datasheet

电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

UTT80N08L-TA3-T

器件型号:UTT80N08L-TA3-T
厂商名称:UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
厂商官网:http://www.unisonic.com.tw/
下载文档

器件描述

UTT80N08L-TA3-T器件文档内容

        UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTT80N08                            Preliminary                             Power MOSFET

80A, 80V N-CHANNEL
POWER MOSFET

DESCRIPTION

      The UTC UTT80N08 is an N-channel MOSFET using UTC
advanced technology. It can be used in applications, such as power
supply (secondary synchronous rectification), industrial and primary
switch etc.

FEATURES

* Trench FET Power MOSFETS Technology

SYMBOL

                            2.Drain

1.Gate

                   3.Source

ORDERING INFORMATION

                   Ordering Number                Package             Pin Assignment  Packing

        Lead Free                  Halogen Free   TO-220              1  2  3          Tube
                                                 TO-220F1                              Tube
UTT80N08L-TA3-T              UTT80N08G-TA3-T                          G  D  S

UTT80N08L-TF1-T              UTT80N08G-TF1-T                          G  D  S

Note: G: GND, D: Drain, S: Source

www.unisonic.com.tw                                                                          1 of 3
Copyright 2013 Unisonic Technologies Co., Ltd
                                                                                      QW-R502-468.b
UTT80N08                            Preliminary                                         Power MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ= 25 C, unless otherwise specified)

                   PARAMETER                 SYMBOL              RATINGS                                UNIT

Gate Source Voltage                          VGS                              20                       V

Continuous Drain Current                     ID                               80                        A

Pulsed Drain Current                         IDM                              320                       A

Avalanche Energy, Single Pulse               EAS                              320                       mJ

Power Dissipation         TO-220             PD                               137                       W

                          TO-220F1                                            70                        W

Junction Temperature                         TJ                  +150                                   C

Storage Temperature                          TSTG                -55 ~ +150                             C

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

L=0.1mH, IAS=80A, VDD=25V, RG=20, Starting TJ =25C.

THERMAL DATA

                   PARAMETER                 SYMBOL              RATINGS                                UNIT
                                                 JA                 62.5                                C/W
Junction to Ambient       TO-220/ TO-220F1                          0.91
                                                 JC                 1.77                                C/W
Junction to Case          TO-220
                          TO-220F1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ =25C, unless otherwise specified)

           PARAMETER                SYMBOL                   TEST CONDITIONS       MIN  TYP       MAX   UNIT

OFF CHARACTERISTICS                                                                     0.01        1     V
                                                                                         1       100   A
Drain-Source Breakdown Voltage      BVDSS    ID=250A, VGS=0V                       80              4.0   nA
                                                                                        4700
Drain-Source Leakage Current        IDSS     VDS=80V, VGS=0V                            1260       12     V
Gate-Source Leakage Current                                                             580              m
ON CHARACTERISTICS                  IGSS     VDS=0V, VGS=20V                            25        37
                                                                                         69       116    pF
Gate Threshold Voltage              VGS(TH) VDS=VGS, ID=250A                      2.1  144       180    pF
                                                                                         26              pF
Static Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) VGS=10V, ID=80A                          50        80
                                                                                         61       320    nC
DYNAMIC PARAMETERS                                                                       30        1.3   nC
                                                                                                         nC
Input Capacitance                   CISS                                                 0.9             ns
                                                                                                         ns
Output Capacitance                  COSS     VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz                                   ns
                                                                                                         ns
Reverse Transfer Capacitance        CRSS
                                                                                                          A
SWITCHING PARAMETERS
                                                                                                          V
Gate to Source Charge               QGS

Gate to Drain Charge                QGD      VDD=60V, VGS=0~10V, ID=80A

Total Gate Charge                   QG

Turn-ON Delay Time                  tD(ON)

Rise Time                             tR     VDD=40V, RG=2.2
Turn-OFF Delay Time                 tD(OFF)  ID=80A, VGS=10V

Fall-Time                           tF

SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

Maximum Body-Diode Continuous       IS

Current

Pulsed Current                      ISM

Drain-Source Diode Forward Voltage  VSD      ISD=80A

Note: 1. Defined by design. Not subject to production test.

2. Qualified at -20V and +20V.

           UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                2 of 3

           www.unisonic.com.tw                                                                    QW-R502-468.b
UTT80N08  Preliminary           Power MOSFET

UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where
malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information
presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate
and reliable and may be changed without notice.

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD         3 of 3

www.unisonic.com.tw             QW-R502-468.b
This datasheet has been downloaded from:
            datasheet.eeworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved