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20N60C3

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20N60C3

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G20N60C3 Fairchild 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB 下载
HGT1S20N60C3R Fairchild 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGT1S20N60C3RS Fairchild 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGT1S20N60C3S Intersil ( Renesas ) 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB 下载
HGT1S20N60C3S Fairchild 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB 下载
HGT1S20N60C3S9A ON Semiconductor IGBT Transistors 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series 下载
HGT1S20N60C3S9A Fairchild 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB 下载
HGTG20N60C3 Fairchild 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTG20N60C3 Intersil ( Renesas ) 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTG20N60C3D ON Semiconductor IGBT 600V 45A 164W TO247 下载
HGTG20N60C3D Intersil ( Renesas ) 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTG20N60C3D Fairchild 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTG20N60C3R Fairchild 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
HGTP20N60C3 Intersil ( Renesas ) 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB 下载
HGTP20N60C3 Fairchild 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB 下载
HGTP20N60C3R Fairchild 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 下载
SPA20N60C3 Infineon 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20.7A 栅源极阈值电压:3.9V @ 1mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 13.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.5W 类型:N沟道 N沟道,650V,20.7A,190mΩ@10V 下载
SPA20N60C3XKSA1 Infineon MOSFET HIGH POWER_LEGACY 下载
SPB20N60C3 Infineon 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20.7A(Tc) 栅源极阈值电压:3.9V @ 1mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 13.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):208W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,20.7A 下载
SPB20N60C3_09 Infineon 20.7 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 下载
SPB20N60C3ATMA1 Infineon MOSFET HIGH POWER_LEGACY 下载
SPI20N60C3 Infineon MOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3 CoolMOS C3 下载
SPI20N60C3HKSA1 Infineon MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262 下载
SPI20N60C3XKSA1 Infineon MOSFET N-Ch 650V 20.7A I2PAK-3 下载
SPP20N60C3 Infineon 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20.7A 栅源极阈值电压:3.9V @ 1mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 13.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):208W 类型:N沟道 N沟道,650V,20.7A,190mΩ@10V 下载
SPP20N60C3HKSA1 Infineon MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 下载
SPP20N60C3XKSA1 Infineon Schottky Diodes u0026 Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A 下载
SPW20N60C3 Infineon 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20.7A 栅源极阈值电压:3.9V @ 1mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 13.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):208W 类型:N沟道 下载
SPW20N60C3_08 Infineon Cool MOS Power Transistor 下载
SPW20N60C3FKSA1 Infineon MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247 下载
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