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TS612IDD

器件型号TS612IDD
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1341.53,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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器件替换

器件名 厂商 描述
TS613IDW STMicroelectronics Operational Amplifiers - Op Amps Dual Wideband
TS613IDWT STMicroelectronics Operational Amplifiers - Op Amps Dual Wideband
TS612IDDT STMicroelectronics DUAL OP-AMP, 10000uV OFFSET-MAX, 130MHz BAND WIDTH, PDSO20, BATWING, PLASTIC, MICRO, SO-20
TS616IDWT STMicroelectronics Operational Amplifiers - Op Amps Dual Wideband
TS616IDW STMicroelectronics Operational Amplifiers - Op Amps Dual Wideband
TS613IDT STMicroelectronics Operational Amplifiers - Op Amps Dual Wideband
TS613ID STMicroelectronics Operational Amplifiers - Op Amps Dual Wideband

TS612IDD参数描述

TS612IDD放大器基础信息:

TS612IDD是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SOP,

TS612IDD放大器核心信息:

TS612IDD的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。他的最大平均偏置电流为30 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TS612IDD的标称压摆率有40 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TS612IDD增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为130000 kHz。

TS612IDD的标称供电电压为6 V,其对应的标称负供电电压为-6 V。TS612IDD的输入失调电压为10000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

TS612IDD的相关尺寸:

TS612IDD的宽度为:7.5 mm,长度为12.8 mmTS612IDD拥有20个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:20

TS612IDD放大器其他信息:

其温度等级为:INDUSTRIAL。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G20。TS612IDD的封装代码是:SOP。TS612IDD封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。

TS612IDD封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为2.65 mm。

 
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