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SI2305

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SI2305

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器件名 厂商 描 述 功能
SI2305 KEXIN 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 栅源极阈值电压:500mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道 P 沟道 -20V 下载
SI2305 伯恩半导体(BORN) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 MOSFET,P-channel 20V/12V 4.1A VGS(th)=0.7V 46mΩ@4.1A&4.5V,SOT-23 下载
SI2305 合科泰(Hottech) 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道 下载
SI2305-TP Micro Commercial Components (MCC) Small Signal Field-Effect Transistor, 下载
SI2305-TP Micro_Commercial_Co P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE 下载
SI2305-TP-HF Micro Commercial Components (MCC) Small Signal Field-Effect Transistor, 下载
SI2305A 友台半导体(UMW) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 栅源极阈值电压:500mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道 下载
SI2305ADS Vishay(威世) 5400 mA, 8 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB 下载
SI2305ADS-T1-E3 Vishay(威世) MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V 下载
SI2305ADS-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40 mohms @ 4.5V 下载
SI2305B-TP Micro_Commercial_Co P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE 下载
SI2305CDS Vishay(威世) P-Channel 8 V (D-S) MOSFET 下载
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):8V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 4.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):960mW 类型:P沟道 P沟道,-8V,-5.8A,35mΩ@-4.5V 下载
SI2305CDS_13 Vishay(威世) P-Channel 8 V (D-S) MOSFET 下载
SI2305DS KEXIN P-Channel MOSFET 下载
SI2305DS Vishay(威世) MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 下载
SI2305DS-3 KEXIN P-Channel MOSFET 下载
SI2305DS-E3 Vishay(威世) TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Power 下载
SI2305DS-HF KEXIN P-Channel MOSFET 下载
SI2305DS-HF-3 KEXIN P-Channel MOSFET 下载
SI2305DS-T1 Vishay(威世) MOSFET 8V 3.5A 1.25W 下载
SI2305DS-T1-E3 Vishay(威世) MOSFET 8V 3.5A 1.25W 下载
SI2305DS-T1-E3. Vishay(威世) MOSFET 8V, 108 MOHMS@1.8V 下载
SI2305DS-T1-GE3 台湾微碧(VBsemi) —— 下载
SI2305DS-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET 8.0V 3.5A 1.25W 52mohm @ 4.5V 下载
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