电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

IHW20N120R2

在2个相关元器件中,IHW20N120R2有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IHW20N120R2 Infineon(英飞凌) IGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A 下载
IHW20N120R2FKSA1 Infineon(英飞凌) Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN 下载
IHW20N120R2的相关参数为:

器件描述

IGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-247AD
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值6.4 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)330 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)526 ns
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   6X 76 8G D1 G4 HG IH K0 KN LU N9 SG T4 WT ZK

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved