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KM48V8104T-L7

器件型号:KM48V8104T-L7
器件类别:存储    存储   
厂商名称:SAMSUNG(三星)
厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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器件描述

EDO DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP2-32

参数
参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP2
包装说明PLASTIC, TSOP2-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G32
长度20.95 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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