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IRF640N

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IRF640N

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IRF640N Kersemi Electronic 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF640N International Rectifier ( Infineon ) 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF640N Fairchild 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF640N_04 International Rectifier ( Infineon ) 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF640NL Infineon MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 下载
IRF640NL Kersemi Electronic 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF640NL International Rectifier ( Infineon ) 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF640NL Fairchild 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF640NLPBF Infineon MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC 下载
IRF640NLPBF Kersemi Electronic 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 下载
IRF640NLPBF International Rectifier ( Infineon ) 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 下载
IRF640NPBF Infineon 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道 N沟道,200V,18A,150mΩ@10V 下载
IRF640NPBF Kersemi Electronic 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF640NPBF International Rectifier ( Infineon ) 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRF640NPBF_15 International Rectifier ( Infineon ) Advanced Process Technology 下载
IRF640NS International Rectifier ( Infineon ) 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 下载
IRF640NS Fairchild 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 下载
IRF640NSPBF Infineon MOSFET 200V 24A 0.15 Ohm 25nC Qg 18A ID 下载
IRF640NSPBF Kersemi Electronic 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 下载
IRF640NSPBF International Rectifier ( Infineon ) 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 下载
IRF640NSRPBF International Rectifier ( Infineon ) Advanced Process Technology 下载
IRF640NSTRLPBF IR 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道 N沟道,220V,18A,150mΩ@10V 下载
IRF640NSTRLPBF Infineon MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC 下载
IRF640NSTRLPBF International Rectifier ( Infineon ) 18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 下载
IRF640NSTRRPBF Infineon MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC 下载
IRF640NSTRRPBF International Rectifier ( Infineon ) mosfet 200v 1 N-CH hexfet 150mohms 44.7nc 下载
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