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P6SMB6.8A

产品描述保护瞬态电压抑制器
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小189KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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P6SMB6.8A概述

保护瞬态电压抑制器

瞬态抑制二极管

功能特点

产品名称:保护瞬态电压抑制器


产品型号:P6SMB6.8A


产品参数:


Power Dissipation功耗:Ppp:600W


Reverse Stand-off Voltage反向电压:VRWM:5.8V


Breakdown Voltage击穿电压:VBR@IT:Min:6.45V,Max:7.14V


Test Current:IT:10mA


Reverse Leakage反向漏:IR@VRWM:UNI:1000μA,


Max. Clamp Voltage 10/1000μs最大钳电压Vc@Ipp:10.5V


Peak Pulse Current 10/1000μs 脉冲电流峰值Ipp:57A



封装:SMB/DO-214AA



P6SMB6.8A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW INDUCTANCE
最大击穿电压7.14 V
最小击穿电压6.45 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5.8 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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