电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

IRF840

eeworld网站中关于IRF840有312个元器件。有IRF840、IRF840等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF840 ETC2 SEMICONDUCTORS 下载
IRF840 Texas Instruments(德州仪器) IRF840 下载
IRF840 FCI / Amphenol Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
IRF840 NXP(恩智浦) TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,8A I(D),TO-220AB 下载
IRF840 Rochester Electronics 8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 TT Electronics plc Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN 下载
IRF840 ADPOW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 下载
IRF840 蓝箭(BLUE ROCKET) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道 下载
IRF840 ST(意法半导体) MOSFET N-Ch 500 Volt 8 Amp 下载
IRF840 Vishay(威世) MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp 下载
IRF840 Transys Electronics Limited power mosfet ( vdss = 500v, rds(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A ) 下载
IRF840 SAMSUNG(三星) N-channel power mosfets 下载
IRF840 Motorola ( NXP ) N-channel enhancement-mode silicon gate tmos power field effect transistor 下载
IRF840 Kersemi Electronic 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 New Jersey Semiconductor 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 Nell 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 COMSET 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 DCCOM [ DC COMPONENTS ] 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 APEC 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 ISC 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 Suntac 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 - N-Channel Power MOSFETs 下载
IRF840 Fairchild 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 International Rectifier ( Infineon ) 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 Intersil ( Renesas ) 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF840-001 Vishay(威世) Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
IRF840-001 International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
IRF840-001PBF Vishay(威世) Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
IRF840-001PBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
关于IRF840相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRF840-001 、 IRF840-001 、 IRF840-001PBF 、 IRF840-001PBF 下载文档
IRF840-007 、 IRF840-007 下载文档
IRF84016 、 IRF840A 下载文档
IRF840 下载文档
IRF840 下载文档
IRF840 下载文档
IRF840 下载文档
IRF840 下载文档
IRF840-009 下载文档
IRF840A 下载文档
IRF840资料比对:
型号 IRF840-001 IRF840-001 IRF840-001PBF IRF840-001PBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
是否无铅 含铅 含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) International Rectifier ( Infineon ) Vishay(威世) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown compliant unknown compliant
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 8 A 8 A 8 A 8 A
最大漏源导通电阻 0.85 Ω 0.85 Ω 0.85 Ω 0.85 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 225 NOT SPECIFIED 250
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 32 A 32 A 32 A 32 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   3O 4S 6C 71 89 9 AM E4 LB MT TP UV WQ WY ZU

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved