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STB6NK90ZT4

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器件名 厂商 描 述 功能
STB6NK90ZT4 ST(意法半导体) Operational Amplifiers - Op Amps Single 1.6V 10KHz 下载
STB6NK90ZT4的相关参数为:

器件描述

Operational Amplifiers - Op Amps Single 1.6V 10KHz

参数
参数名称属性值
Source Content uidSTB6NK90ZT4
Brand NameSTMicroelectronics
生命周期Active
IHS 制造商STMICROELECTRONICS
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
风险等级1.59
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级(Eas)300 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.8 A
最大漏极电流 (ID)5.8 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)23.2 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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