电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

2SD669AD-C

器件型号:2SD669AD-C
器件类别:分立半导体    三极管   
厂商:BLUE ROCKET(蓝箭)
佛山市蓝箭电子股份有限公司是广东省高新技术企业,国内半导体器件专业研发制造商。公司前身是佛山市无线电四厂,创建于七十年代初。 1998年转制成有限责任公司,2012年股改为佛山市蓝箭电子股份有限公司。目前已形成年产100亿只的生产规模,是华南地区主要的半导体器件生产基地之一。公司厂区位于佛山市禅城区,厂房面积4.5万平方米。公司拥有大量先进的生产线,产品系列有各种封装的双极型晶体管、场效应晶体管(MOSFET)、各种开关、稳压、肖特基(SBD)、快恢复(FRD)等二极管、晶闸管(可控硅)、集成电路(IC)、LED及LED照明灯具等,产品广泛应用于家用电器、电源、IT数码、通信、新能源、汽车电子、仪器仪表、显示屏、灯饰照明、背光源等领域。公司从1997年开始通过ISO9001质量管理体系认证,2005年通过ISO14001环境管理体系认证,2013年通过了ISO/TS16949(IATF16949)汽车行业质量管理体系标准认证,2015年通过OHSAS18001认证。目前公司建立了广东省半导体器件工程技术研究开发中心和广东省企业技术中心,2008年,“蓝箭”牌晶体管被认定为广东省名牌产品。
厂商官网:http://www.fsbrec.com/
下载文档

器件描述

额定功率:1W 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:160V 晶体管类型:NPN

参数
参数名称属性值
属性参数值
商品目录三极管
额定功率1W
集电极电流Ic1.5A
集射极击穿电压Vce160V
晶体管类型NPN

2SD669AD-C产品介绍

2SD669AD
Rev.E May.-2016
DATA SHEET
描述

特征
/
Descriptions
TO-252 塑封封装 NPN 半导½三极管。Silicon
NPN transistor in a TO-252 Plastic Package.
/ Features
与 2SB649AD 互补。
Complementary pair with 2SB649AD.
用途
/
Applications
用于½频功率放大。
Low frequency power amplifier.
内部等效电路
/ Equivalent Circuit
引脚排列
/ Pinning
4
1
3
2
PIN1:Base
放大及印章代码
PIN 2,4:Collector
PIN 3:Emitter
/ h
FE
Classifications & Marking
B
60½120
C
100½200
D
160½320
h
FE
Classifications
Symbol
h
FE
Range
http://www.fsbrec.com
1
/
6
2SD669AD
Rev.E May.-2016
DATA SHEET
极限参数
/ Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
符号
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C
(Tc=25℃)
T
j
T
stg
数值
Rating
180
160
5.0
1.5
3.0
1.0
10
150
-55½150
单½
Unit
V
V
V
A
A
W
W
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current - Continuous
Collector Current – Continuous(Pulse)
Collector Power Dissipation
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
电性½参数
/ Electrical Characteristics(Ta=25℃)
符号
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
BE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
测试条件
Test Conditions
I
C
=1.0mA
I
C
=10mA
I
E
=1.0mA
V
CB
=160V
V
CE
=5.0V
V
CE
=5.0V
V
CE
=5.0V
I
C
=500mA
V
CE
=5.0V
V
CB
=10V
f=1.0MHz
I
E
=0
R
BE
=∞
I
C
=0
I
E
=0
I
C
=150mA
I
C
=500mA
I
C
=150mA
I
B
=50mA
I
C
=150mA
I
E
=0
140
14
60
30
1.5
1.0
V
V
MHz
pF
最小值 典型值 最大值 单½
Min
Typ
Max
Unit
180
160
5.0
10
320
V
V
V
μA
参数
Parameter
Collector to Base Breakdown
Voltage
Collector to Emitter Breakdown
Voltage
Emitter to Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
DC Current Gain
Base to Emitter Voltage
Collector to Emitter Saturation
Voltage
Transition Frequency
Collector output capacitance
http://www.fsbrec.com
2
/
6
2SD669AD
Rev.E May.-2016
DATA SHEET
电参数曲线图
/ Electrical Characteristic Curve
http://www.fsbrec.com
3
/
6
2SD669AD
Rev.E May.-2016
DATA SHEET
外½尺寸图
/ Package Dimensions
http://www.fsbrec.com
4
/
6
2SD669AD
Rev.E May.-2016
DATA SHEET
印章说明
/
Marking Instructions
BR
D669AD
B
****
说明:
BR:
D669AD:
B: 






****:
Note:
BR:
 
Company Code
Product Type.
h
FE
Classifications Symbol
Lot No. Code, code change with Lot No.
为公司代码
为型号代码
h
FE
分档代码
为生产批号代码,随生产批号变化。
D669AD:

B:
****:
http://www.fsbrec.com
5
/
6
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved