电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

2N7002

搜到"

2N7002

",共1044个Datasheet相关器件
器件名 厂商 描 述 功能
2N7002 台湾迪嘉(TWGMC) —— 下载
2N7002 杰盛微(JSMSEMI) 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA 输入电容(Ciss@Vds):20pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V 工作温度:+150℃@(Tj) 下载
2N7002 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Transistor, 下载
2N7002 Rochester Electronics 115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN 下载
2N7002 扬杰科技(YANGJIE) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):340mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 下载
2N7002 LGE 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 N沟道 下载
2N7002 KEXIN —— 下载
2N7002 金誉(HT) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.2A,7.5Ω@10V 下载
2N7002 海德(High Diode) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 N沟道,60V,115mA,5Ω@10V 下载
2N7002 伯恩半导体(BORN) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 MOSFET,N-channel 60V/20V 0.2A VGS(th)=1V 7.5Ω(MAX)0,SOT-23 下载
2N7002 萨科微(Slkor) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 下载
2N7002 深圳辰达行电子(MDD) —— 下载
2N7002 合科泰(Hottech) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 下载
2N7002 长电科技(JCET) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V 下载
2N7002 ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 下载
2N7002 ST(意法半导体) MOSFET N-Ch 60 Volt 0.20 A 1.8 Ohm STripFET 下载
2N7002 Microchip(微芯科技) MOSFET 60V 7.5Ohm 下载
2N7002 DIOTEC Small Signal Field-Effect Transistor, 下载
2N7002 Fairchild MOSFET N-CHANNEL 60V 115mA 下载
2N7002 Vishay(威世) —— 下载
2N7002 Chino-Excel N-channel enhancement mode field effect transistor 下载
2N7002 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd nce N-channel Enhancement mode power mosfet 下载
2N7002 Supertex N-channel enhancement-mode vertical dmos fets 下载
2N7002 南晶电子(DGNJDZ) 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
2N7002 NXP(恩智浦) 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
2N7002 DIOTECH 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
2N7002 KEC 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
2N7002 NCE Power 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
2N7002 National Semiconductor(TI ) 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
2N7002 - 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
小广播

网友大多搜

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   0L 27 3a 3P 7C BF E E4 ES I4 MK PE VV WE ZN

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2022 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved