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2N7002

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2N7002

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2N7002-7-F Intersil ( Renesas ) DIODES INC. - 2N7002-7-F - MOSFET; N CH; 60 V; 800mA; SOT-23 下载
2N7002-7-F Diodes DIODES INC. - 2N7002-7-F - MOSFET; N CH; 60 V; 800mA; SOT-23 下载
2N7002-T1-E3 Vishay VISHAY SILICONIX - 2N7002-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET; 60V; 115mA TO-236 下载
2N7002_ Diodes DIODES INC. - 2N7002-7-F - MOSFET; N CH; 60 V; 800mA; SOT-23 下载
2N7002AQ-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N7002 Family 下载
2N7002AQ-7 Diodes MOSFET 2N7002 Family 下载
2N7002CK NXP NXP - 2N7002CK - MOSFET;N CH;60V;0.3A;SOT23 下载
2N7002CKVL NXP MOSFET 2N7002CK/TO-236AB/REEL 11" Q3/ 下载
2N7002DW-7-F Diodes DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - MOSFET; N CH; DUAL; 60 V; 800mA; SOT-363 下载
2N7002K-7 Diodes DIODES INC. - 2N7002K-7 - MOSFET; N CH; 60 V; 800mA; SOT-23 下载
2N7002K-T1-E3 Vishay VISHAY SILICONIX - 2N7002K-T1-E3 - MOSFET; N CH; 60V; 2OHM; 300mA; TO-236; FULL REEL 下载
2N7002K_0711 Diodes DIODES INC. - 2N7002K-7 - MOSFET; N CH; 60 V; 800mA; SOT-23 下载
2N7002 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):340mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 下载
2N7002 LGE 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 N沟道 下载
2N7002 KEXIN 下载
2N7002 HT(金誉) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.2A,7.5Ω@10V 下载
2N7002 High Diode(海德) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 N沟道,60V,115mA,5Ω@10V 下载
2N7002 BORN伯恩半导体 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 MOSFET,N-channel 60V/20V 0.2A VGS(th)=1V 7.5Ω(MAX)0,SOT-23 下载
2N7002 Slkor(萨科微) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 下载
2N7002 MDD 下载
2N7002 Hottech(合科泰) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 下载
2N7002 CJ江苏长电(授权代理) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V 下载
2N7002 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 下载
2N7002 STMICROELECTRONICS MOSFET N-Ch 60 Volt 0.20 A 1.8 Ohm STripFET 下载
2N7002 Microchip MOSFET 60V 7.5Ohm 下载
2N7002 Fairchild MOSFET N-CHANNEL 60V 115mA 下载
2N7002 Vishay 下载
2N7002 Chino-Excel N-channel enhancement mode field effect transistor 下载
2N7002 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd nce N-channel Enhancement mode power mosfet 下载
2N7002 Supertex N-channel enhancement-mode vertical dmos fets 下载
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