器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
SM4600CSK | 大中(Sinopower) | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) | 下载 |
SM4600CSKC-TRG | 台湾微碧(VBsemi) | N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | 下载 |
SM4600CSKC-TRG | 大中(Sinopower) | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) | 下载 |
SM4601CSK | 大中(Sinopower) | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) | 下载 |
SM4601CSKC-TRG | 台湾微碧(VBsemi) | N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | 下载 |
SM4601CSKC-TRG | 大中(Sinopower) | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) | 下载 |
SM460281N/7 | 方舟(ARKLED) | 数码管位数:1 主波长/色坐标:633nm 照明颜色:红色 电路连线类型:阴极(负极) 数码管的显示尺寸:0.28''(7.11mm) | 下载 |
SM4603CSK | 大中(Sinopower) | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) | 下载 |
SM4603CSKC-TRG | 大中(Sinopower) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.7A,8.2A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA,2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 8A,10V;24mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道和P沟道 | 下载 |
SM4606PRL | SPS(美国源芯) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A,7A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V;33mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 - | 下载 |
SM4614BPRL | SPS(美国源芯) | —— | 下载 |
SM4616PRL | SPS(美国源芯) | —— | 下载 |
SM4620PRL | SPS(美国源芯) | —— | 下载 |
SM4627PRL | SPS(美国源芯) | —— | 下载 |
SM46CXC274 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 710A, 4600V V(RRM), Silicon, | 下载 |
SM46CXC574 | IXYS | DIODE 1105 A, 4600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | 下载 |
热搜器件
技术资料推荐
论坛推荐
技术视频推荐
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved