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07N65

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07N65

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CEB07N65 CET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 下载
CED07N65A CET 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):107W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,6A,1.45Ω@10V 下载
CEF07N65 Chino-Excel N-channel enhancement mode field effect transistor 下载
CEF07N65 CET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 下载
CEP07N65 Chino-Excel N-channel enhancement mode field effect transistor 下载
CEP07N65 CET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 下载
CEP07N65A CET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 下载
CEU07N65A CET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 下载
H07N65 HSMC N-Channel Power Field Effect Transistor 下载
H07N65E 台湾华昕(HSMC) 650V 7A N沟道功率场效应晶体管 下载
H07N65F 台湾华昕(HSMC) 650V 7A N沟道功率场效应晶体管 下载
LSC07N65 龙腾半导体(LONTEN) Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN 下载
LSD07N65 龙腾半导体(LONTEN) Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN 下载
LSG07N65 龙腾半导体(LONTEN) Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, 下载
LSH07N65 龙腾半导体(LONTEN) Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, 下载
NCE07N65 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd super junction mosfet 下载
NCE07N65 NCE Power Super Junction MOSFET 下载
NCE07N65F Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd super junction mosfet 下载
NCE07N65F NCE Power Super Junction MOSFET 下载
PSA07N65 丽隽(PIP) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,7.0A,1.1?@10V 下载
PSD07N65 丽隽(PIP) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道 下载
PTA07N65B 丽隽(PIP) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,1.2?@10V,7.0A 下载
SDF07N65 SAMHOP Super high dense cell design for low RDS(ON). 下载
SDUD07N65 SAMHOP Super high dense cell design for low RDS(ON). 下载
SK07N65B 时科(SHIKUES) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):126W(Tc) 类型:N沟道 下载
SK07N65B-TF 时科(SHIKUES) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:N沟道 下载
SP07N65 SAMHOP Super high dense cell design for low RDS(ON). 下载
SPA07N65C3 Infineon(英飞凌) MOSFET 下载
SPA07N65C3XKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET LOW POWER_LEGACY 下载
SPI07N65C3 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 650V 7.3A I2PAK-3 CoolMOS C3 下载
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