器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
SI2306 | KEXIN | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 N 沟道 30V | 下载 |
SI2306 | 迪浦(PUOLOP) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:47mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道 | 下载 |
SI2306 | 深圳辰达行电子(MDD) | —— | 下载 |
SI2306 | 合科泰(Hottech) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.16A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:47mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道 | 下载 |
SI2306 | ETC2 | SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS | 下载 |
SI2306 | MAKO | SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS | 下载 |
SI2306-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Small Signal Field-Effect Transistor, | 下载 |
SI2306-TP | Micro_Commercial_Co | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | 下载 |
SI2306A | 友台半导体(UMW) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:57mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 | 下载 |
SI2306BDS | Vishay(威世) | MOSFET, N-Ch., 30 V(D-S), 0.047 Ohm @ 10 V(GS), 4 A, TO-236 (SOT-23) | 下载 |
SI2306BDS-T1-E3 | Vishay(威世) | MOSFET 30V 4.0A 0.75W | 下载 |
SI2306BDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:47mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道 N沟道,30V,4A,47mΩ@10V | 下载 |
SI2306DS | Vishay(威世) | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI2306DS | KEXIN | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI2306DS-3 | KEXIN | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | 下载 |
SI2306DS-E3 | Vishay(威世) | TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Power | 下载 |
SI2306DS-HF | KEXIN | N-Channel MOSFET | 下载 |
SI2306DS-HF-3 | KEXIN | N-Channel MOSFET | 下载 |
SI2306DS-T1 | Vishay(威世) | MOSFET 30V 3.5A 1.25 | 下载 |
SI2306DS-T1-E3 | Vishay(威世) | MOSFET 30V 3.5A 1.25 | 下载 |
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