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400U120

器件型号:400U120
器件类别:半导体    分立半导体   
文件大小:103KB,共2页
厂商名称:Naina Semiconductor
厂商官网:http://www.nainasemi.com
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器件描述

400 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB

文档预览

Naina Semiconductor Ltd.
emiconductor
Features
Diffused Series
Industrial grade
Available in Normal and Reverse polarity
Metric and UNF thread type
400NS(R)
Standard Recovery Diodes (Stud and Flat Base Type)
andard
Electrical Specifications
(T
E
= 25
0
C, unless otherwise noted)
Symbol
I
F(AV)
V
FM
I
FSM
I
FRM
It
2
Parameters
Maximum avg. forward current @ T
E
O
= 150 C
Maximum peak forward voltage drop
@ rated I
F(AV)
Maximum peak one cycle (non-rep)
rep)
surge current @ 10 msec
Maximum peak repetitive surge
current
2
Maximum I t rating (non-rep) for 5 to
rep)
10 msec
Values
400
1.4
8250
16000
340000
Units
A
V
A
A
A sec
DO-205AB (DO-9)
205AB (DO
2
Electrical Ratings
(T
E
= 25
0
C, unless otherwise noted)
Type
number
Voltage
Code
10
20
40
60
400NS(R)
80
100
120
140
160
V
RRM,
Maximum
repetitive peak
reverse voltage
(V)
100
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
V
R(RMS),
Maximum
RMS reverse
voltage
(V)
70
140
280
420
560
700
840
980
1120
V
R,
Maximum
DC blocking
voltage
(V)
100
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
Recommended RMS
working voltage
(V)
40
80
160
240
320
400
480
560
640
200
I
R(AV),
Maximum
avg. reverse
leakage current
(µA)
1
D-95, Sector 63, Noida – 201301, India • Tel: 0120-4205450 • Fax: 0120-4273653
4205450
0120
sales@nainasemi.com • www.nainasemi.com
Naina Semiconductor Ltd.
emiconductor
Thermal & Mechanical Specifications
(T
E
= 25
0
C, unless otherwise noted)
Symbol
R
th(JC)
T
J
T
stg
W
Parameters
Maximum thermal resistance, junction to case
Operating junction temperature range
Storage temperature
Mounting torque (non-lubricated threads)
lubricated
Approximate allowable weight
400NS(R)
Values
0.15
-65 to 150
65
-65 to 200
65
3.2 (min) – 3.7 (max)
260
Units
0
C/W
0
0
C
C
G
ALL DIMENSIONS IN MM
2
D-95, Sector 63, Noida – 201301, India • Tel: 0120-4205450 • Fax: 0120-4273653
4205450
0120
sales@nainasemi.com • www.nainasemi.com
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