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TN0106N3-P003

器件型号:TN0106N3-P003
器件类别:半导体    分离式半导体   
文件大小:4567.63KB,共5页
厂商名称:Supertex
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器件描述

mosfet 小信号 60v 3ohm

参数

制造商: Supertex
产品种类: MOSFET 小信号
RoHS:
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 3 Ohms
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 2 A
功率耗散: 1 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
最小工作温度: - 55 C

TN0106N3-P003器件文档内容

                                                                                                                                 TN0106

                                                  N-Channel Enhancement-Mode
                                                  Vertical DMOS FET

Features                                                                                 General Description

Low threshold - 2.0V max.                                                               This low threshold, enhancement-mode (normally-off)
High input impedance                                                                    transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex's
Low input capacitance - 50pF typical                                                    well-proven, silicon-gate manufacturing process. This
Fast switching speeds                                                                   combination produces a device with the power handling
Low on-resistance                                                                       capabilities of bipolar transistors and the high input
Free from secondary breakdown                                                           impedance and positive temperature coefficient inherent
Low input and output leakage                                                            in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this
Complementary N- and P-channel devices                                                  device is free from thermal runaway and thermally-induced
                                                                                         secondary breakdown.
Applications
                                                                                         Supertex's vertical DMOS FETs are ideally suited to a
Logic level interfaces ideal for TTL and CMOS                                         wide range of switching and amplifying applications where
Solid state relays                                                                      very low threshold voltage, high breakdown voltage, high
Battery operated systems                                                                input impedance, low input capacitance, and fast switching
Photo voltaic drives                                                                    speeds are desired.
Analog switches
General purpose line drivers
Telecom switches

Ordering Information

Device                   Package Option           BVDSS/BVDGS                            RDS(ON)             ID(ON)              VGS(th)
                                TO-92
                                                          (V)                             (max)              (min)               (max)
TN0106                   TN0106N3-G                                                         ()                (A)                  (V)
                                                         60
                                                                                           3.0                2.0                  2.0

-G indicates package is RoHS compliant (`Green')

                                                                                         Pin Configurations

Absolute Maximum Ratings                                                                                     SOURCE

Parameter                                         Value                                           DRAIN

Drain-to-source voltage                           BVDSS                                                                    GATE
Drain-to-gate voltage                             BVDGS
Gate-to-source voltage                            20V                                                    TO-92 (N3)

Operating and storage temperature -55OC to +150OC                                        Product Marking

Soldering temperature*                            300OC                                  T N YY = Year Sealed

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device              0 1 0 6 WW = Week Sealed
may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous        YYWW
operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All                      = "Green" Packaging
voltages are referenced to device ground.

* Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.                                                             TO-92 (N3)

                                                1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089  Tel: 408-222-8888  www.supertex.com
                                                                                                                                   TN0106

Thermal Characteristics

         Package                     ID              ID                 Power Dissipation         jc             ja    IDR         IDRM

                               (continuous)       (pulsed)                      @TC = 25OC      (OC/W)         (OC/W)  (mA)        (A)
                                     (mA)            (A)                             (W)

         TO-92                         350                 2.0             1.0                  125            170     350         2.0

Notes:
    ID (continuous) is limited by max rated Tj .

Electrical Characteristics (TA = 25OC unless otherwise specified)

Sym Parameter                                                           Min Typ Max Units Conditions

BVDSS Drain-to-source breakdown voltage                                 60 -      -             V VGS = 0V, ID = 1.0mA

VGS(th) Gate threshold voltage                                          0.6 -     2.0           V VGS = VDS, ID= 0.5mA

VGS(th) Change in VGS(th) with temperature                              -  -3.2 -5.0 mV/OC VGS = VDS, ID= 1.0mA

IGSS Gate body leakage                                                  -  -      100           nA VGS = 20V, VDS = 0V

                                                                        -  -      10                    VGS = 0V, VDS = Max Rating

IDSS Zero Gate voltage drain current                                    -  -      500           A VDS = 0.8 Max Rating,
                                                                                                        VGS = 0V,TA = 125C

ID(ON) On-state drain current                                           0.75 1.4  -             A       VGS = 5.0V, VDS = 25V

                                                                        2.0 3.4   -                     VGS = 10V, VDS = 25V

RDS(ON) Static drain-to-source on-state resistance                      - 2.0 4.5                       VGS = 4.5V, ID = 250mA
                                                                        - 1.6 3.0
                                                                                                        VGS = 10V, ID = 500mA

RDS(ON) Change in RDS(ON) with temperature                              -  0.6 1.1 %/OC VGS = 10V, ID = 500mA

GFS Forward transductance                                               225 400   - mmho VDS = 25V, ID = 500mA

CISS     Input capacitance                                              - 50 60                         VGS = 0V,
COSS     Common source output capacitance
CRSS     Reverse transfer capacitance                                   -  25 35                pF VDS = 25V,

                                                                        - 4.0 8.0                       f = 1.0MHz

td(ON)   Turn-on delay time                                             - 2.0 5.0
  tr     Rise time
         Turn-off delay time                                            -  3.0 5.0                      VDD = 25V,
td(OFF)  Fall time                                                      -  6.0 7.0              ns ID = 1.0A,
  tf
                                                                        - 3.0 6.0                       RGEN = 25

VSD Diode forward voltage drop                                             1.0 1.5              V VGS = 0V, ISD = 500mA

trr      Reverse recovery time                                          - 400 -                 ns VGS = 0V, ISD = 500mA

Notes:

1. All D.C. parameters 100% tested at 25OC unless otherwise stated. (Pulse test: 300s pulse, 2% duty cycle.)
2. All A.C. parameters sample tested.

Switching Waveforms and Test Circuit                                                                           VDD
                                                                                                                   RL
                  10V                             90%                                                                      OUTPUT
                                                     t(OFF)
         INPUT                                                                 PULSE                                    D.U.T.
                       0V 10%                                              GENERATOR

                               t(ON)                                                   RGEN

                               td(ON)  tr         td(OFF)    tF                          INPUT

                       VDD     10%                                 10%
                                    90%                      90%
         OUTPUT
                        0V

                                        1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089  Tel: 408-222-8888  www.supertex.com
                                                                                  2
                                                                                                                                                                                TN0106

Typical Performance Curves                                                                                                        Saturation Characteristics

                                          Output Characteristics                                                    5

                                 5

               4                                                                                                    4
                                                               VGS = 10V
                                                                                                                                                                 VGS = 10V
ID (amperes)   3                                                                   ID (amperes)                     3
                                                                       8V
                                                                                                                                                                            8V
               2                                                  6V
                                                                                                                    2
                                                                                                                                                                            6V

               1                                                  4V                                                1                                            4V

               0                                                  2V                                                0                                            2V

                    0    10           20   30                     40          50                                         0        2         4           6     8                 10

                                      VDS (volts)                                                                                           VDS (volts)

                        Transconductance vs. Drain Current                                                                Power Dissipation vs. Case Temperature

               0.5                                                                                                  2.0
                                                                  TA = -55C
GFS (siemens)                                                                      PD (watts)                              TO-92
               0.4                                                                                                  1.0
                                                                   TA = 25C

               0.3
                                                                  TA = 150C

               0.2

               0.1
                                                                  VDS = 25V

               0                                                                                                    0

                    0    .6           1.2  1.8                    2.4         3.0                                        0   25         50     75          100 125 150

                                 ID (amperes)                                                                                                  TC (C)

                      Maximum Rated Safe Operating Area                                                                       Thermal Response Characteristics

               10                                                                                                   1.0

                                                        TC = 25C                  Thermal Resistance (normalized)

                                                                                                                    0.8

ID (amperes)          TO-92 (pulsed)
               1.0

                                                                                                                    0.6

                     TO-92 (DC)                                                                                     0.4
               0.1
                                                                                                                    0.2
                                                                                                                                                             TO-92
                                                                                                                      0
                                                                                                                      0.001                                TC = 25C
                                                                                                                                                            PD = 1W

               0.01              10                100                       1000                                                 0.01         0.1         1                    10
                      1

                                      VDS (volts)                                                                                       tp (seconds)

                                            1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089  Tel: 408-222-8888  www.supertex.com
                                                                                      3
                                                                                                                                                                           TN0106

Typical Performance Curves (cont.)                                                                                     On-Resistance vs. Drain Current

                              BVDSS Variation with Temperature                                                5.0

                         1.3

                                                                                                                               VGS = 5V               VGS = 10V

                    1.2                                                                                       4.0

BVDSS (normalized)  1.1                                                                 RDS(ON) (ohms)        3.0

                    1.0                                                                                       2.0

                    0.9                                                                                       1.0

                    0.8                                                                                       0
                        -50
                                0             50          100                      150                             0   1.0              2.0      3.0  4.0             5.0

                                              Tj (OC)                                                                          ID (amperes)

                                     Transfer Characteristics                                                         V(th) and RDS Variation with Temperature

                    3.0                                                                                       1.4                                                          1.4

                                VDS = 25V         TA = -55OC                                                  1.2           V(th)@ 0.5mA                                   1.2
                    2.4

ID (amperes)                                                                25OC        VGS(th) (normalized)  1.0                            RDS(ON) @ 10V, 0.5A 1.0            RDS(ON) (normalized)
                    1.8

                                                                          150OC

                    1.2                                                                                       0.8                                                          0.8

                    0.6                                                                                       0.6                                                          0.6

                    0                                                                                         0.4                                                          0.4
                                                                                                                  -50                                                 150
                         0   2             4           6       8                   10                                       0                50       100

                                           VGS (volts)                                                                                       Tj (OC)

                          Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage                                                     Gate Drive Dynamic Characteristics

                    100                                                                                       10
                                                                            f = 1MHz
                                                                                                                         VDS = 10V
                    75                                                                                        8

C (picofarads)                                                               CISS       VGS (volts)                                             55pF
                    50
                                                                                                                                                                 40V
                                                                                                              6

                                                                                                              4

                                                               COSS

                    25                                                                                        2

                     0                                         CRSS                                                               50pF
                         0                                                                                    0

                                10            20          30                       40                              0   1.0              2.0      3.0  4.0             5.0

                                           VDS (volts)                                                                         QG (nanocoulombs)

                                                   1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089  Tel: 408-222-8888  www.supertex.com
                                                                                             4
                                                                                                                              TN0106

3-Lead TO-92 Package Outline (N3)

                                                                  D

                        Seating Plane        123                                                                     A

                                                                                  L                      c

                                                             b                                  Side View
                                               e1

                                                  e

                                          Front View

                              E1                                                       E
                                    1                                             3

                                                 2

                                          Bottom View

       Symbol           A              b     c                                       D    E               E1      e     e1    L
                                                                                                                .095
                   MIN  .170           .014  .014                                 .175    .125            .080          .045  .500
                                                                                                                  -
Dimensions     NOM      -              -     -                                       -    -               -     .105    -     -
  (inches)

                   MAX  .210           .022  .022                                 .205    .165            .105          .055  .610*

JEDEC Registration TO-92.
* This dimension is not specified in the original JEDEC drawing. The value listed is for reference only.
This dimension is a non-JEDEC dimension.
Drawings not to scale.
Supertex Doc.#: DSPD-3TO92N3, Version D080408.

(The package drawing(s) in this data sheet may not reflect the most current specifications. For the latest package outline
information go to http://www.supertex.com/packaging.html.)

Supertex inc. does not recommend the use of its products in life support applications, and will not knowingly sell them for use in such applications unless it receives an
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Doc.# DSFP-TN0106                                                                                                          1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
A091208                                                                                                                                                       Tel: 408-222-8888

                                                                                                                                                            www.supertex.com

                                                                                  5
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