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irfp250

eeworld网站中关于irfp250有50个元器件。有IRFP250、IRFP250等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFP250 Thinki Semiconductor Co.,Ltd. ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs 下载
IRFP250 ISC iscN-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP250 ETC2 SEMICONDUCTORS 下载
IRFP250 IXYS High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 下载
IRFP250 Renesas(瑞萨电子) 33A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP250 FCI / Amphenol Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
IRFP250 Thomson Consumer Electronics Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
IRFP250 General Electric Solid State Transistor 下载
IRFP250 Texas Instruments(德州仪器) IRFP250 下载
IRFP250 Rochester Electronics 33A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP250 ST(意法半导体) MOSFET N-Ch 200 Volt 33 Amp 下载
IRFP250 Vishay(威世) MOSFET N-Chan 200V 30 Amp 下载
IRFP250 IXYS ( Littelfuse ) MOSFET 30 Amps 200V 0.085 Rds 下载
IRFP250 International Rectifier ( Infineon ) POWER, FET 下载
IRFP250 SAMSUNG(三星) POWER, FET 下载
IRFP250 Fairchild POWER, FET 下载
IRFP250_17 Vishay(威世) Power MOSFET 下载
IRFP250_V01 Vishay(威世) Power MOSFET 下载
IRFP250A Thinki Semiconductor Co.,Ltd. ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs 下载
IRFP250A ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP250A SAMSUNG(三星) Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN 下载
IRFP250A Fairchild Advanced Power MOSFET 下载
IRFP250B Thinki Semiconductor Co.,Ltd. ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs 下载
IRFP250B Rochester Electronics 32A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN 下载
IRFP250B - 200V N-Channel MOSFET 下载
IRFP250B Fairchild POWER, FET 下载
IRFP250M Thinki Semiconductor Co.,Ltd. ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs 下载
IRFP250M ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP250M Infineon(英飞凌) —— 下载
IRFP250MPBF Thinki Semiconductor Co.,Ltd. ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs 下载
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IRFP250R 下载文档
irfp250资料比对:
型号 IRFP250 IRFP250B
描述 POWER, FET POWER, FET
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 TO-3P, 3 PIN
Reach Compliance Code unknow compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 810 mJ 600 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 33 A 32 A
最大漏极电流 (ID) 33 A 32 A
最大漏源导通电阻 0.085 Ω 0.085 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 180 W 204 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 130 A 128 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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