
版本日期
頁 次
IE-SP-007
2009/06/08
3/20
3.3
功率衰減曲線:
其它
-55℃
~
+155℃
周圍溫度若超過70℃至125℃之間,功率可照 周圍溫度若超過70℃至155℃之間,功率可照
下圖曲線予以修定之。
下圖曲線予以修定之。
100
70
(%)
100
80
60
40
20
0
-55
20
40
60 80 100 120 140 160
環境溫度(℃)
155
70
(%)
80
60
40
20
0
-55
20
40
60 80 100 120 140 160
環境溫度(℃)
125
3.4
額定電壓或額定電流:
3.4.1
阻值範圍:≧1Ω
額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電壓。
可用下列公式求得,½求得之值若超過規格表內之最高電壓時, 則以最高額定電壓為
其額定電壓。
E=額定電壓(V)
P=額定功率(W)
R=公稱阻值(Ω)
3.4.2
阻值範圍:<1Ω
額定電流:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電流。
可用下列公式求得,½求得之值若超過規格表內之最高電流時,
則以最高額定電流為其額定電流。
I =
額定電
(A)
P=額定功率(W)
R=公稱阻值(Ω)
非 發 行 管 制 文 件
自行注意版本更新
非 經 允 許 ,禁 止 自 行 ½ 印 文 件
發行管制章
DATA Center.
序號:
60
RALEC
文件編號
旺 詮
4
尺寸:
厚膜晶片電阻器規格標準書
Dimensions
TYPE Size Code
版本日期
頁 次
IE-SP-007
2009/06/08
4/20
Unit : mm
L
W
H
L1
L2
RTT01
RTT02
RTT03
RTT05
RTT06
RTT12
RTT20
RTT25
0201
0402
0603
0805
1206
1210
2010
2512
0.60± 0.03 0.30± 0.03
1.00± 0.10 0.50± 0.05
1.60± 0.10 0.80± 0.10
2.00± 0.10 1.25± 0.10
3.05± 0.10 1.55± 0.10
3.05± 0.10 2.55± 0.10
5.00± 0.20 2.50± 0.20
6.30± 0.20 3.20± 0.20
0.23± 0.03 0.15± 0.05 0.15± 0.05
0.30± 0.05 0.20± 0.10 0.25± 0.10
0.45± 0.10 0.30± 0.15 0.30± 0.15
0.50± 0.10 0.35± 0.20 0.35± 0.15
0.55
+0.10
-0.05
0.45± 0.20 0.35± 0.15
0.55± 0.10 0.50± 0.20 0.50± 0.20
0.55± 0.10 0.60± 0.20 0.60± 0.20
0.55± 0.10 0.60± 0.20 0.60± 0.20
5
結構圖:
1
2
3
4
5
陶瓷基板
背面內部電極
正面內部電極
電阻層
1st
保護層
Ceramic substrate
Bottom inner electrode
Top inner electrode
Resistive layer
1st Protective coating
6
7
8
9
10
2nd
保護層
字碼
側面內部電極
Ni
層電鍍
Sn
層電鍍
2nd Protective coating
Marking
Terminal inner electrode
Ni plating
Sn plating
非 發 行 管 制 文 件
自行注意版本更新
非 經 允 許 ,禁 止 自 行 ½ 印 文 件
發行管制章
DATA Center.
序號:
60
RALEC
文件編號
旺 詮
厚膜晶片電阻器規格標準書
版本日期
頁 次
IE-SP-007
2009/06/08
5/20
6
信賴性試驗項目:
6.1
電氣性½試驗(Electrical
Performance Test)
ITEM
項目
Conditions
條件
Specifications規格
Resistors
Jumper
NA
R2- R1)
Temperature
參考3.規格表
TCR(ppm /
℃)=
R1( T2- T1)
×
10
6
Coefficient of
Resistance R1:室溫下量測之阻值(Ω)
溫度係數
R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω)
T1:室溫之溫度(℃)
T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。
依據
JIS-C5201-1 4.8
Short Time
½加2.5倍的額定電壓5秒,靜½30分鐘以上再量測
1.阻值範圍:≧1Ω
0.1%、0.5%、1%:±
Overload
阻值變化率。(額定電壓值請參考
3.規格表)
2%、5%:±
短時間過負荷
Jumper:½加最高過負荷電流:
2.阻值範圍:<1Ω
型別
Jumper
額定電流
±
5%
±
1%
RTT01 RTT02 RTT03 RTT05 RTT06 RTT12 RTT20 RTT25
(0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (2010) (2512)
1.25A 2.5A
1.25A 3.75A
2.5A
5A
5A
5A
6.25A 8.75A
5A
10A
5A
5A
12.5A 17.5A
(1.0%+0.05Ω)
(2.0%+0.10Ω)
參考3.規格表
1%、 2%、5% :± (2.0%+0.001Ω)
外觀無損傷,無短路或燒毀現象。
依據
JIS-C5201-1 4.13
將晶片電阻½於治具上,在正負極½加100
VDC一分鐘後
≧10
9
Ω
Insulation
Resistance
測量電極與保護層及電極與基板(底材)之絕緣電阻值
絕緣電阻試驗
依據
JIS-C5201-1 4.6
絕緣材質
A
測試點
電阻背面
B
測試點
印刷保護層面
晶片電阻
壓力½簧
將晶片電阻½於治具上,在正、負極½加VAC
(參考下列)
RTT05、06、12、20、25
用500
VAC-分鐘
RTT01、02、03用300 VAC-分鐘
依據
JIS-C5201-1 4.7
Intermittent
½於恆溫箱中,½加2.5倍額定電壓,1秒ON,
Overload 25秒OFF,計
10,000 +400
次取出靜½60分鐘後量
-0
斷續過負荷
測阻值變化量。
Jumper:½加最高過負荷電流:
型別
Jumper
額定電流
±
5%
±
1%
RTT01 RTT02 RTT03 RTT05 RTT06 RTT12 RTT20 RTT25
(0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (2010) (2512)
1.25A 2.5A
1.25A 3.75A
2.5A
5A
5A
5A
6.25A 8.75A
5A
10A
5A
5A
12.5A 17.5A
Dielectric
Withstand
Voltage
絕緣耐電壓
無短路或燒毀現象。
1.阻值範圍:≧1Ω
±
(5.0%+0.10Ω)
2.阻值範圍:<1Ω
±
(5.0%+0.001Ω)
參考3.規格表
依據
JIS-C5201-1 4.13
Noise Level
依據
JIS-C5201-1 4.12
測試方法。
雜音測驗
電阻(Resistance)
R
100Ω
1KΩ
10KΩ
100KΩ
1MΩ
<100Ω
≦R<1KΩ
≦R<10KΩ
≦R<100KΩ
≦R<1MΩ
≦R
雜音(Noise)
≦-10db(0.32
uV/V)
0db(1.0 uV/V)
10db(3.2 uV/V)
15db(5.6 uV/V)
20db(10 uV/V)
30db(32 uV/V)
NA
非 發 行 管 制 文 件
自行注意版本更新
非 經 允 許 ,禁 止 自 行 ½ 印 文 件
發行管制章
DATA Center.
序號:
60
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved