datasheet

电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索

TSHG6400

器件型号:TSHG6400
器件类别:光电子    红外线数据通信   
文件大小:1003.74KB,共6页
厂商名称:Vishay
厂商官网:http://www.vishay.com/
标准:
下载文档

器件描述

infrared emitters high speed emitter 5V 50mw 850nm 22 deg

参数

Manufacturer: Vishay
Product Category: Infrared Emitters
RoHS: Yes
Wavelength: 850 nm
Radiant Intensity: 700 mW/sr
Brand: Vishay Semiconductors
Beam Angle: 22 deg
Maximum Forward Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: + 85 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Package / Case: T-1 3/4
Packaging: Bulk
Fall Time: 13 ns
Forward Current: 100 mA
Forward Voltage: 1.5 V
Illumination Color: Infrared
Lens Shape: Circular
Mounting Style: Through Hole
Power Rating: 250 mW
Rise Time: 20 ns
Factory Pack Quantity: 4000
Viewing Angle: 22 deg

TSHG6400器件文档内容

           www.vishay.com                                                                                                                      TSHG6400

                                                                                                                                   Vishay Semiconductors

                     High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm,
                                    GaAlAs Double Hetero

                                                                                                          94 8389          FEATURES
                                                                                                                            Package type: leaded
DESCRIPTION                                                                                                                Package form: T-1
TSHG6400 is an infrared, 850 nm emitting diode in GaAlAs                                                                   Dimensions (in mm): 5
double hetero (DH) technology with high radiant power and                                                                   Peak wavelength: p = 850 nm
high speed, molded in a clear, untinted plastic package.                                                                   High reliability
                                                                                                                            High radiant power
                                                                                                                            High radiant intensity
                                                                                                                            Angle of half intensity:  = 22
                                                                                                                            Low forward voltage
                                                                                                                            Suitable for high pulse current operation
                                                                                                                            High modulation bandwidth: fc = 18 MHz
                                                                                                                            Good spectral matching with CMOS cameras
                                                                                                                            Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

                                                                                                                             accordance to WEEE 2002/96/EC

                                                                                                                           Note

                                                                                                                           ** Please see document "Vishay Material Category Policy":

                                                                                                                               www.vishay.com/doc?99902

                                                                                                                           APPLICATIONS
                                                                                                                            Infrared radiation source for operation with CMOS

                                                                                                                             cameras (illumination).
                                                                                                                            High speed IR data transmission.

PRODUCT SUMMARY

COMPONENT            Ie (mW/sr)                                                                                     (deg)          p (nm)                  tr (ns)
TSHG6400                  70                                                                                        22             850                     20

Note
Test conditions see table "Basic Characteristics"

  ORDERING INFORMATION               PACKAGING                                                                                     REMARKS                 PACKAGE FORM
                                           Bulk                                                                       MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk                 T-1
  ORDERING CODE
  TSHG6400

Note
MOQ: minimum order quantity

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 C, unless otherwise specified)

PARAMETER                            TEST CONDITION                                                                        SYMBOL                   VALUE  UNIT
                                                                                                                                                             V
Reverse voltage                             tp/T = 0.5, tp = 100 s                                                          VR            5                 mA
Forward current                                     tp = 100 s                                                               IF          100                mA
Peak forward current                                                                                                        IFM          200                 A
Surge forward current                      t  5 s, 2 mm from case                                                          IFSM
Power dissipation                    J-STD-051, leads 7 mm soldered                                                         PV            1                mW
Junction temperature                                                                                                         Tj          180                C
Operating temperature range                           on PCB                                                               Tamb          100                C
Storage temperature range                                                                                                  Tstg    - 40 to + 85             C
Soldering temperature                                                                                                       Tsd    - 40 to + 100            C
                                                                                                                                         260
Thermal resistance junction/ambient                                                                                        RthJA                           K/W
                                                                                                                                         230

Rev. 1.2, 23-Aug-11                                                                                                1                                       Document Number: 84636

                     For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
                          ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
            www.vishay.com                                                                                                                                      TSHG6400

                                                                                                                                                    Vishay Semiconductors

200                                                                                                                                      120

180

PV - Power Dissipation (mW)160                                                                                                           100
                                                                                                              IF - Forward Current (mA)
140                                                                                                                                      80
                                                                                                                                                          RthJA = 230 K/W
120                  RthJA = 230 K/W
                                                                                                                                         60
100

80

60                                                                                                                                       40

40                                                                                                                                       20

20

       0    10 20 30 40 50 60 70 80 90 100                                     0                                                              10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
         0     Tamb - Ambient Temperature (C)                                    0                                                             Tamb - Ambient Temperature (C)

21142                                                                  21143

Fig. 1 - Power Dissipation Limit vs. Ambient Temperature           Fig. 2 - Forward Current Limit vs. Ambient Temperature

BASIC CHARACTERISTICS (Tamb = 25 C, unless otherwise specified)

PARAMETER                             TEST CONDITION               SYMBOL                                                                     MIN.  TYP.                   MAX.  UNIT
                                                                                                                                                     1.5                    1.8     V
Forward voltage                       IF = 100 mA, tp = 20 ms       VF                                                                               2.3                            V
Temperature coefficient of VF           IF = 1 A, tp = 100 s        VF                                                                              - 1.8                    10
                                               IF = 1 mA           TKVF                                                                                                     135  mV/K
                                                                                                                                                     125                           A
Reverse current                       VR = 5 V                     IR                                                                                 70                           pF
Junction capacitance                                                                                                                                 700
                                      VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0   Cj                                                                                 50                         mW/sr
Radiant intensity                                                                                                                                   - 0.35                       mW/sr
                                      IF = 100 mA, tp = 20 ms      Ie                                                                         45    22
Radiant power                                                                                                                                        850                          mW
Temperature coefficient of e          IF = 1 A, tp = 100 s         Ie                                                                                 40                          %/K
Angle of half intensity                                                                                                                              0.25                         deg
                                      IF = 100 mA, tp = 20 ms      e                                                                                  20                           nm
                                                                                                                                                      13                           nm
                                      IF = 100 mA                  TKe                                                                                18                         nm/K
                                                                                                                                                     3.7                           ns
                                                                                                                                                                                   ns
                                                                                                                                                                                  MHz
Peak wavelength                       IF = 100 mA                   p                                                                                                             mm
Spectral bandwidth                    IF = 100 mA                  
Temperature coefficient of p          IF = 100 mA                  TKp
Rise time                             IF = 100 mA                    tr
Fall time                             IF = 100 mA                    tf

Cut-off frequency                     IDC = 70 mA, IAC = 30 mA pp  fc
Virtual source diameter
                                                                   d

Rev. 1.2, 23-Aug-11                                            2                                                                                                           Document Number: 84636

                                      For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
                          ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
                   www.vishay.com                                                                                                                              TSHG6400
BASIC CHARACTERISTICS (Tamb = 25 C, unless otherwise specified)
                                                                                                                                                   Vishay Semiconductors

                                                    tp/T = 0.01 Tamb < 50 C                                                                1000
                                                                 0.02
                                1000                                  0.05

IF - Forward Current (mA)                                                       0.1                    e - Radiant Power (mW)               100

                                                                                                                                            10

                                                            0.2                                                                             1
                                                            0.5

                                100                                                                                                         0.1
                                                                                                                                                1
                                       0.01  0.1    1       10                             100                                                          10       100          1000

                                16031        tp - Pulse Duration (ms)                                  16971                                       IF - Forward Current (mA)

Fig. 3 - Pulse Forward Current vs. Pulse Duration                                                                                           Fig. 6 - Radiant Power vs. Forward Current

                                1000                                                                                                        1.25
                                                                                                                                             1.0
IF - Forward Current (mA)                                                                              e, rel - Relative Radiant Power
                                100                                                                                                         0.75

                                                                             tp = 100 s                                                     0.5
                                                                             tp/T = 0.001                                                   0.25
                                 10

                                1                                                                                0                                 800      850       900

                                       0     1      2       3                                    4     16972

18873                                        VF - Forward Voltage (V)                                                                              - Wavelength (nm)

                                Fig. 4 - Forward Current vs. Forward Voltage                                                            Fig. 7 - Relative Radiant Power vs. Wavelength

                                1000                                                                                                                        0 10 20
                                                                                                                                                                                               30

Ie - Radiant Intensity (mW/sr)  100                                                                    Ie rel - Relative Radiant Intensity                                                                          40   - Angular Displacement
                                                                                                                                            1.0

                                10                                                                                                          0.9                                         50

                                                                                                                                            0.8                                         60

                                1                                                                                                                                                                                   70
                                                                                                                                            0.7

                                                                                                                                                                                                                    80

      0.1                                       10     100                                 1000        94 8883 0.6 0.4 0.2                                  0
          1
                                             IF - Forward Current (mA)
18220

                                Fig. 5 - Radiant Intensity vs. Forward Current                         Fig. 8 - Relative Radiant Intensity vs. Angular Displacement

Rev. 1.2, 23-Aug-11                                                                                 3                                                            Document Number: 84636

                                                       For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
                          ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
                   www.vishay.com                                                                      TSHG6400
PACKAGE DIMENSIONS in millimeters
                                                                                           Vishay Semiconductors

                                 A       C

34.3 0.55                                 (3.5)                                  R 2.49 (sphere)
          8.7 0.3                                           5.8 0.15
                     7.7 0.15
                                                      < 0.7

                                         0.6  +  0.2                           Area not plane
                                              -  0.1                           5 0.15

                                                      1 min.

                                                                              0.5  + 0.15                 technical drawings
                                                                                   - 0.05                 according to DIN
                                                                                                          specifications

                     0.5         + 0.15
                                 - 0.05

                                         2.54 nom.

Drawing-No.: 6.544-5259.06-4

Issue: 6; 19.05.09

19257

Rev. 1.2, 23-Aug-11                                                        4                              Document Number: 84636

                                         For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
                          ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
www.vishay.com                   Legal Disclaimer Notice

                                                               Vishay

                     Disclaimer

ALL PRODUCT, PRODUCT SPECIFICATIONS AND DATA ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE TO IMPROVE
RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE.

Vishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively,
"Vishay"), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other
disclosure relating to any product.

Vishay makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or
the continuing production of any product. To the maximum extent permitted by applicable law, Vishay disclaims (i) any and all
liability arising out of the application or use of any product, (ii) any and all liability, including without limitation special,
consequential or incidental damages, and (iii) any and all implied warranties, including warranties of fitness for particular
purpose, non-infringement and merchantability.

Statements regarding the suitability of products for certain types of applications are based on Vishay's knowledge of typical
requirements that are often placed on Vishay products in generic applications. Such statements are not binding statements
about the suitability of products for a particular application. It is the customer's responsibility to validate that a particular
product with the properties described in the product specification is suitable for use in a particular application. Parameters
provided in datasheets and/or specifications may vary in different applications and performance may vary over time. All
operating parameters, including typical parameters, must be validated for each customer application by the customer's
technical experts. Product specifications do not expand or otherwise modify Vishay's terms and conditions of purchase,
including but not limited to the warranty expressed therein.

Except as expressly indicated in writing, Vishay products are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining
applications or for any other application in which the failure of the Vishay product could result in personal injury or death.
Customers using or selling Vishay products not expressly indicated for use in such applications do so at their own risk. Please
contact authorized Vishay personnel to obtain written terms and conditions regarding products designed for such applications.

No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted by this document or by
any conduct of Vishay. Product names and markings noted herein may be trademarks of their respective owners.

                              Material Category Policy

Vishay Intertechnology, Inc. hereby certifies that all its products that are identified as RoHS-Compliant fulfill the
definitions and restrictions defined under Directive 2011/65/EU of The European Parliament and of the Council
of June 8, 2011 on the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment
(EEE) - recast, unless otherwise specified as non-compliant.

Please note that some Vishay documentation may still make reference to RoHS Directive 2002/95/EC. We confirm that
all the products identified as being compliant to Directive 2002/95/EC conform to Directive 2011/65/EU.

Vishay Intertechnology, Inc. hereby certifies that all its products that are identified as Halogen-Free follow Halogen-Free
requirements as per JEDEC JS709A standards. Please note that some Vishay documentation may still make reference
to the IEC 61249-2-21 definition. We confirm that all the products identified as being compliant to IEC 61249-2-21
conform to JEDEC JS709A standards.

Revision: 02-Oct-12  1           Document Number: 91000
Mouser Electronics

Authorized Distributor

Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information:

Vishay:

  TSHG6400
This datasheet has been downloaded from:
            datasheet.eeworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

小广播

TSHG6400器件购买:

该厂商的其它器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved