电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

VUB160-12NO1

器件型号:VUB160-12NO1
厂商名称:IXYS ( Littelfuse )
厂商官网:http://www.ixys.com/
下载文档

器件描述

Three Phase Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System

文档预览

VUB160-12NO1器件文档内容

Three Phase Rectifier Bridge                                                                                   VUB 120 / 160

with IGBT and Fast Recovery Diode                                                                 VRRM = 1200/1600 V
for Braking System                                                                                IdAVM = 121/157 A

Preliminary Data

V       Type                       VRRM Type
   RRM                               V

V

1200 VUB 120-12 NO1 1600 VUB 120-16 NO1
1200 VUB 160-12 NO1 1600 VUB 160-16 NO1

Symbol                       Test Conditions                               Maximum Ratings        Features
                             TC = 75C, sinusoidal 120                                           q Soldering connections for PCB
VRRM                                                                       VUB 120 VUB160
IdAVM                                                                                               mounting
IFSM                                                                       1200/1600 1200/1600 V  q Isolation voltage 3600 V~
                                                                                                  q Ultrafast diode
I2t     Rectifier Diodes                                                   121           157 A    q Convenient package outline
                                                                                                  q UL registered E 72873
Ptot                         TVJ = 45C,          t = 10 ms, VR = 0 V       650           850 A   q Case and potting UL94 V-0
VCES                         TVJ = 150C,         t = 10 ms, VR = 0 V       580           760 A   q Thermistor
VGE                                                                                               Applications
IC25                         TVJ = 45C,          t = 10 ms, VR = 0 V      2110          3610 A   q Drive Inverters with brake system
IC75                         TVJ = 150C,         t = 10 ms, VR = 0V       1680          2880 A   Advantages
                                                                                                  q 2 functions in one package
ICM                          TC = 25C per diode                           130           160 W    q Easy to mount with two screws
Ptot                                                                                              q Suitable for wave soldering
VRRM                         TVJ = 25C to 150C                           1200          1200 V   q High temperature and power cycling
IFAV                         Continuous                                     20          20 V
IFRMS                                                                                               capability
IFRM    IGBT                 TC = 25C, DC                                 100           150 A
IFSM                         TC = 75C, DC                                                        Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
                             TC = 75C, d = 0.5                            71            106 A
Ptot                                                                                                                                        1-4
TVJ                          tp = Pulse width limited by TVJM              56            85 A
TVJM
Tstg                         TC = 25C                                     200           300 A
VISOL
                                                                           400           600 W
Md
        Fast Recovery Diode                                                      1200       V
dS
dA                           TC = 75C, rectangular d = 0.5                      25         A
a                            TC = 75C, rectangular d = 0.5
Weight                       TC = 75C, tP = 10 s, f = 5 kHz                    39         A

                                                                                 tbd        A

                             TVJ = 45C,          t = 10 ms                      200        A
                             TVJ = 150C,         t = 10 ms
                                                                                 180        A
                             TC = 25C
                                                                                 100        W

                                                                           -40...+150       C

                                                                                 150        C

                                                                           -40...+125       C

                             50/60 Hz             t = 1 min                      3000       V~
                             IISOL 1 mA         t=1s
        Module                                                                   3600       V~

                             Mounting torque      (M5)                           2-2.5    Nm
                                                  (10-32 unf)                    18-22   lb.in.

                             Creep distance on surface                            12.7    mm
                             Strike distance in air                                 9.4   mm
                             Maximum allowable acceleration                          50  m/s2

                             typ.                                                    80      g

Data according to IEC 60747                                                                                                                    0 31
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

2000 IXYS All rights reserved
Symbol                                   Test Conditions                                                     Characteristic Values            VUB 120 / 160

IR                                                                      (T      =  25C,                     unless  otherwise  specified)                            2-4
VF                                                                          VJ
VT0
rT                                                                                                           min. typ. max.
RthJC
RthJH     RectifiReerctDifoideresDiodes  VR = VRRM,   TVJ = 25C                                                                0.3 mA
                                         VR = VRRM,   TVJ = 150C                                                                 5 mA
VBR(CES)
VGE(th)                                  IF = 150 A,  TVJ = 25C                VUB 120                                      1.59 V
ICES                                                                            VUB 160                                      1.49 V

VCEsat                                   For power-loss calculations only       VUB 120                                      0.80 V
tSC                                      TVJ = 150C                                                                         0.75 V
(SCSOA)                                                                         VUB 160
                                                                                VUB 120                                       6.1 mW
RBSOA                                                                           VUB 160                                       4.6 mW

Cies                                     per diode                              VUB 120                                       1.0 K/W
td(on)                                                                          VUB 160                                       0.8 K/W
td(off)
Eon                                                                             VUB 120                                         1.3 K/W
Eoff                                                                            VUB 160                                         1.1 K/W
RthJC
RthJH                                    VGS = 0 V, IC = 3 mA                   VUB 120                      1200                          V
IR                                       IC = 20 mA                             VUB 160                           5                8V
                                         IC = 30 mA                                                               5                8V
VF                                       TVJ = 25C, VCE = 1200 V               VUB 120                                         0.8 mA
VT0                                                                             VUB 160                                   9     1.2 mA
rT                                       TVJ = 125C, VCE = 0,8 z VCES          VUB 120                               13.5         3 mA
IRM                                                                             VUB 160                                         4.5 mA
trr                                                                                                                             2.9 V
RthJC                                    VGE = 15 V, IC = 50 A                  VUB 120                                         2.9 V
RthJH                                    VGE = 15 V, IC = 75 A                  VUB 160
R25                                                                                                                              10 ms
                                         VGE = 15 V, VCE = 720 V, TVJ = 125C,                                                   10 ms
                                         RG = 11 W, non repetitive
                                                                                VUB 120                                         100 A
                                                                                                                                150 A
                                         RG = 7 W, non repetitive               VUB 160
                                                                                                                                         nF
                                         VGE = 15 V, VCE = 960 V, TVJ = 125C,                                                           nF

          IGBT                           Clamped Inductive load, L = 100 mH

                                         RG = 11 W                              VUB 120
                                         RG = 7 W                               VUB 160

                                         VCE = 25 V, f = 1 MHz, VGE = 0 V VUB 120

                                                                                                    VUB 160

                                                                                                                     300        ns

                                         VCE = 720 V, IC = 50/75 A                                                   350        ns
                                         VGE = 15 V, RG = 11/7 W
                                         Inductive load; L = 100 mH             VUB 120                              12         mJ
                                                                                VUB 160
                                         TVJ = 125C                            VUB 120                              18         mJ
                                                                                VUB 160
                                                                                                                     16         mJ

                                                                                                                     24         mJ

                                                                                VUB 120                                      0.32 K/W
                                                                                VUB 160                                      0.21 K/W

                                                                                VUB 120                                      0.45 K/W
                                                                                VUB 160                                      0.30 K/W

                                         VR = VRRM,       TVJ = 25C                                                         0.75 mA

                                         VR = 0,8 VCES, TVJ = 125C                                                4          7 mA

          Fast Recovery Diode            IF = 30 A, TVJ = 25C                                                               2.55 V

                                         For power-loss calculations only                                                    1.65 V
                                         TVJ = 150C                                                                         18.2 mW

                                         IF = 30 A, -diF/dt = 240 A/ms, VR = 540 V                                   16 18 A

                                         IF = 1 A, -diF/dt = 100 A/ms, VR = 30 V                                     40 60 ns

                                                                                                                                1.2 K/W
                                                                                                                                1.6 K/W

          NTC                            Siemens S 891/2,2/+9                                                                   2.2 kW

2000 IXYS All rights reserved
                                                                                                                                       VUB 120

   300                                                                                RthKA  [K/W]        140
     W                                                                                                      A
                                                                                                0.1
   250                                                                                          0.3       120
Ptot                                                                                            0.5
                                                                                                0.7       100
   200                                                                                          1     Id(AV)M
                                                                                                1.5
   150                                                                                          3           80

   100                                                                                                      60

     50                                                                                                     40

                                                                                                            20

0                                                                                                            0
  0 20 40 60 80 100 120 A 0
                                                                       40      80         120 C 160            0  40             80           120 C 160
                          Id(AV)M
                                                                           TA                                                          TC

Fig. 1 Power dissipation versus direct output current and ambient temperature                         Fig. 2 Maximum forward current

         (Rectifier bridge)                                                                                        versus case temperature

                                                                                                                   (Rectifier bridge)

   200                           VGE = 13V               1.50              IC = 100A                   Eoff TVJ=125 C
          TVJ = 25C                 VGE = 11V          VCE(sat)           IC = 50A
                                                                           IC = 25A                   W tfi RG = 4.7
    A                                                    1.25
                      VGE = 15V                     norm.                                             norm.                               Eoff

   150                                                   1.00                                                          under evaluation
                                                                                                                                           tfi
IC

100

50                               VGE = 9V           0.75

0                                                              VGE = 15V

         0           2  4        6 V8                0.50                                                                                               A
                                                           -50 -25 0 25 50 75 100 125 1C50                                                   IC
                                         VCE                                         TVJ              Fig. 5
                                                                                                                   Turn-off energy per pulse and
Fig. 3 Output characteristics for                   Fig. 4 Temperature dependence of                               fall time in collector current,
         braking (IGBT)                                      output saturation voltage,                            normalized (IGBT)
                                                             normalized (IGBT)

              D=0.1                                                                                   1.3          TVJ=125 C

  200                                                                                                 Eoff         IC = 25A
                                                                                                       tfi
    A                                                                                                              norm. to 4.7W
                                                                                                      1.2
             D=0.2
                                                                                                      norm.                          Eoff
IC 150                                                                                                     1.1         under evaluation

             D=0.3                                                                                                                        tfi
                                                                                                      1.0
  100 D=0.4
             D=0.5
             D=0.7

   50

0 TK = 80C                                                                                  VUB 120  0.9

0.0001                  0.001                 0.01                0.1          1             s 10                                               W

                                                                                      tp                                          RG

Fig. 6 Collector current dependence on pulse width and duty cycle (IGBT)                              Fig.7 Turn-off energy per pulse and
                                                                                                               fall time on R (IGBT)

                                                                                                                                                     G

2000 IXYS All rights reserved                                                                                                                 3-4
                                                                                                                                                               VUB 120

  200                                                                                   50                                            6
  100                                                                                    A
                                                                                                                                    mC TVJ=100C
   A                                                                                    40
                                                                                     IF                                               5 VR= 540 V
IC
   10                                                                                   30                                      Qr                             max.

                                                                                        20                                          4
                                                                                                                                                    IF = 30 A

                                                                                                                                    3         IF = 60 A

                                                                                               TVJ=150C        TVJ=25C                      IF = 30 A

                                                                                                                                              IF = 15 A

    1                                                                                                                               2

                                                                                     10                                             1
                                                                                                                                                                              typ.
         TVJ=125C
                                                                                     0                                              0                          100 A/ms 1000
       W RG= 11

    0.1

         0  400           800      1200 V                                                   0  1             2        3V4               1     10

                          VCE                                                                                   VF                                         -diF/dt

Fig. 8 Reverse baised safe operation                                                 Fig. 9 Forward current versus              Fig. 10 Recovery charge versus

         area (IGBT)                                                                           voltage drop (Fast Diode)                      -diF/dt (Fast Diode)

   70                                                                      1.4       1.0                                            50     TVJ=100C
    V                                                                                                                                A
   60                                                                      ms        ms        TVJ=100C                                   VR= 540 V
VFR                                                                                                                                 40
   50                                                                      1.2                 VR= 540 V                        IRM             IF = 30 A
                                                                                                                                                IF = 60 A
   40                             VFR                                                0.8               max.                         30          IF = 30 A      max.
                          tFR                                                                                                                   IF = 15 A                   typ.
   30                                                                      1.0 trr                              IF = 30 A
                                                                                                                IF = 60 A
   20                                                                      0.8       0.6                        IF = 30 A
                                                                                                                IF = 15 A
                                                                           0.6
                                                                                     0.4                                            20

                                                                           0.4

                                   TVJ=125C 0.2                                     0.2                                            10

    10

                                   IF = 30A                                     tFR               typ.

    0                                                                      0.0       0.0                                            0

         0 100 200 300 400 A5/0m0s 600                                                   0 100 200 300 400 A5/0m0s 600                0 100 200 300 400 A5/0m0s 600

                          -diF/dt                                                                            -diF/dt                                            -diF/dt

Fig.11 Peak forward voltage and                                                      Fig.12 Recovery time versus -diF/dt        Fig.13 Peak reverse current versus
                                                                                               (Fast Diode)                              -di /dt (Fast Diode)
         recovery time versus -di /dt
                                                                        F                                                                              F

         (Fast Diode)

    1.4                                                                              1.8

    1.2                                                                              K1/.W6                                                                         Fast Diode
                                                                                ZthJK 1.4
    1.0                                                                                                                                                             per Rectifier
                                                                                     1.2                                                                            Diode
Kf          IRM
                                                                                     1.0
    0.8

    0.6                                                                              0.8
                      QR
                                                                                     0.6
    0.4
                                                                                                                                                                    IGBT
                                                                                     0.4

    0.2                                                                              0.2

    0.0                                                                              0.0                                                                                  VUB 120
        0
            40            80 120 C 160                                              0.001        0.01                     0.1             1               10        s              100

                          TVJ                                                                                                                                  t

Fig.14 Dynamic parameters versus                                                     Fig.15 Transient thermal impedance junction to heatsink ZthJK

         junction temperature (Fast Diode)

2000 IXYS All rights reserved                                                                                                                                                     4-4
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved