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1N5526B

产品描述Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小341KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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1N5526B概述

Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N5526B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗30 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压6.8 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流1 mA
Base Number Matches1
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