电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

fdd8880

在7个相关元器件中,fdd8880有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FDD8880 Rochester Electronics 35A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 下载
FDD8880 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 下载
FDD8880 ON Semiconductor(安森美) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W 类型:N沟道 N沟 30V 58A 下载
FDD8880 Fairchild Test Plugs u0026 Test Jacks BINDING POST NICKEL 下载
FDD8880_08 Fairchild 35 A, 30 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 下载
FDD8880_NL Fairchild Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, D2PAK-3 下载
FDD8880_NL Rochester Electronics 35A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, D2PAK-3 下载
fdd8880的相关参数为:

器件描述

35A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Active
IHS 制造商ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码TO-252AA
包装说明DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
风险等级5.29
雪崩能效等级(Eas)53 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.015 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   0F 28 3a 4D 75 89 9L AV AX EI GU JG O0 WP XI

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved