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TIP126

器件型号:TIP126
器件类别:晶体管
文件大小:251.64KB,共0页
厂商名称:MOTOROLA [Motorola, Inc]
厂商官网:http://www.freescale.com/
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器件描述

5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-

5 A, 80 V, NPN, , 功率晶体管, TO-

参数

TIP126端子数量 3
TIP126晶体管极性 NPN
TIP126最大集电极电流 5 A
TIP126最大集电极发射极电压 80 V
TIP126加工封装描述 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
TIP126状态 ACTIVE
TIP126包装形状 RECTANGULAR
TIP126包装尺寸 FLANGE MOUNT
TIP126端子形式 THROUGH-HOLE
TIP126端子位置 SINGLE
TIP126包装材料 PLASTIC/EPOXY
TIP126结构 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
TIP126壳体连接 COLLECTOR
TIP126元件数量 1
TIP126晶体管元件材料 SILICON
TIP126最大环境功耗 2 W
TIP126晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
TIP126最小直流放大倍数 1000

文档预览

TIP126器件文档内容

MOTOROLA                                                                                             Order this document
                                                                                                                 by TIP120/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Plastic Medium-Power                                                                                           NPN
Complementary Silicon Transistors
                                                                                                        TIP120*
. . . designed for generalpurpose amplifier and lowspeed switching applications.                      TIP121*
                                                                                                        TIP122*
High DC Current Gain --                                                                               TIPPN1P25*
                                                                                                        TIP126*
        hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc                                                                 TIP127*
CollectorEmitter Sustaining Voltage -- @ 100 mAdc
                                                                                                               *Motorola Preferred Device
        VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) -- TIP120, TIP125
        VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) -- TIP121, TIP126                                                            DARLINGTON
        VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) -- TIP122, TIP127                                                              5 AMPERE
Low CollectorEmitter Saturation Voltage --
                                                                                                     COMPLEMENTARY SILICON
            VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc                                                     POWER TRANSISTORS
            VCE(sat) = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc                                                        60 80 100 VOLTS
                                                                                                                 65 WATTS
Monolithic Construction with BuiltIn BaseEmitter Shunt Resistors
    TO220AB Compact Package                                                                                  CASE 221A06
*MAXIMUM RATINGS                                                                          TO220AB
Rating
                                                      TIP120, TIP121, TIP122,
                                       Symbol TIP125 TIP126 TIP127
CollectorEmitter Voltage                                             Unit
CollectorBase VoltageVCEO               60      80             100   Vdc
                                                                                               Vdc
        EmitterBase Voltage           VCB                        60      80             100   Vdc
                                                                                               Adc
Collector Current -- ContinuousVEB               5.0
Peak                                                                 mAdc
                                       IC                                 5.0                 Watts
Base Current                                     8.0                 W/_C
                                                                                              Watts
Total Power Dissipation @ TC = 25_CIB            120                 W/_C

Total Power Dissipation @ TA = 25_CPD            65                   mJ
                                                                                                _C
Derate above 25_C                                                         0.52
Derate above 25_C                                                    Unit
                                       PD                                  2.0                _C/W
                                                                          0.016               _C/W
Unclamped Inductive Load Energy (1)
Operating and Storage Junction,E                 50
           Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICSTJ, Tstg
                                                                           65 to + 150

Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
                                                                  Symbol         Max
Thermal Resistance, Junction to Ambient
                                                                  RJC            1.92

(1) IC = 1 A, L = 100 mH, P.R.F. = 10 Hz, VCC = 20 V, RBE = 100 .RJA62.5

                               TA TC
                               4.0 80

PD, POWER DISSIPATION (WATTS)  3.0 60     TC
                               2.0 40  TA
                               1.0 20

                       00
                               0 20 40 60 80 100 120 140 160
                                                         T, TEMPERATURE (C)

                                            Figure 1. Power Derating

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
REV 2

MMoototorroollaa, IBncip. 1o9la95r Power Transistor Device Data                                     1
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS                                                              Symbol    Min                Max  Unit
CollectorEmitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
                                                                        TIP120, TIP125                  VCEO(sus)                                              Vdc
                                                                        TIP121, TIP126                                          60
                                                                        TIP122, TIP127                                          80               --
                                                                                                                               100               --
                                                                                                                                                 --
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)               TIP120, TIP125                              ICEO                                      mAdc
                                                                        TIP121, TIP126                                                  --
           (VCE = 40 Vdc, IB = 0)                                       TIP122, TIP127                                                  --       0.5
                                                                                                                                        --       0.5
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)               TIP120, TIP125                                                           0.5
Collector Cutoff Current             TIP121, TIP126
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)               TIP122, TIP127                              ICBO                                      mAdc
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)                                                                               --
                                                                                                                                        --       0.2
           (VCB = 100 Vdc, IE = 0)                                                                                                      --       0.2
                                                                                                                                                 0.2
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)                                                          IEBO      --                 2.0  mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 0.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc)

           (IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
                                                                                                                       hFE                                      --
                                                                                                                    VCE(sat)                     --
                                                                                                                    VBE(on)                      --
CollectorEmitter Saturation Voltage                                                       1000
(IC = 3.0 Adc, IB = 12 mAdc)                                                               1000
(IC = 5.0 Adc, IB = 20 mAdc)
                                                                                                                               --                              Vdc
                                                                                                                               --                2.0
                                                                                                                               --                4.0
BaseEmitter On Voltage
           (IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)                                                                                                         2.5  Vdc

DYNAMIC CHARACTERISTICS                                                          hfe       4.0                --   --
SmallSignal Current Gain
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz
v v (1) Pulse Test: Pulse Width 300s, Duty Cycle 2%.
                                                                        TIP125, TIP126, TIP127                      Cob                                         pF
                                                                        TIP120, TIP121, TIP122                                         --        300
                                                                                                                                       --        200

                                                                                              5.0

RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS  VCC                                          3.0   ts                                PNP
                                                 30 V                                                                               NPN

D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:                                                            2.0

1N5825 USED ABOVE IB  100 mA             RC                             SCOPE                 1.0                             tf
MSD6100 USED BELOW IB  100 mA       TUT

  V2                           RB                                              t, TIME ( s)  0.7
approx                                                                                        0.5

+ 8.0 V

   0                      51   D1    8.0 k  120                                               0.3

  V1                                                                                           0.2 VCC = 30 V                                    tr
approx                                                                                                 IC/IB = 250
12 V              25 s             + 4.0 V
                                                                                               0.1 IB1 = IB2
tr, tf  10 ns             for td and tr, D1 is disconnected                                   0.07 TJ = 25C                  td @ VBE(off) = 0
DUTY CYCLE = 1.0%         and V2 = 0
                          For NPN test circuit reverse all polarities.                        0.05

                                                                                              0.1   0.2 0.3              0.5 0.7 1.0        2.0 3.0   5.0 7.0 10

                                                                                                                    IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

         Figure 2. Switching Times Test Circuit                                                                     Figure 3. Switching Times

2                                                                                                   Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
                                                                                                      TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127

r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE     1.0
   (NORMALIZED)                        0.7 D = 0.5
                                       0.5

                                       0.3
                                               0.2

                                       0.2

                                               0.1                                                                         ZJC(t) = r(t) RJC           P(pk)
                                       0.1
                                                                                                                           RJC = 1.92C/W MAX
                                       0.07 0.05                                                                           D CURVES APPLY FOR POWER

                                       0.05                                                                                PULSE TRAIN SHOWN                    t1
                                               0.02                                                                                                                 t2
                                                                                                                           READ TIME AT t1
                                       0.03                                                                                TJ(pk) TC = P(pk) ZJC(t)       DUTY CYCLE, D = t1/t2

                                       0.02 0.01

                                                      SINGLE PULSE

                                       0.01

                                           0.01 0.02  0.05 0.1 0.2                      0.5 1.0 2.0                        5.0 10 20                   50 100 200                 500 1.0 k

                                                                                                      t, TIME (ms)

                                                                                              Figure 4. Thermal Response

                                  20

                                  10                                                          100 s     There are two limitations on the power handling ability of a

IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)       5.0                                      500 s                     transistor: average junction temperature and second break-

                                   2.0               TJ = 150C            dc                         down. Safe operating area curves indicate IC VCE limits of
                                   1.0                                                                the transistor that must be observed for reliable operation,
                                   0.5               BONDING WIRE LIMITED
                                                                                                      i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
                                   0.2               THERMALLY LIMITED           1 ms
                                   0.1                                                                tion than the curves indicate.
                                  0.05               @ TC = 25C (SINGLE PULSE)         5 ms            The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is

                                  0.02               SECOND BREAKDOWN LIMITED                         variable depending on conditions. Second breakdown pulse
                                      1.0
                                                     CURVES APPLY BELOW                               limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
                                                                                                      < 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
                                                     RATED VCEO                                       At high case temperatures, thermal limitations will reduce the

                                                                        TIP120, TIP125                power that can be handled to values less than the limitations

                                                                        TIP121, TIP126                imposed by second breakdown

                                                                        TIP122, TIP127

                                             2.0 3.0 5.0 7.0 10                20 30 50       70 100

                                             VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)

                                           Figure 5. ActiveRegion Safe Operating Area

h fe , SMALLSIGNAL CURRENT GAIN10,000                                                                                     300
                                                                                                                                                                                        TJ = 25C
                                  5000
                                  3000                                                                                     200
                                  2000
                                                    TC = 25C                                         C, CAPACITANCE (pF)                                                    Cob
                                  1000              VCE = 4.0 Vdc                                                          100
                                                    IC = 3.0 Adc
                                   500                                                                                     70                          Cib
                                   300                 PNP
                                   200                 NPN                                                                 50         PNP                                                          50 100
                                                                                                                                      NPN
                                   100       2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000                                             30
                                                                f, FREQUENCY (kHz)                                           0.1 0.2  0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
                                    50                                                                                                   VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
                                    30         Figure 6. SmallSignal Current Gain                                                        Figure 7. Capacitance
                                    20

                                    10
                                      1.0

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data                                                                                                                                                      3
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127

                                                                        NPN                                                                                                               PNP
                                                           TIP120, TIP121, TIP122                                                                                            TIP125, TIP126, TIP127

20,000                                                                                                                          20,000
10,000
                                                                                        VCE = 4.0 V                                                                                                         VCE = 4.0 V

hFE, DC CURRENT GAIN                    5000 TJ = 150C                                                     hFE, DC CURRENT GAIN10,000                      TJ = 150C
                                                                                                                                  7000                                 25C
                                        3000                                                                                      5000

                                        2000               25C                                                                   3000
                                                                                                                                  2000

                                        1000                55C                                                                                   1000

                                         500                                                                                                        700      55C
                                         300
                                         200                                                                                                        500

                                             0.1                                                                                                    300

                                                  0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10                                                            200     0.2 0.3 0.5 0.7 1.0                      2.0 3.0  5.0 7.0 10
                                                                                                                                                       0.1

                                                           IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)                                                                                 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

                                                                                           Figure 8. DC Current Gain

VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)  3.0                                                                 VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)  3.0

                                                                                           TJ = 25C                                                                                                          TJ = 25C

                                        2.6       IC = 2.0 A 4.0 A         6.0 A                                                                    2.6     IC = 2.0 A 4.0 A                         6.0 A

                                        2.2                                                                                                         2.2

                                        1.8                                                                                                         1.8

                                        1.4                                                                                                         1.4

                                        1.0       0.5 0.7 1.0       2.0 3.0 5.0 7.0 10               20 30                                          1.0                         2.0 3.0 5.0 7.0 10                       20 30
                                           0.3                                                                                                        0.3 0.5 0.7 1.0

                                                                 IB, BASE CURRENT (mA)                                                                                       IB, BASE CURRENT (mA)

                                                                                  Figure 9. Collector Saturation Region

                                        3.0                                                                                                         3.0

                                                TJ = 25C                                                                                                   TJ = 25C
                                        2.5                                                                                                         2.5

V, VOLTAGE (VOLTS)                      2.0                                                                 V, VOLTAGE (VOLTS)                      2.0

                                        1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250                                                                                  1.5 VBE @ VCE = 4.0 V

                                                        VBE @ VCE = 4.0 V                                                                           1.0 VBE(sat) @ IC/IB = 250

                                        1.0
                                                VCE(sat) @ IC/IB = 250

                                        0.5                                                                                                         0.5                      VCE(sat) @ IC/IB = 250
                                           0.1                                                                                                        0.1
                                                  0.2 0.3 0.5 0.7 1.0             2.0 3.0  5.0 7.0 10                                                       0.2 0.3 0.5 0.7 1.0                      2.0 3.0  5.0 7.0 10

                                                           IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)                                                                                 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

                                                                                           Figure 10. "On" Voltages

4                                                                                                                                                           Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
                                                            TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127

                                               PACKAGE DIMENSIONS

                                                            T  SEATING  NOTES:
                                                                 PLANE     1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
                                                                                Y14.5M, 1982.
            B                  F                         C                 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
                                      T           S                        3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
          4                                                                     BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
          1 23                                                                  ALLOWED.

   Q                           A                                                      INCHES     MILLIMETERS
H                                              U
                                                                          DIM MIN MAX             MIN MAX
    Z                          K                                           A 0.570 0.620         14.48 15.75
                                                                           B 0.380 0.405          9.66 10.28
       L                                          R                        C 0.160 0.190          4.07 4.82
                                                                           D 0.025 0.035          0.64 0.88
       V                                          J                        F 0.142 0.147          3.61 3.73
                                                                           G 0.095 0.105          2.42 2.66
          G                                                                H 0.110 0.155          2.80 3.93
                            D                                              J 0.018 0.025          0.46 0.64
                                                                           K 0.500 0.562         12.70 14.27
                  N                                                        L 0.045 0.060          1.15 1.52
                                                                           N 0.190 0.210          4.83 5.33
                                                                           Q 0.100 0.120          2.54 3.04
                                                                           R 0.080 0.110          2.04 2.79
                                                                           S 0.045 0.055          1.15 1.39
                                                                           T 0.235 0.255          5.97 6.47
                                                                           U 0.000 0.050          0.00 1.27
                                                                           V 0.045             1.15
                                                                           Z 0.080
                                                                                                    2.04

                                                                          STYLE 1:    BASE
                                                                             PIN 1.   COLLECTOR
                                                                                  2.  EMITTER
                                                                                  3.  COLLECTOR
                                                                                  4.

                                                     CASE 221A06
                                                        TO220AB
                                                         ISSUE Y

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data                                                                        5
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127

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6                                                       Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
                                    
                                                             *TIP120/TDIP12*0/D
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