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sm-46s12

eeworld网站中关于sm-46s12有16个元器件。有SM4600CSK、SM4600CSKC-TRG等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SM4600CSK 大中(Sinopower) Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) 下载
SM4600CSKC-TRG 台湾微碧(VBsemi) N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 下载
SM4600CSKC-TRG 大中(Sinopower) Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) 下载
SM4601CSK 大中(Sinopower) Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) 下载
SM4601CSKC-TRG 台湾微碧(VBsemi) N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 下载
SM4601CSKC-TRG 大中(Sinopower) Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) 下载
SM460281N/7 方舟(ARKLED) 数码管位数:1 主波长/色坐标:633nm 照明颜色:红色 电路连线类型:阴极(负极) 数码管的显示尺寸:0.28''(7.11mm) 下载
SM4603CSK 大中(Sinopower) Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) 下载
SM4603CSKC-TRG 大中(Sinopower) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.7A,8.2A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA,2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 8A,10V;24mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道和P沟道 下载
SM4606PRL SPS(美国源芯) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A,7A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V;33mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 - 下载
SM4614BPRL SPS(美国源芯) —— 下载
SM4616PRL SPS(美国源芯) —— 下载
SM4620PRL SPS(美国源芯) —— 下载
SM4627PRL SPS(美国源芯) —— 下载
SM46CXC274 IXYS Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 710A, 4600V V(RRM), Silicon, 下载
SM46CXC574 IXYS DIODE 1105 A, 4600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode 下载
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