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UPA2738GR-E2-AT

器件型号:UPA2738GR-E2-AT
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厂商名称:RENESAS [Renesas Technology Corp]
厂商官网:http://www.renesas.com
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器件描述

UPA2738GR-E2-AT器件文档内容

                                                                                       Data Sheet

PA2738GR                                                                               R07DS0870EJ0100
                                                                                                     Rev.1.00
P-channel MOSFET
30 V, 10 A, 15 m                                                                             Aug 28, 2012

Description

The  PA2738GR is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converter and power management
applications of portable equipment.

Features                                                                               Power SOP8

VDSS = -30 V (TA = 25C)
Low on-state resistance

     RDS(on) = 15 m MAX. (VGS = -10 V, ID = -10 A)
4.5 V Gate-drive available
Small and surface mount package (Power SOP8)
Pb-free and Halogen free

Ordering Information

                    Part No.             LEAD PLATING        PACKING                         Package
PA2738GR-E1-AT                          Pure Sn        Tape 2500 p/reel  Power SOP8
PA2738GR-E2-AT                                                           0.08 g TYP.

Absolute Maximum Ratings (TA = 25C)

                           Item                 Symbol                      Ratings                   Unit
                                         VDSS                                  -30                     V
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)      VGSS                                  m20                     V
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)       ID(DC)                                m10                     A
Drain Current (DC)                       ID(pulse)                            m100                     A
Drain Current (pulse) 1                  PT1                                   1.1                     W
Total Power Dissipation 2                PT2                                                           W
Total Power Dissipation (PW = 10 sec) 2  Tch                                   2.5                     C
                                         Tstg                                                          C
Channel Temperature                      IAS                                   150                     A
                                         EAS                              -55 to +150                 mJ
Storage Temperature
Single Avalanche Current 3                                                      10
Single Avalanche Energy 3
                                                                                10

Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance 2  Rth(ch-A)      114  C/W

Notes: 1. PW  10 s, Duty Cycle  1%
          2. Mounted on a glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
         3. Starting Tch = 25C, VDD = -15 V, RG = 25 , VGS = -20  0 V, L = 100 H

R07DS0870EJ0100 Rev.1.00                                                                              Page 1 of 6
Aug 28, 2012
PA2738GR

Electrical Characteristics (TA = 25C)

                    Item                      Symbol    MIN.  TYP.  MAX.                      Unit         Test Conditions
Zero Gate Voltage Drain Current              IDSS                    -1                       A    VDS = -30 V, VGS = 0 V
Gate Leakage Current                         IGSS      -1.0   12                              nA   VGS = m20 V, VDS = 0 V
Gate Cut-off Voltage                         VGS(off)    4    19   m100                       V    VDS = -10 V, ID = -1 mA
Forward Transfer Admittance 1                | yfs |         1450  -2.5                       S    VDS = -10 V, ID = -5.0 A
Drain to Source On-state                     RDS(on)1        710                             m     VGS = -10 V, ID = -10 A
Resistance 1                                 RDS(on)2        650     15                      m     VGS = -4.5 V, ID = -10 A
                                              Ciss             14     29                       pF   VDS = -10 V,
Input Capacitance                            Coss             30                              pF   VGS = 0 V,
Output Capacitance                           Crss             60                              pF   f = 1 MHz
Reverse Transfer Capacitance                 td(on)           50                              ns   VDD = -15 V, ID = -5.0 A,
Turn-on Delay Time                           tr               37                              ns   VGS = -10 V,
Rise Time                                    td(off)          2.5                             ns   RG = 10
Turn-off Delay Time                          tf               20                              ns
Fall Time                                    QG              0.86                             nC   VDD = -24 V,
Total Gate Charge                            QGS              47                              nC   VGS = -10 V,
Gate to Source Charge                        QGD              43                              nC   ID = -10 A
Gate to Drain Charge                         VF(S-D)                                          V    IF = 10 A, VGS = 0 V
Body Diode Forward Voltage 1                 trr                                              ns   IF = 10 A, VGS = 0 V,
Reverse Recovery Time                        Qrr                                              nC   di/dt = 100 A/s
Reverse Recovery Charge
Note: 1. Pulsed

TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY                           TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME

                    D.U.T.

                RG = 25                       L                                  D.U.T.

                                                                           RG            RL              VGS(-)
                                                            PG.                          VDD
                                              VDD                                             VGS                             VGS         90%
                                                        VGS(-)
        PG.         50                                   0                                    Wave Form     10%
                                                                                                         0
VGS = -20  0 V                                              = 1 s
                                                           Duty Cycle  1%
     -              IAS BVDSS                                                                              VDS(-)                               90%
                                                                                                                    90%
                                         VDS                                                                                  10% 10%
                ID                                                                                         VDS
                                                                                              VDS
        VDD                                                                                   Wave Form 0                     tr td(off)        tf

                                                                                                                td(on)

                                                                                                                         ton              toff

                            Starting Tch

TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE

                D.U.T.

        IG = -2 mA             RL

PG.     50                     VDD

R07DS0870EJ0100 Rev.1.00                                                                                                           Page 2 of 6
Aug 28, 2012
PA2738GR                                                                                                                                                           FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C)dT - Percentage of Rated Power - %                                                                                              -1000                             100 ms      30 ms         10 ms
                                                                                                                                                                    -100       ID(pulse) = 100 A
                 DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS SAFE                                                                                                                 -10
                 OPERATING AREA                                                                                                         ID - Drain Current - A                 ID(DC) = 10 A                                   PW
              140                                                                                                                                                                                                              1 ms = 100  s
              120
              100                                                                                                                                                      -1         DS(on)=Lim1ite0d  V)               DC
               80                                                                                                                                                   -0.1          (VGS                      Power Dissipation
               60                                                                                                                                                  -0.01       R
               40                                                                                                                                                                                       epoxy board of
               20                                                                                                                                                              Single Pulse                                    Limited
                 0                                                                                                                                                             TA = 25C
                                                                                                                                                                               Mounted on glass
                    0 25 50 75 100 125 150 175
                                                                                                                                                                               25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
                               TA - Ambient Temperature - C
                                                                                                                                                                   -0.01 -0.1                           -1                     -10            -100

                                                                                                                                                                               VDS - Drain to Source Voltage V

                                          rth(t) - Transient Thermal Resistance - C/W  1000  TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
                                                                                         100                                                                           Rth(ch-A) = 114C/W

                                                                                        10

                                                                                        1

                                                                                        0.1 Rth(ch-A)Mounted on glass epoxy board of

                                                                                              25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt

                                                                                              Single pulse

                                                                                        0.01

                                                                                        100   1m                           10 m  100 m                          1          10     100                        1000

                                                                                                                                 PW - Pulse Width - s

                                              DRAIN CURRENT vs.                                                                                                    FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
                                              DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

                                    -100                                                                                                                           -100

ID - Drain Current - A              -80                                                                                                 ID - Drain Current - A     -10 TA = 150C
                                                       VGS = 10 V
                                                                                                                                                                                  75C
                                    -60
                                                                                                                                                                   -1             25C

                                                                                                                                                                                  55C

                                    -40                                                                                                                            -0.1

                                                                                  4.5 V                                                                           -0.01                                         Pulsed
                                    -20                                                                                                                                                                          VDS = 10 V

                                                                                     Pulsed                                                                        -0.001
                                    -0

                                          -0                                            -0.5  -1                           -1.5                                            -0     -1                         -2                -3             -4

                                                                                        VDS - Drain to Source Voltage - V                                                      VGS - Gate to Source Voltage - V

R07DS0870EJ0100 Rev.1.00                                                                                                                                                                                                                Page 3 of 6
Aug 28, 2012
VGS(off) Gate to Source Cut-off Voltage - VPA2738GR                                                    | yfs | - Forward Transfer Admittance - S            FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs. DRAIN
                                                                                                                                                              CURRENT
                                                             GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
                                                             CHANNEL TEMPERATURE                                                                            100
                                                        -3

                                                                                                                                                                      TA = 150C

                                                                                                                                                                          75C

                                                       -2                                                                                                   10            25C

                                                                                                                                                                          55C

                                                       -1                            Pulsed                                                                   1                                Pulsed
                                                                                     VDS = 10 V                                                                                               VDS = 10 V
                                                       -0                            ID = 1 mA                                                             0.1
                                                         -50                                                                                                   -0.01
                                                                 0               50          100  150                                                                         -0.1             -1              -10

                                                              Tch - Channel Temperature - C                                                                                  ID - Drain Current - A

                                                     DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.                                                                DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
                                                     DRAIN CURRENT                                                                                          GATE TO SOURCE VOLTAGE
                                                   40
RDS(on) - Drain to Source On-state Resistance - m                                                        RDS(on) - Drain to Source On-state Resistance - m  30
                                                              Pulsed
                                                                                                                                                                                                   Pulsed
                                                   30
                                                                                                                                                            25                                     ID = 10 A
                                                                 VGS = 4.5 V
                                                   20                                                                                                       20

                                                                                                                                                            15

                                                                                                                                                            10

                                                   10                     10 V

                                                                                                                                                            5

                                                       0                                                                                                    0
                                                          -1
                                                                          -10        -100         -1000                                                         -0        -5             -10       -15         -20

                                                                          ID - Drain Current - A                                                                          VGS - Gate to Source Voltage - V

                                                       DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.                                                              CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
                                                       CHANNEL TEMPERATURE

RDS(on) - Drain to Source On-state Resistance - m  30                                                                                                       10000
                                                              Pulsed
                                                              ID = 10 A       VGS = 4.5 V              Ciss, Coss, Crss - Capacitance - pF

                                                   20                                                                                                                                              Ciss

                                                                                                                                                            1000                                         Coss

                                                   10                          VGS = 10 V                                                                                               Crss

                                                                                                                                                                          VGS = 0 V
                                                                                                                                                                          f = 1 MHz

                                                   0                                                                                                        100
                                                     -50
                                                              0                50            100  150                                                               -0.1             -1        -10             -100

                                                              Tch - Channel Temperature - C                                                                              VDS - Drain to Source Voltage - V

                                             R07DS0870EJ0100 Rev.1.00                                                                                                                                 Page 4 of 6
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PA2738GR

     DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS                                                                                                SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
                                                                                                                                      1000
-25                                          -10

-20          VDD = 24 V
        VDS          12 V
                      6V
-15VDS - Drain to Source Voltage - V         -8
                                                                                        VGS - Gate to Source Voltage - V
                                    VGS                                                                                               100  VGS = 10 V
                                                                                                      IF - Diode Forward Current - A
                                             -6

-10                                          -4                                                                                            4.5 V

                                                                                                                                      10                0V

-5                           ID = 10 A      -2

-0                                           -0                                                                                                                                         Pulsed
                                                                                                                                      1
     0       10  20          30          40
                                                                                                                                         0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
             QG - Gate Charge - nC
                                                                                                                                                 VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V

R07DS0870EJ0100 Rev.1.00                                                                                                                                Page 5 of 6
Aug 28, 2012
PA2738GR

Package Drawings (Unit: mm)

Power SOP8

                                         8             5

                                                                    1, 2, 3 : Source

                                                                    4  : Gate

                                                                    5, 6, 7, 8 : Drain

                                         1             4               6.0 0.3

                              1.44          5.37 MAX.                  4.4              0.8

                    1.8 MAX.                              +0.10
                                                             0.05

                                                          0.15         0.5 0.2

                              0.05 MIN.     1.27 0.78 MAX.                              0.10

                                            0.40  +0.10   0.12 M
                                                  0.05

Equivalent Circuit

                                            Gate                    Drain

                                                                               Body
                                                                               Diode

                                                                                          Source

Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and
               ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static
               electricity as much as possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.

R07DS0870EJ0100 Rev.1.00                                                                      Page 6 of 6
Aug 28, 2012
Revision History                                 PA2738GR Data Sheet

Rev.       Date     Page                        Description
1.00  Aug 28, 2012                                      Summary

                    -     First Edition Issued

All trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
                                                                             C-1
                                                        Notice

1. Descriptions of circuits, software and other related information in this document are provided only to illustrate the operation of semiconductor products and application examples. You are fully responsible for
      the incorporation of these circuits, software, and information in the design of your equipment. Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or third parties arising from the
      use of these circuits, software, or information.

2. Renesas Electronics has used reasonable care in preparing the information included in this document, but Renesas Electronics does not warrant that such information is error free. Renesas Electronics
      assumes no liability whatsoever for any damages incurred by you resulting from errors in or omissions from the information included herein.

3. Renesas Electronics does not assume any liability for infringement of patents, copyrights, or other intellectual property rights of third parties by or arising from the use of Renesas Electronics products or
      technical information described in this document. No license, express, implied or otherwise, is granted hereby under any patents, copyrights or other intellectual property rights of Renesas Electronics or
      others.

4. You should not alter, modify, copy, or otherwise misappropriate any Renesas Electronics product, whether in whole or in part. Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or
      third parties arising from such alteration, modification, copy or otherwise misappropriation of Renesas Electronics product.

5. Renesas Electronics products are classified according to the following two quality grades: "Standard" and "High Quality". The recommended applications for each Renesas Electronics product depends on
      the product's quality grade, as indicated below.
      "Standard": Computers; office equipment; communications equipment; test and measurement equipment; audio and visual equipment; home electronic appliances; machine tools; personal electronic
      equipment; and industrial robots etc.
      "High Quality": Transportation equipment (automobiles, trains, ships, etc.); traffic control systems; anti-disaster systems; anti-crime systems; and safety equipment etc.
      Renesas Electronics products are neither intended nor authorized for use in products or systems that may pose a direct threat to human life or bodily injury (artificial life support devices or systems, surgical
      implantations etc.), or may cause serious property damages (nuclear reactor control systems, military equipment etc.). You must check the quality grade of each Renesas Electronics product before using it
      in a particular application. You may not use any Renesas Electronics product for any application for which it is not intended. Renesas Electronics shall not be in any way liable for any damages or losses
      incurred by you or third parties arising from the use of any Renesas Electronics product for which the product is not intended by Renesas Electronics.

6. You should use the Renesas Electronics products described in this document within the range specified by Renesas Electronics, especially with respect to the maximum rating, operating supply voltage
      range, movement power voltage range, heat radiation characteristics, installation and other product characteristics. Renesas Electronics shall have no liability for malfunctions or damages arising out of the
      use of Renesas Electronics products beyond such specified ranges.

7. Although Renesas Electronics endeavors to improve the quality and reliability of its products, semiconductor products have specific characteristics such as the occurrence of failure at a certain rate and
      malfunctions under certain use conditions. Further, Renesas Electronics products are not subject to radiation resistance design. Please be sure to implement safety measures to guard them against the
      possibility of physical injury, and injury or damage caused by fire in the event of the failure of a Renesas Electronics product, such as safety design for hardware and software including but not limited to
      redundancy, fire control and malfunction prevention, appropriate treatment for aging degradation or any other appropriate measures. Because the evaluation of microcomputer software alone is very difficult,
      please evaluate the safety of the final products or systems manufactured by you.

8. Please contact a Renesas Electronics sales office for details as to environmental matters such as the environmental compatibility of each Renesas Electronics product. Please use Renesas Electronics
      products in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances, including without limitation, the EU RoHS Directive. Renesas Electronics assumes
      no liability for damages or losses occurring as a result of your noncompliance with applicable laws and regulations.

9. Renesas Electronics products and technology may not be used for or incorporated into any products or systems whose manufacture, use, or sale is prohibited under any applicable domestic or foreign laws or
      regulations. You should not use Renesas Electronics products or technology described in this document for any purpose relating to military applications or use by the military, including but not limited to the
      development of weapons of mass destruction. When exporting the Renesas Electronics products or technology described in this document, you should comply with the applicable export control laws and
      regulations and follow the procedures required by such laws and regulations.

10. It is the responsibility of the buyer or distributor of Renesas Electronics products, who distributes, disposes of, or otherwise places the product with a third party, to notify such third party in advance of the
      contents and conditions set forth in this document, Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or third parties as a result of unauthorized use of Renesas Electronics
      products.

11. This document may not be reproduced or duplicated in any form, in whole or in part, without prior written consent of Renesas Electronics.
12. Please contact a Renesas Electronics sales office if you have any questions regarding the information contained in this document or Renesas Electronics products, or if you have any other inquiries.
(Note 1) "Renesas Electronics" as used in this document means Renesas Electronics Corporation and also includes its majority-owned subsidiaries.
(Note 2) "Renesas Electronics product(s)" means any product developed or manufactured by or for Renesas Electronics.

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