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TSSF4500

器件型号:TSSF4500
器件类别:光电子产品    红外线数据通信   
厂商名称:Vishay
厂商官网:http://www.vishay.com/
标准:
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器件描述

Infrared Emitters 22 Degree 35mW 870nm Side View

参数

产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Vishay
产品种类:
Product Category:
Infrared Emitters
RoHS:YES
Wavelength:870 nm
Radiant Intensity:200 mW/sr
Beam Angle:22 deg
If - Forward Current:100 mA
Vf - Forward Voltage:1.6 V
功率额定值:
Power Rating:
170 mW
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 40 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 100 C
封装:
Packaging:
Bulk
高度:
Height:
4.8 mm
Illumination Color:Infrared
长度:
Length:
4.5 mm
宽度:
Width:
4 mm
商标:
Brand:
Vishay Semiconductors
Lens Shape:Circular
安装风格:
Mounting Style:
Through Hole
Viewing Angle:22 deg
Fall Time:30 ns
Lens Dimensions:1.75 mm x 1.75 mm x 2.3 mm
Rise Time:30 ns
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
4000
Vr - Reverse Voltage:5 V

TSSF4500器件文档内容

                                                                                                                           TSSF4500

                    www.vishay.com                                                                      Vishay Semiconductors

                          High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm,

                                        GaAlAs Double Hetero

                                                                            FEATURES

                                                                            • Package type: leaded

                                                                            • Package form: side view

                                                                            • Dimensions (L x W x H in mm): 4.5 x 4 x 4.8

                                                                            • Peak wavelength: λp = 890 nm

                                                                            • High reliability

                                                                            • High radiant power

                                                                            • High radiant intensity

                                                                            • Angle of half intensity: ϕ = ± 22°

                                                                            • Low forward voltage

                                                                            • Suitable for high pulse current operation

                                        94 8688                             • High modulation bandwidth: fc = 12 MHz

                                                                            • Good spectral matching with Si photodetectors

                                                                            • Compliant      to  RoHS     Directive  2002/95/EC           and  in

DESCRIPTION                                                                 accordance to WEEE 2002/96/EC

                                                                            Note

TSSF4500 is an infrared, 890 nm emitting diode in GaAlAs                    ** Please see document “Vishay Material Category Policy”:

double hetero (DH) technology with high radiant power and                   www.vishay.com/doc?99902

high speed, molded in a clear, untinted plastic package.                    APPLICATIONS

                                                                            • Infrared  high     speed  remote    control  and  free      air  data

                                                                            transmission systems with high modulation frequencies or

                                                                            high data transmission rate requirements

                                                                            • TSSF4500 is ideal for the design of transmission systems

                                                                            according to IrDA requirements and for carrier frequency

                                                                            based systems (e.g. ASK/FSK - coded, 450 kHz or 1.3

                                                                            MHz)

   PRODUCT SUMMARY

   COMPONENT                    Ie (mW/sr)                         ϕ (deg)                       λp (nm)                   tr (ns)

   TSSF4500                         20                             ± 22                          890                            30

Note

•  Test conditions see table “Basic Characteristics”

   ORDERING INFORMATION

   ORDERING CODE                        PACKAGING                                 REMARKS                            PACKAGE FORM

   TSSF4500                                           Bulk               MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk                      Side view

Note

•  MOQ: minimum order quantity

   ABSOLUTE MAXIMUM             RATINGS (Tamb = 25 °C, unless               otherwise specified)

   PARAMETER                                TEST CONDITION                        SYMBOL                  VALUE                 UNIT

   Reverse voltage                                                                      VR                5                           V

   Forward current                                                                      IF                100                         mA

   Peak forward current                 tp/T = 0.5, tp = 100 μs                         IFM               200                         mA

   Surge forward current                              tp = 100 μs                 IFSM                    1.5                         A

   Power dissipation                                                                    PV                160                         mW

Rev. 1.7, 24-Aug-11                                                1                                                 Document Number: 81040

                                For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com

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                                           www.vishay.com                                                                                          Vishay Semiconductors

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless                                                       otherwise specified)

PARAMETER                                                             TEST CONDITION                 SYMBOL                                        VALUE                    UNIT

Junction temperature                                                                                                            Tj                     100                  °C

Operating temperature range                                                                                Tamb                                    - 40 to + 100            °C

Storage temperature range                                                                                                       Tstg               - 40 to + 100            °C

Soldering temperature                                                 t ≤ 5 s, 2 mm from case                                   Tsd                    260                  °C

Thermal resistance junction/ambient                                   Leads not soldered                 RthJA                                         450                  K/W

                                   250                                                                                          125

      PV - Power Dissipation (mW)  200                                                               IF - Forward Current (mA)  100

                                   150                                                                                          75

                                                               RthJA                                                                                        RthJA

                                   100                                                                                          50

                                   50                                                                                           25

                                   0                                                                                                 0

                                        0     20           40  60     80       100                                                      0      20  40       60     80       100

      94 8029                              T  amb  - Ambient Temperature (°C)                            94 7916                           Tamb - Ambient Temperature (°C)

Fig.  1 - Power                            Dissipation Limit vs. Ambient Temperature                 Fig. 2 - Forward Current Limit vs. Ambient Temperature

BASIC CHARACTERISTICS                                          (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER                                                             TEST CONDITION                 SYMBOL                                MIN.    TYP.            MAX.          UNIT

Forward voltage                                                       IF = 100 mA, tp = 20 ms        VF                                            1.35            1.6            V

                                                                      IF = 1.5 A, tp = 100 μs        VF                                                2.4                        V

Temperature coefficient of VF                                                  IF = 1 mA             TKVF                                          - 1.8                         mV/K

Reverse current                                                                VR = 5 V              IR                                                            10             μA

Junction capacitance                                                  VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0     Cj                                                160                        pF

Radiant intensity                                                     IF = 100 mA, tp = 20 ms        Ie                                    10          20          50            mW/sr

                                                                      IF = 1 A, tp = 100 μs          Ie                                                200                       mW/sr

Radiant power                                                         IF = 100 mA, tp = 20 ms        φe                                                35                        mW

Temperature coefficient                            of  φe                      IF = 100 mA           TKφe                                          - 0.7                         %/K

Angle of half intensity                                                                              ϕ                                             ± 22                           deg

Peak wavelength                                                                IF = 100 mA           λp                                                890                        nm

Spectral bandwidth                                                             IF = 100 mA           Δλ                                                40                         nm

Temperature coefficient                            of  λp                      IF = 100 mA           TKλp                                              0.2                       nm/K

Rise time                                                                      IF = 100 mA           tr                                                30                         ns

Fall time                                                                      IF = 100 mA           tf                                                30                         ns

Cut-off frequency                                                     IDC = 70 mA, IAC = 30 mA pp    fc                                                12                        MHz

Virtual source diameter                                                                              d                                                 2.1                        mm

Rev. 1.7, 24-Aug-11                                                                               2                                                               Document Number: 81040

                                                               For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com

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                                              ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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                                                    www.vishay.com                                                                                         Vishay          Semiconductors

BASIC CHARACTERISTICS (Tamb =                                                      25 °C,    unless  otherwise  specified)

                                       104                                                                                                                      0°         10°  20°

                                                                                                                                                                                         30°

      IF - Forward Current (mA)        103                                                                      Relative Radiant Intensity                                                    - Angular Displacement

                                                                                                                                                                                         40°

                                                                                                                                            1.0

                                       102                                                                                                  0.9                                          50°

                                                                                                                                            0.8                                          60°

                                       101                                                                      rel -                                                                    70°  ϕ

                                                                                                                                            0.7

                                                                                                                Ie                                                                       80°

                                       100                                                                                                       0.6  0.4  0.2  0

                                             0      1            2           3     4                            94 8883

                                 94    8880         VF -     Forward Voltage (V)

                                       Fig. 3    -  Forward  Current vs. Forward   Voltage                      Fig. 6 - Relative Radiant                       Intensity  vs.  Angular  Displacement

                                       1000

      Ie - Radiant Intensity (mW/sr)   100

                                       10

                                                                      tp = 0.1 ms

                                       1

                                       0.1

                                             1               10       100          1000

      21440                                         IF - Forward Current (mA)

                                       Fig. 4    -  Radiant Intensity vs. Forward Current

                                       1.25

      Φe rel - Relative Radiant Power  1.0

                                       0.75

                                       0.5

                                       0.25

                                       0

                                             800                 900               1000

      20082                                                  λ - Wavelength  (nm)

                                       Fig. 5 -   Relative  Radiant Power    vs. Wavelength

Rev.  1.7, 24-Aug-11                                                                                 3                                                                     Document Number: 81040

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                                                                      4 ± 0.15

                                     4.5 ± 0.15                       1.7 ± 0.15

                 (2.4)                                                            R 1.75 (sphere)

                                                            < 0.7

- 0.5                                            4.8 ± 0.3                                    Area not plane

18.4                                                                  0.6 ± 0.15

                          C          A

                                        0.45  +  0.2                              0.4 + 0.15

                                              -  0.1

                                                                                                              technical drawings

                                        2.54 nom.                                                             according to DIN

                                                                                                              specifications

       Drawing-No.: 6.544-5253.01-4

       Issue:1; 01.07.96

       96 12206

Rev. 1.7, 24-Aug-11                                                4                                          Document Number: 81040

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