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S8050

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S8050

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器件名 厂商 描 述 功能
S8050 杰盛微(JSMSEMI) —— 下载
S8050 长电科技(JCET) —— 下载
S8050 德芯半导体(Doeshare) —— 下载
S8050 江苏韦达(WEIDA) —— 下载
S8050 固得沃克(GOODWORK) 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,1V 特征频率(fT):30MHz 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 下载
S8050 迪浦(PUOLOP) —— 下载
S8050 YFWDIODE —— 下载
S8050 台湾迪嘉(TWGMC) 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 下载
S8050 维攀微(WPM) —— 下载
S8050 永裕泰(YONGYUTAI) —— 下载
S8050 宝力芯(PSI) 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 下载
S8050 富芯森美(FUXINSEMI) 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 下载
S8050 LGE —— 下载
S8050 Shanghai Lunsure Electronic Technology Co Ltd Transistor 下载
S8050 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Small Signal Bipolar Transistor, 下载
S8050 Micro Commercial Components (MCC) Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3 下载
S8050 Galaxy Microelectronics 25V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 25V, 0.5A, 120, 350, 1V 下载
S8050 金誉(HT) 额定功率:300mW 集电极电流Ic:800mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN 下载
S8050 海德(High Diode) NPN,Vceo=25V,Ic=500mA 下载
S8050 格瑞宝(GP) 晶体管类型:NPN 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 额定功率:625mW NPN 下载
S8050 伯恩半导体(BORN) 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN transistors,NPN 25V 500mA 300mW,SOT-23 下载
S8050 萨科微(Slkor) 晶体管类型:NPN 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 额定功率:300mW 下载
S8050 时科(SHIKUES) 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=500mA,hfe=200~350,丝印J3Y 下载
S8050 合科泰(Hottech) 额定功率:300mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN 下载
S8050 台湾安邦(AnBon) 晶体管类型:NPN 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:25V 额定功率:225mW NPN 下载
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