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SS8050

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SS8050

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器件名 厂商 描 述 功能
SS8050 萨科微(Slkor) —— 下载
SS8050 长电科技(JCET) —— 下载
SS8050 晶导微电子 —— 下载
SS8050 宝力芯(PSI) 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 下载
SS8050 杰盛微(JSMSEMI) —— 下载
SS8050 固得沃克(GOODWORK) 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 下载
SS8050 江苏韦达(WEIDA) —— 下载
SS8050 治润(ZRE) 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 下载
SS8050 LGE —— 下载
SS8050 富芯森美(FUXINSEMI) 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 下载
SS8050 维攀微(WPM) —— 下载
SS8050 台湾迪嘉(TWGMC) 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 下载
SS8050 金誉(HT) —— 下载
SS8050 迪浦(PUOLOP) —— 下载
SS8050 友台半导体(UMW) —— 下载
SS8050 英锐芯(IDCHIP) —— 下载
SS8050 YFWDIODE —— 下载
SS8050 台湾安邦(AnBon) —— 下载
SS8050 上海佳兴电子 40V 1.5A 1W TO-92 双极型晶体管 下载
SS8050 Micro Commercial Components (MCC) Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92, 3 PIN 下载
SS8050 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Small Signal Bipolar Transistor, 下载
SS8050 National Semiconductor(TI ) TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-92 下载
SS8050 Texas Instruments(德州仪器) TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-92 下载
SS8050 SAMSUNG(三星) Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 下载
SS8050 海德(High Diode) NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A 下载
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