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irfp250

eeworld网站中关于irfp250有31个元器件。有IRFP250、IRFP250等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFP250 Renesas(瑞萨电子) 33A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP250 FCI / Amphenol Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
IRFP250 Thomson Consumer Electronics Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
IRFP250 General Electric Solid State Transistor 下载
IRFP250 Texas Instruments(德州仪器) IRFP250 下载
IRFP250 Rochester Electronics 33A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP250 ST(意法半导体) MOSFET N-Ch 200 Volt 33 Amp 下载
IRFP250 Vishay(威世) MOSFET N-Chan 200V 30 Amp 下载
IRFP250 IXYS ( Littelfuse ) MOSFET 30 Amps 200V 0.085 Rds 下载
IRFP250 International Rectifier ( Infineon ) POWER, FET 下载
IRFP250 SAMSUNG(三星) POWER, FET 下载
IRFP250 Fairchild POWER, FET 下载
IRFP250A SAMSUNG(三星) Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN 下载
IRFP250A Fairchild Advanced Power MOSFET 下载
IRFP250B Rochester Electronics 32A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN 下载
IRFP250B Fairchild POWER, FET 下载
IRFP250M Infineon(英飞凌) —— 下载
IRFP250MPBF IR 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):214W 类型:N沟道 N沟道,200V,30A,75mΩ@10V 下载
IRFP250MPBF Infineon(英飞凌) MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC 下载
IRFP250MPBF International Rectifier ( Infineon ) HEXFET® Power MOSFET 下载
IRFP250MPBF_15 International Rectifier ( Infineon ) Advanced Process Technology 下载
IRFP250N Fairchild Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 下载
IRFP250N International Rectifier ( Infineon ) 30 A, 200 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC 下载
IRFP250NPBF Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):214W 类型:N沟道 N沟道,200V,30A,75mΩ@10V 下载
IRFP250NPBF International Rectifier ( Infineon ) 30 A, 200 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC 下载
IRFP250NPBF_15 International Rectifier ( Infineon ) Advanced Process Technology 下载
IRFP250PBF Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):190W 类型:N沟道 N沟道,200V,30A,85mΩ@10V 下载
IRFP250PBF International Rectifier ( Infineon ) HEXFET㈢ Power MOSFET 下载
IRFP250R Harris Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 下载
IRFP250R Renesas(瑞萨电子) 33A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
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IRFP250R 下载文档
IRFP250R 下载文档
irfp250资料比对:
型号 IRFP250 IRFP250B
描述 POWER, FET POWER, FET
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 TO-3P, 3 PIN
Reach Compliance Code unknow compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 810 mJ 600 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 33 A 32 A
最大漏极电流 (ID) 33 A 32 A
最大漏源导通电阻 0.085 Ω 0.085 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 180 W 204 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 130 A 128 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
外壳连接 DRAIN -
JEDEC-95代码 TO-247 -
零件包装代码 - TO-3P
针数 - 3
小广播

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