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PJE8402_R1_00001

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):700mA 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 700mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小334KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJE8402_R1_00001概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):700mA 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 700mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道

PJE8402_R1_00001规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)700mA
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻150mΩ @ 700mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)300mW
类型N沟道
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