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BYW29-50

器件型号:BYW29-50
器件类别:半导体    分立半导体   
文件大小:72KB,共2页
厂商名称:GE Sensing ( Amphenol Advanced Sensors )
厂商官网:http://www.vishay.com/
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器件描述

8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220

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BYW29-50 THRU BYW29-200
FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
Reverse Voltage -
50 to 200 Volts
TO-220AC
0.185 (4.70)
0.415 (10.54) MAX.
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
DIA.
0.148 (3.74)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.175 (4.44)
Forward Current -
8.0 Amperes
FEATURES
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Glass passivated chip junction
Low power loss
Low leakage current
High surge current capability
Superfast recovery time for high efficiency
High temperature soldering guaranteed:
250°C, 0.16” (4.06mm) from case for 10 seconds
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.560 (14
0.530 (13.
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
PIN
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
2
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC TO-220AC molded plastic body over
passivated chip
Terminals:
Plated lead solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
As marked
Mounting Position:
Any
Weight:
0.064 ounce, 1.81 grams
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
PIN 1
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
PIN 2
CASE
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOLS
BYW29-50
BYW29-100
BYW29-150
BYW29-200
UNITS
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
C
=125°C
Peak forward surge current 10ms
single half sine-wave superimposed at T
J
=150°C
Maximum instantaneous forward voltage at:I
F
=20A, T
J
=25°C
I
F
=8A, T
J
=150°C
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
(NOTE 1)
Typical junction capacitance
(NOTE 2)
Maximum thermal resistance
(NOTE 3)
(NOTE 4)
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
ΘJA
R
ΘJC
T
J
, T
STG
50
35
50
100
70
100
8.0
100.0
1.3
0.8
150
105
150
200
140
200
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
µA
ns
pF
°C/W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
10.0
500.0
25.0
45.0
20.0
3.0
-65 to +150
Operating and storage temperature range
NOTES:
(1) Reverse recovery test conditions: I
F
=1A, V
R
=30V, di/dt=100A/µs, I
rr
=10%, I
RM
for measurement of t
rr
(2) Measured at 1.0 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 Volts
(3) Thermal resistance from junction to ambient in free air; no heatsink
(4) Thermal resistance from junction to case mounted on heatsink
4/98
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BYW29-50 THRU BYW29-200
FIG. 1 - MAXIMUM FORWARD CURRENT
DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD RECTIFIED
CURRENT, AMPERES
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
FIG. 2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,
AMPERES
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
100
80
60
40
20
0
T
J
=T
J
max.
10ms SINGLE HALF SINE-WAVE
(JEDEC Method)
0
50
100
150
1
10
NUMBER OF CYCLES AT 50 H
Z
100
CASE TEMPERATURE, °C
FIG. 3 - TYPICAL INSTANTANEOUS
FORWARD CHARACTERISTICS
FIG. 4 - TYPICAL REVERSE LEAKAGE
CHARACTERISTICS
80
100
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,
AMPERES
T
J
=25°C
10
INSTANTANEOUS REVERSE LEAKAGE CURRENT,
MICROAMPERES
T
J
=125°C
PULSE WIDTH=300µs
1% DUTY CYCLE
10
T
J
=100°C
1
1
0.1
0.1
0.01
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,
VOLTS
T
J
=25°C
0.01
FIG. 5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
0
20
40
60
80
100
80
JUNCTION CAPACITANCE, pF
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE
VOLTAGE, %
70
60
50
40
30
20
0.1
T
J
=25°C
f=1.0 MH
Z
Vsig=50mVp-p
1
10
100
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
与BYW29-50相近的元器件有:BYW29-100、BYW29-150、BYW29-200。描述及对比如下:
型号 BYW29-50 BYW29-100 BYW29-150 BYW29-200
描述 8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 7 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220
阻抗匹配集
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