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VHF15-16IO5

器件型号:VHF15-16IO5
器件类别:配件   
厂商名称:IXYS ( Littelfuse )
厂商官网:http://www.ixys.com/
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器件描述

15 A, 1400 V, SCR

参数
VHF15-16IO5端子数量 6
VHF15-16IO5最大直流触发电流 65 mA
VHF15-16IO5无铅 Yes
VHF15-16IO5欧盟RoHS规范 Yes
VHF15-16IO5状态 ACTIVE
VHF15-16IO5包装形状 RECTANGULAR
VHF15-16IO5包装尺寸 FLANGE MOUNT
VHF15-16IO5端子形式 SOLDER LUG
VHF15-16IO5端子涂层 NICKEL
VHF15-16IO5端子位置 UPPER
VHF15-16IO5包装材料 UNSPECIFIED
VHF15-16IO5结构 BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE WITH BUILT-IN FREE-WHEELING DIODE
VHF15-16IO5壳体连接 ISOLATED
VHF15-16IO5元件数量 2
VHF15-16IO5有效最大电流 15 A
VHF15-16IO5断态重复峰值电压 1400 V
VHF15-16IO5反向重复峰值电压 1400 V
VHF15-16IO5触发装置类型 SCR

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VHF15-16IO5器件文档内容

Half Controlled                                                                                                               VHF 15
Single Phase Rectifier Bridge
                                                                                                        IdAVM = 21 A
with Freewheeling Diode                                                                                 VRRM = 800-1600 V

VRSM          VRRM        Type                                                          2                        1 23
VDSM          VDRM                                                  13                                                                6
                          VHF 15-08io5
  V             V         VHF 15-12io5                 6                                                4
                          VHF 15-14io5                 4
900           800        VHF 15-16io5                                                                                           8
1300          1200                                                                      8
1500          1400
1700          1600

Symbol        Test Conditions                                 Maximum Ratings                           Features
IdAV                                                                                                    q Package with DCB ceramic base
IdAVM x       TK = 85C, module                                                             15    A
IFRMS, ITRMS                                                                                      A       plate
I ,I          module                                                                        21    A     q Isolation voltage 3600 V~
                                                                                                  A     q Planar passivated chips
FSM TSM      per leg                                                                       15    A     q 1/4" fast-on terminals
                                                                                                  A     q UL registered E 72873
I2t           T      =  45C;       t = 10 ms (50 Hz), sine           190                         A     Applications
                 VJ                 t = 8.3 ms (60 Hz), sine          210                       A2s     q Supply for DC power equipment
(di/dt)cr                                                             170                       A2s     q DC motor control
              VR = 0 V                                                190                       A2s     Advantages
(dv/dt)cr                                                             160                       A2s     q Easy to mount with two screws
VRGM          TVJ = TVJM            t = 10 ms (50 Hz), sine           180                       A/ms    q Space and weight savings
PGM           VR = 0 V              t = 8.3 ms (60 Hz), sine          140                               q Improved temperature and power
                                                                      145                       A/ms
PGAVM         TVJ = 45C            t = 10 ms (50 Hz), sine           150                                 cycling
TVJ           VR = 0 V              t = 8.3 ms (60 Hz), sine                                    V/ms    Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
T                                                                     500
              TVJ = TVJM            t = 10 ms (50 Hz), sine                                       V                                              1-3
   VJM        V =0V                 t = 8.3 ms (60 Hz), sine         1000                        W
                                                                                                 W
Tstg             R                                                      10                       W
VISOL                                                                                            W
Md            TVJ = 125C           repetitive, IT = 50 A                                        C
Weight        f =50 Hz, tP =200 ms  non repetitive, IT = 1/2 IdAV                              C
              VD = 2/3 VDRM                                                                      C
              IG = 0.3 A,                                                                        V~
              diG/dt = 0.3 A/ms                                                                  V~
                                                                                                Nm
              TVJ = TVJM; VDR = 2/3 VDRM                                                        lb.in.
              RGK = ; method 1 (linear voltage rise)                                             g

              TVJ = TVJM            tp = 30 ms                        10
              IT = ITAVM            tp = 500 ms                      5
                                    tp = 10 ms                       1

                                                                          0.5

                                                              -40...+125
                                                                      125

                                                              -40...+125

              50/60 Hz, RMS         t = 1 min                         3000
              IISOL 1 mA          t=1s                              3600

              Mounting torque       (M5)                             2-2.5
                                    (10-32 UNF)                      18-22

                                                                         50

Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.
x for resistive load
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

2000 IXYS All rights reserved
                                                                                                                         VHF 15

Symbol  Test Conditions                                     Characteristic Values     10
I ,I                                                                                   V
        V =V ;V =V                         T =T               5 mA                VG        1: IGT, TVJ = 125C
RD     R          RRM D          DRM      VJ        VJM                                     2: IGT, TVJ = 25C
                                           TVJ = 25C       0.3 mA                         3: IGT, TVJ = -40C
V ,V
   TF   I,  I   =  45  A;  T      =  25C                   2.8 V
                              VJ
VT0      T   F
rT
VGT     For power-loss calculations only (TVJ = 125C)         1.0 V
I                                                              40 mW
                                                                                                            2     3
GT
        VD = 6 V;                          TVJ = 25C       1.0 V                1               1                            6
VGD     V = 6 V;                                             1.2 V
IGD                                        TVJ = -40C       65 mA                                                          5
IL         D                                         25C    80 mA                                                      4
                                           T      =          50 mA
IH                                            VJ
t                                          TVJ = -40C
                                                     125C
gd                                        T      =
                                              VJ
tq
Qr      TVJ = TVJM;                        VD = 2/3 VDRM    0.2 V                                                      4: PGAV = 0.5 W
RthJC   TVJ = TVJM;                        VD = 2/3 VDRM
RthJK                                                         5 mA                       IGD, TVJ = 125C               5: PGM = 1 W
                                                                                                                         6: PGM = 10 W
dS                                                                                 0.1
dA      IG = 0.3 A; tG = 30 ms; TVJ = 25C                   150 mA
a                                                            200 mA                      1  10                   100 1000 mA
                                                             100 mA
        diG/dt = 0.3 A/ms;                 TVJ = -40C                                                                   IG
                                           TVJ = 125C
                                                                                   Fig. 1 Gate trigger range

        TVJ = 25C; VD = 6 V; RGK =                         100 mA

        T      =  25C;  V     =  1/2  V                      2 ms                1000                                      TVJ = 25C
           VJ               D             DRM
        IG = 0.3 A; diG/dt = 0.3 A/ms                                                 s
                                                                                   tgd
        TVJ = 125C, IT = 15 A, tP = 300 ms, VR = 100 V     typ. 150 ms                      typ.                 Limit
        di/dt = -10 A/ms, dv/dt = 20 V/ms, VD = 2/3 VDRM               75 mC         100

        per thyristor (diode); DC current                              2.4 K/W
        per module                                                     0.6 K/W
        per thyristor (diode); DC current                              3.0 K/W
        per module                                                   0.75 K/W

        Creepage distance on surface                           12.6 mm             10
        Creepage distance in air                                6.3 mm
        Max. allowable acceleration                              50 m/s2

                                                                                   1

                                                                                   10                             100           mA 1000

                                                                                                                         IG

                                                                                   Fig. 2 Gate controlled delay time tgd

                                                                                                                                          750

2000 IXYS All rights reserved                                                                                                 2-3
                                                                                        VHF 15

Fig. 3 Surge overload current per chip  Fig. 4 I2t versus time (1-10 ms)       Fig. 5 Max. forward current at
        IFSM: Crest value, t: duration           per chip                               heatsink temperature

Fig. 6 Power dissipation versus direct output current and ambient temperature

                                                                               Constants for Z calculation:
                                                                                                                  thJK

                                                                               i  R (K/W) t (s)
                                                                                  thi   i

                                                                               1  0.34  0.0344
                                                                                        0.12
                                                                               2  1.16  0.5

                                                                               3  1.5

Fig. 7 Transient thermal impedance junction to heatsink per chip                                                       3-3
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