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NCS20064DR2G

器件型号NCS20064DR2G
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小16246.72,共28页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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器件名 厂商 描述
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NCS20064DR2G参数描述

NCS20064DR2G放大器基础信息:

NCS20064DR2G是来自ON Semiconductor的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SOIC-14

NCS20064DR2G放大器核心信息:

NCS20064DR2G的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0015 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.0011 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,NCS20064DR2G的标称压摆率有1.2 V/us。厂商给出的NCS20064DR2G的最大压摆率为0.2 mA.其最小电压增益为10000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,NCS20064DR2G增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3000 kHz。NCS20064DR2G的功率为NO。其可编程功率为NO。

NCS20064DR2G的标称供电电压为3.3 V。而其供电电压上限为6 VNCS20064DR2G的输入失调电压为4000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

NCS20064DR2G的相关尺寸:

NCS20064DR2G的宽度为:3.9 mm,长度为8.65 mmNCS20064DR2G拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。

NCS20064DR2G放大器其他信息:

NCS20064DR2G采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。NCS20064DR2G的频率补偿情况是:NO。其温度等级为:AUTOMOTIVE。

其属于微功率放大器。其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G14。NCS20064DR2G的封装代码是:SOP。NCS20064DR2G封装的材料多为PLASTIC。

而其封装形状为RECTANGULAR。NCS20064DR2G封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。

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