器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
FDD8880 | Rochester Electronics | 35A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | 下载 |
FDD8880 | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 下载 |
FDD8880 | ON Semiconductor(安森美) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W 类型:N沟道 N沟 30V 58A | 下载 |
FDD8880 | Fairchild | Test Plugs u0026 Test Jacks BINDING POST NICKEL | 下载 |
FDD8880_08 | Fairchild | 35 A, 30 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 下载 |
FDD8880_NL | Fairchild | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, D2PAK-3 | 下载 |
FDD8880_NL | Rochester Electronics | 35A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, D2PAK-3 | 下载 |
35A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC |
零件包装代码 | TO-252AA |
包装说明 | DPAK-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
风险等级 | 5.29 |
雪崩能效等级(Eas) | 53 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 35 A |
最大漏源导通电阻 | 0.015 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
热搜器件
技术资料推荐
论坛推荐
技术视频推荐
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved