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TIP101

器件型号:TIP101
厂商名称:COMSET
厂商官网:http://comset.halfin.com/
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器件描述

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

TIP101器件文档内容

                SEMICONDUCTORS

    NPN TIP100-101-102

             SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

    NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220
    enveloppe. They are designed for general purpose amplifier and low-speed switching
    applications.
    PNP complements are TIP105-106-107
    Compliance to RoHS.

    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol                                  Ratings                   Value                       Unit

VCBO            Collector-Base Voltage                 TIP100        60                         V
                                                       TIP101        80                         V
VCEO            Collector-Emitter Voltage              TIP102       100                         V
                                                       TIP100        60                         A
VEBO            Emitter-Base Voltage                   TIP101        80                         A
                                                       TIP102       100                         A
IC              Collector Current                      TIP100        5
                                                       TIP101                                 Watts
ICM             Collector Peak Current                 TIP102        8
                                                       TIP100                                   C
IB              Base Current                           TIP101        15
                                                       TIP102
                                           @ Tc < 25  TIP100        1
                                                       TIP101
PT              Power Dissipation                      TIP102        80
                                                       TIP100
                                           @ Ta < 25  TIP101        2
                                                       TIP102
TJ              Junction Temperature                   TIP100       150
                                                       TIP101
Ts              Storage Temperature range              TIP102  -65 to +150
                                                       TIP100
                                                       TIP101
                                                       TIP102
                                                       TIP100
                                                       TIP101
                                                       TIP102
                                                       TIP100
                                                       TIP101
                                                       TIP102

    04/10/2012                     COMSET SEMICONDUCTORS                                      1|3
            SEMICONDUCTORS

NPN TIP100-101-102

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol                                Ratings                    Value     Unit

RthJ-case   From junction-case                                    1.56     C/W
RthJ-amb    From junction-ambient                                 62.5     C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25C unless otherwise noted

Symbol      Ratings                        Test Condition(s)     Min Typ Max Unit

                                                         TIP100

ICBO        Collector Cutoff Current IE= 0,VCB = VCBOmax TIP101 -  -    50 A

                                                         TIP102

                                      IE= 0, VCE = 1/2   TIP100
                                      VCEOmax
ICEO        Collector Cutoff Current                     TIP101 -  -    50 A

                                                         TIP102

                                                         TIP100

IEBO        Emitter Cutoff Current VEB= 5 V, IC= 0       TIP101 -  -    8 mA

                                                         TIP102

            Collector-Emitter                            TIP100 60 -    -
            Breakdown Voltage (*)                        TIP101 80 -
VCEO                                  IC= 30 mA, IB= 0   TIP102 100 -   -        V

                                                                        -

                                                         TIP100

                                      IC= 3 A, IB= 6 mA  TIP101 -  -     2
                                                                                  V
VCE(SAT)    Collector-Emitter                            TIP102
            saturation Voltage (*)                       TIP100         2.5

                                      IC= 8 A, IB= 80 mA TIP101 -  -

                                                         TIP102

VBE(on)     Base-Emitter Voltage      IC= 8 A, VCE= 4 V  TIP100    -    2.8 V
            (*)                                          TIP101 -
                                                         TIP102

                                                         TIP100

                                      VCE= 4 V, IC= 3 A  TIP101 1000 -  20k
                                                                                   -
hFE         DC Current Gain (*)                          TIP102
                                                         TIP100          -

                                      VCE= 4 V, IC= 8 A  TIP101 200 -
                                                         TIP102

COB         Output Capacitance        IE= 0, VCB = 10 V  TIP100    -    200 pF
                                      f = 1MHz           TIP101 -
                                                         TIP102

(*) Pulse Width  300 s, Duty Cycle  2.0%

04/10/2012                       COMSET SEMICONDUCTORS                     2|3
                  SEMICONDUCTORS

   NPN TIP100-101-102

   MECHANICAL DATA CASE TO-220

   DIMENSIONS (mm)

         Min.     Max.

A           9,90 10,30

B        15,65 15,90

C        13,20 13,40

D           6,45  6,65

E           4,30  4,50

F           2,70  3,15

G           2,60  3,00

H        15,75 17.15

L           1,15  1,40

M           3,50  3,70

N        -        1,37

P           0,46  0,55

R           2,50  2,70

S           4,98  5,08

T           2.49  2.54

U           0,70  0,90

Pin 1 :                Base
Pin 2 :           Collector
Pin 3 :
Case :              Emitter
                  Collector

        September 2012

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   and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. Comset Semiconductors' products are not authorized for use as
   critical components in life support devices or systems.

      www.comsetsemi.com     COMSET SEMICONDUCTORS  info@comsetsemi.com
   04/10/2012                                                                     3|3
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