电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 

RS3BB-13

器件型号:RS3BB-13
器件类别:分立半导体    二极管   
文件大小:68KB,共2页
厂商名称:Diodes Incorporated
下载文档

RS3BB-13在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
RS3BB-13 - - 点击查看 点击购买

器件描述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)235
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

文档预览

RS3A/B - RS3M/B
3.0A SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
Features
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction
Fast Recovery Time for High Efficiency
Low Forward Voltage Drop and High Current
Capability
Surge Overload Rating to 100A Peak
Ideally Suited for Automatic Assembly
Plastic Material: UL Flammability
Classification Rating 94V-0
B
Dim
A
B
C
D
SMB
Min
3.30
4.06
1.96
0.15
5.00
0.10
0.76
2.00
Max
3.94
4.57
2.21
0.31
5.59
0.20
1.52
2.62
SMC
Min
5.59
6.60
2.75
0.15
7.75
0.10
0.76
2.00
Max
6.22
7.11
3.18
0.31
8.13
0.20
1.52
2.62
A
C
Mechanical Data
·
·
·
·
·
·
Case: Molded Plastic
Terminals: Solder Plated Terminal -
Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
Marking: Type Number
SMB Weight: 0.09 grams (approx.)
SMC Weight: 0.20 grams (approx.)
J
D
E
G
H
J
H
G
E
All Dimensions in mm
AB, BB, DB, GB, JB, KB, MB Suffix Designates SMB Package
A, B, D, G, J, K, M Suffix Designates SMC Package
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@ T
T
= 75°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Maximum Recovery Time (Note 3)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Terminal (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
@ I
F
= 3.0A
@ T
A
= 25°C
@ TA = 125°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
R
qJT
T
j,
T
STG
RS3
A/AB
50
35
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
RS3
B/BB
100
70
RS3
D/DB
200
140
RS3
G/GB
400
280
3.0
100
1.3
5.0
250
RS3
J/JB
600
420
RS3
K/KB
800
560
RS3
M/MB
1000
700
Unit
V
V
A
A
V
mA
150
50
25
-65 to +150
250
500
ns
pF
K/W
°C
Notes:
1. Thermal resistance: junction to terminal, unit mounted on PC board with 5.0 mm
2
(0.013 mm thick) copper pad as heat sink.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Reverse recovery test conditions: I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A. See figure 5.
DS15005 Rev. E-2
1 of 2
RS3A/B - RS3M/B
2.5
I
F,
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
3.0
10
I
(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
2.0
1.5
1.0
1.0
0.1
0.5
0
T
j
= 25°C
I
F
Pulse Width: 300 µs
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
T
T
, TERMINAL TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
I
FSM
, PEAK FORWARD SURGE CURRENT (A)
I
R
, INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (µA)
100
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC Method)
1000
T
j
= 125°C
100
80
60
40
20
0
10
1.0
T
j
= 25°C
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
Fig. 4 Typical Reverse Characteristics
t
rr
1
10
100
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Fig. 3 Forward Surge Current Derating Curve
50
NI (Non-inductive)
Device
Under
Test
50V DC
Approx
10
NI
+0.5A
(-)
Pulse
Generator
(Note 2)
(+)
(-)
0A
-0.25A
1.0
NI
Oscilloscope
(Note 1)
(+)
Notes:
1. Rise Time = 7.0ns max. Input Impedance = 1.0M
, 22pF.
2. Rise Time = 10ns max. Input Impedance = 50
.
-1.0A
Set time base for 50/100 ns/cm
Fig. 5 Reverse Recovery Time Characteristic and Test Circuit
DS15005 Rev. E-2
2 of 2
RS3A/B - RS3M/B
与RS3BB-13相近的元器件有:RS3J-13、RS3MB-13。描述及对比如下:
型号 RS3BB-13 RS3J-13 RS3MB-13
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMC, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
包装说明 R-PDSO-C2 PLASTIC, SMC, 2 PIN R-PDSO-C2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e0 e0 e0
湿度敏感等级 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 235 235 235
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 600 V 1000 V
最大反向恢复时间 0.15 µs 0.25 µs 0.5 µs
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 C BEND C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10
哪个做过火灾报警方面的相关设计,,,留个邮箱
我的[email]zhuzhou601@126.com[/email]...
zhuzhou601 单片机
请教关于中断的问题。
我使用msp430f1611中遇到如下问题。请高人指教。谢谢!用p2.4做外部中断。下降沿出发测试程序如下:#include <msp430x16x.h>void main( void ){int i;WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;P1SEL=0;P1DIR = 0xFF;P2SEL |=BIT4;P2IES |=BIT4;P...
shuanghb 微控制器 MCU
基于电容数字转换器 AD7746的物位测量系统 焊接中!
有空时焊接些起来!...
蓝雨夜 ADI参考电路
用directshow做camera处理,但我从Transform的IMediaSample *pIn取出来的图像就是花屏,,请问是为什么?怎么办?难道这个手机
用directshow做camera处理,但我从Transform的IMediaSample *pIn取出来的图像就是花屏,,请问是为什么?怎么办?难道这个手机不能用directshow?...
uyang4050 嵌入式系统
注意:现在快递公司的人中途会私吞收件人东西
注意:现在快递公司的人中途会私吞收件人东西快递公司的人对卖家说已经送到了,,但是是送快递的人,自己签收件人的姓名快递公司的人在收件人不在情况下,,先电话下收件人,说明天在送来,之后就不断的拖时间,不让收件人让人代收《中途有机会私吞收件人东西,,藏到自己住的地方》...
maoshen 聊聊、笑笑、闹闹
EDU数据库使用方法
最近在Wince上做EDU数据库的毕业设计,编译的时候,EDU数据库的装载数据卷CeMountBDVolEx函数,卸载数据库卷CeMountDBVolEx函数,总之和EDU数据库相关的函数都不能用,EDU数据库下各种结构如CEPROPSPEC也提示:“ undeclared identifier”。哪位大侠能帮我解答一下这是什么问题?要添加什么头文件才行?我...
yytzc 嵌入式系统

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved