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IRFB7430PBF

eeworld网站中关于IRFB7430PBF有5个元器件。有IRFB7430PBF、IRFB7430PBF等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFB7430PBF IR 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):195A(Tc) 栅源极阈值电压:3.9V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W(Tc) 类型:N沟道 IRN沟道MOS40V1.3mR409ATOP220AB 下载
IRFB7430PBF Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):195A(Tc) 栅源极阈值电压:3.9V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 40V 195A 下载
IRFB7430PBF Kersemi Electronic POWER, FET 下载
IRFB7430PBF International Rectifier ( Infineon ) POWER, FET 下载
IRFB7430PBF_15 International Rectifier ( Infineon ) Brushed Motor drive applications 下载
关于IRFB7430PBF相关文档资料:
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IRFB7430PBF 、 IRFB7430PBF 下载文档
IRFB7430PBF_15 下载文档
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IRFB7430PBF资料比对:
型号 IRFB7430PBF IRFB7430PBF
描述 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):195A(Tc) 栅源极阈值电压:3.9V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W(Tc) 类型:N沟道 IRN沟道MOS40V1.3mR409ATOP220AB 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):195A(Tc) 栅源极阈值电压:3.9V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 40V 195A
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