| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 2N7002-7-F | Intersil ( Renesas ) | DIODES INC. - 2N7002-7-F - MOSFET; N CH; 60 V; 800mA; SOT-23 | 下载 |
| 2N7002-7-F | Diodes | DIODES INC. - 2N7002-7-F - MOSFET; N CH; 60 V; 800mA; SOT-23 | 下载 |
| 2N7002-T1-E3 | Vishay | VISHAY SILICONIX - 2N7002-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET; 60V; 115mA TO-236 | 下载 |
| 2N7002_ | Diodes | DIODES INC. - 2N7002-7-F - MOSFET; N CH; 60 V; 800mA; SOT-23 | 下载 |
| 2N7002AQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family | 下载 |
| 2N7002AQ-7 | Diodes | MOSFET 2N7002 Family | 下载 |
| 2N7002CK | NXP | NXP - 2N7002CK - MOSFET;N CH;60V;0.3A;SOT23 | 下载 |
| 2N7002CKVL | NXP | MOSFET 2N7002CK/TO-236AB/REEL 11" Q3/ | 下载 |
| 2N7002DW-7-F | Diodes | DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - MOSFET; N CH; DUAL; 60 V; 800mA; SOT-363 | 下载 |
| 2N7002K-7 | Diodes | DIODES INC. - 2N7002K-7 - MOSFET; N CH; 60 V; 800mA; SOT-23 | 下载 |
| 2N7002K-T1-E3 | Vishay | VISHAY SILICONIX - 2N7002K-T1-E3 - MOSFET; N CH; 60V; 2OHM; 300mA; TO-236; FULL REEL | 下载 |
| 2N7002K_0711 | Diodes | DIODES INC. - 2N7002K-7 - MOSFET; N CH; 60 V; 800mA; SOT-23 | 下载 |
| 2N7002 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：340mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道 | 下载 |
| 2N7002 | LGE | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道 N沟道 | 下载 |
| 2N7002 | KEXIN | 下载 | |
| 2N7002 | HT(金誉) | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 栅源极阈值电压：1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道 N沟道,60V,0.2A,7.5Ω@10V | 下载 |
| 2N7002 | High Diode(海德) | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道 N沟道,60V,115mA,5Ω@10V | 下载 |
| 2N7002 | BORN伯恩半导体 | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道 MOSFET,N-channel 60V/20V 0.2A VGS(th)=1V 7.5Ω（MAX)0,SOT-23 | 下载 |
| 2N7002 | Slkor(萨科微) | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道 | 下载 |
| 2N7002 | MDD | 下载 | |
| 2N7002 | Hottech(合科泰) | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道 | 下载 |
| 2N7002 | CJ江苏长电(授权代理) | 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道 N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V | 下载 |
| 2N7002 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 | 下载 |
| 2N7002 | STMICROELECTRONICS | MOSFET N-Ch 60 Volt 0.20 A 1.8 Ohm STripFET | 下载 |
| 2N7002 | Microchip | MOSFET 60V 7.5Ohm | 下载 |
| 2N7002 | Fairchild | MOSFET N-CHANNEL 60V 115mA | 下载 |
| 2N7002 | Vishay | 下载 | |
| 2N7002 | Chino-Excel | N-channel enhancement mode field effect transistor | 下载 |
| 2N7002 | Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd | nce N-channel Enhancement mode power mosfet | 下载 |
| 2N7002 | Supertex | N-channel enhancement-mode vertical dmos fets | 下载 |
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