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AO3400

eeworld网站中关于AO3400有32个元器件。有AO3400、AO3400等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
AO3400 深圳辰达行电子(MDD) N沟道 30V 下载
AO3400 台湾微碧(VBsemi) —— 下载
AO3400 LGE —— 下载
AO3400 Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) Transistor 下载
AO3400 KEXIN 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 N沟道,30V 5.8A 下载
AO3400 时科(SHIKUES) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V 下载
AO3400 合科泰(Hottech) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 下载
AO3400 蓝箭(BLUE ROCKET) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 下载
AO3400 AOS N-channel enhancement mode field effect transistor 下载
AO3400 HTSEMI( Jin Yu Semiconductor ) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 下载
AO3400-3 KEXIN N-Channel Enhancement MOSFET 下载
AO3400-HF KEXIN N-Channel MOSFET 下载
AO3400-HF-3 KEXIN N-Channel MOSFET 下载
AO3400-SOT23 迪浦(PUOLOP) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 下载
AO3400-SOT23-3L 迪浦(PUOLOP) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 下载
AO3400_11 Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) 30V N-Channel MOSFET 下载
AO3400A 华朔(HUASHUO) 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.2A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA 下载
AO3400A Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) Small Signal Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN PACKAGE-3 下载
AO3400A 伯恩半导体(BORN) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23 下载
AO3400A AOS 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:26.5mΩ @ 5.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V 下载
AO3400A 友台半导体(UMW) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 - 下载
AO3400A Kersemi Electronic 5700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
AO3400A KEXIN 5700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
AO3400A Alpha Industries 5700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
AO3400A-3 KEXIN N-Channel MOSFET 下载
AO3400A-HF KEXIN N-Channel MOSFET 下载
AO3400A-HF-3 KEXIN N-Channel MOSFET 下载
AO3400A_11 Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) 5700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
AO3400AL Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) Transistor 下载
AO3400C AOS —— 下载
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AO3400资料比对:
型号 AO3400 AO3400L
描述 N-channel enhancement mode field effect transistor N-channel enhancement mode field effect transistor
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