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DS2010R-35

器件型号:DS2010R-35
器件类别:存储    存储   
文件大小:59KB,共1页
厂商名称:Maxim(美信半导体)
厂商官网:https://www.maximintegrated.com/en.html
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器件描述

FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32,

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
内存密度9216 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
端子数量32
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX9
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
Base Number Matches1
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