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TGA9092-SCC

器件型号:TGA9092-SCC
器件类别:微波射频   
厂商名称:TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo)
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER

参数

TGA9092-SCC最大输入功率 26 dBm
TGA9092-SCC最大工作频率 18000 MHz
TGA9092-SCC最小工作频率 6000 MHz
TGA9092-SCC加工封装描述 5.739 MM × 4.318 MM × 0.1016 MM, DIE
TGA9092-SCC状态 ACTIVE
TGA9092-SCC结构 COMPONENT
TGA9092-SCC微波射频类型 WIDE 波段 高 POWER

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TGA9092-SCC器件文档内容

                                                                                         Product Data Sheet

                                                                                                          January 10, 2005

6 - 18 GHz High Power Amplifier                                                          TGA9092-SCC

                                                         Key Features and Performance

                                                          Dual Channel Power Amplifier
                                                          0.25um pHEMT Technology
                                                          6-18 GHz Frequency Range
                                                          2.8 W/Channel Midband Pout
                                                          5.6 W Pout Combined
                                                          24 dB Nominal Gain
                                                          Balanced In/Out for Low VSWR
                                                          8V @ 1.2A per Channel Bias

                                                         Primary Applications

                                                          X-Ku band High Power

                                                          VSAT

Chip Dimensions 5.739 mm x 4.318 mm x 0.1016 mm          Pout @ P2dB (dBm)  36
                                                                            35
Product Description                                                         34
                                                                            33
The TriQuint TGA9092-SCC is a dual channel, three-                          32
stage wide band HPA MMIC designed using TriQuint's                          31
proven 0.25 m Power pHEMT process to support a                             30
variety of high performance applications including                          29
military EW programs, VSAT, and other applications                          28
requiring wideband high power performance.
                                                                                 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Each amplifier channel consists of one 1200 m input                                                                         Frequency (GHz)
device driving a 2400 m intermediate stage which
drives a 4800 um output stage.                                                         Typical Measured Pout (RF Probe)

The TGA9092-SCC provides a nominal 34 dBm of                                27
output power at 2dB gain compression across the 6-18
GHz range per channel . Power combined, nominal                             26
output power of 36.5 dBm can be expected with low
loss external couplers. Typical per channel small                           25
signal gain is 24 dB. Typical single-ended Input/Output
RL is 6-8 dB across the band.                                               24

The TGA9092-SCC is 100% DC and RF tested on-                                23
wafer to ensure performance compliance. The device
is available in chip form.                               Gain (dB)          22

                                                                            21

                                                                            20

                                                                            19

                                                                            18

                                                                            17

                                                                            16

                                                                            15

                                                                                6  7  8  9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

                                                                                         Frequency (GHz)

                                                                                      Typical Measured Small Signal Gain

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                                               Product Data Sheet

                                                                January 10, 2005

                                                             TGA9092-SCC

                  TABLE I
          MAXIMUM RATINGS

Symbol                       Parameter 5/          Value      Notes
   V+     Positive Supply Voltage                   9V          4/
   V-     Negative Supply Voltage Range         -5V TO 0V
   I+     Positive Supply Current (Quiescent)      3.5 A        4/
  | IG |  Gate Supply Current                    84.48 mA
   PIN    Input Continuous Wave Power             26 dBm        4/
   PD     Power Dissipation                       28.8 W      3/ 4/
  TCH     Operating Channel Temperature           150 0C      1/ 2/
   TM     Mounting Temperature                    320 0C
          (30 Seconds)
  TSTG    Storage Temperature                  -65 to 150 0C

1/ These ratings apply to each individual FET.

2/ Junction operating temperature will directly affect the device median time to failure (TM).
      For maximum life, it is recommended that junction temperatures be maintained at the
      lowest possible levels.

3/ When operated at this bias condition with a base plate temperature of 70 0C, the median
      life is reduced from 1.6 E+6 to 5.4 E+4 hours.

4/ Combinations of supply voltage, supply current, input power, and output power shall not
      exceed PD.

5/ These ratings represent the maximum operable values for this two-channel device.

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                                                               Product Data Sheet

                                                                                January 10, 2005

                                                                             TGA9092-SCC

                                                TABLE II
                                           DC PROBE TEST
                                          (TA = 25 C 5 C)

Symbol    Parameter                                    Minimum Maximum Unit
Imax(Q1)
Gm (Q1)   Maximum Current                              400     800   mA

   VP     Transconductance                             200     600   mS
BVGS
          Pinch-off Voltage                            -1.5    -0.5  V
BVGD
          Breakdown Voltage Gate-                      -30     -13   V
          Source
          Breakdown Voltage Gate-                      -30     -13   V
          Drain

                                       TABLE III
AUTOPROBE FET PARAMETER MEASUREMENT CONDITONS

          FET Parameters                                                       Test Conditions

Gm : Transconductance;  ( ) IDSS - IDS 1               For all material types, VDS is swept between 0.5 V
                                                       and VDSP in search of the maximum value of Ids.
                        VG 1                           This maximum IDS is recorded as IDS1. For
                                                       Intermediate and Power material, IDS1 is measured
VP : Pinch-Off Voltage; VGS for IDS = 0.5 mA/mm of     at VGS = VG1 = -0.5 V. For Low Noise, HFET and
       gate width.                                     pHEMT material, VGS = VG1 = -0.25 V. For
                                                       LNBECOLC, use VGS = VG1 = -0.10 V.
VBVGD : Breakdown Voltage, Gate-to-Drain; gate-to-
           drain breakdown current (IBD) = 1.0 mA/mm   VDS fixed at 2.0 V, VGS is swept to bring IDS to
           of gate width.                              0.5 mA/mm.

VBVGS : Breakdown Voltage, Gate-to-Source; gate-to-    Drain fixed at ground, source not connected
           source breakdown current (IBS) = 1.0 mA/mm  (floating), 1.0 mA/mm forced into gate, gate-to-drain
           of gate width.                              voltage (VGD) measured is VBDGD and recorded as
                                                       BVGD; this cannot be measured if there are other
IMAX : Maximum IDS.                                    DC connections between gate-drain, gate-source or
                                                       drain-source.

                                                       Source fixed at ground, drain not connected
                                                       (floating), 1.0 mA/mm forced into gate, gate-to-
                                                       source voltage (VGS) measured is VBDGS and recorded
                                                       as BVGS; this cannot be measured if there are other
                                                       DC connections between gate-drain, gate-source or
                                                       drain-source.

                                                       Positive voltage is applied to the gate to saturate the
                                                       device. VDS is stepped between 0.5 V up to a
                                                       maximum of 3.5 V, searching for the maximum
                                                       value of IDS.

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                                                        Product Data Sheet

                                                                         January 10, 2005

                                                                   TGA9092-SCC

                               TABLE IV

            RF WAFER CHARACTERIZATION TEST*
                           (TA = 25C + 5C)

                      (Vd = 8V, Id = 1.2A 5%)

Parameter                Test Condition        Limit       Units

                                         Min Nom Max

Small-signal F = 6 to 17 GHz             20 24 -           dB

Power Gain F = 18 GHz                    18

Input Return F = 6 to 18 GHz                   6           dB
Loss

Output Return F = 6 to 18 GHz                  8           dB
Loss

Output Power F = 6 to 8 GHz              32 34.5 - dBm
@ 2dB gain F = 9 to 18 GHz
compression                              32.5           -

Power Added F = 6 to 18 GHz              12 25 -           %

Efficiency

Note: RF probe data taken at 1 GHz steps
* This information is based on the per-channel device.

                                     TABLE V
                         THERMAL INFORMATION*

          Parameter         Test Conditions       TCH       RJC      TM
                                                 (oC)      (C/W)  (HRS)
RJC Thermal Resistance   Vd = 8 V
(channel to backside of  ID = 2.4 A            144.56      3.88 1.6 E+6
carrier)                 Pdiss = 19.2 W

Note: Assumes eutectic attach using 1.5 mil 80/20 AuSn mounted to a 20 mil CuMo Carrier
        at 70C baseplate temperature. Worst case condition with no RF applied, 100% of DC
        power is dissipated.

* This information is a result of a thermal model analysis based on the entire two-channel
       device.

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Pout @ P2dB (dBm)                                                    Product Data Sheet

PAE (%)                                                                                                               January 10, 2005

                                                                                               TGA9092-SCC

                      Data Based on the 50th Percentile On-Wafer RF
                      Probe Test Results, Sample Size = 3370 Devices

                                      Bias Conditions: Vd = 8 V, Id = 1.2 A

                   36
                   35
                   34
                   33
                   32
                   31
                   30
                   29
                   28

                        6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
                                                                    Frequency (GHz)

                   40
                   35
                   30
                   25
                   20
                   15
                   10

                     5
                     0

                        6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
                                                                     Frequency (GHz)

TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994 8465 Fax (972)994 8504 Web: www.triquint.com/mmw                                           5
Input Return Loss (dB)                                                      Product Data Sheet

Output Return Loss (dB)                                                                                                      January 10, 2005

                                                                                                      TGA9092-SCC

                            Data Based on the 50th Percentile On-Wafer RF
                            Probe Test Results, Sample Size = 3370 Devices

                                            Bias Conditions: Vd = 8 V, Id = 1.2 A

                          0
                         -2
                         -4
                         -6
                         -8
                        -10
                        -12
                        -14
                        -16
                        -18
                        -20
                        -22

                             6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
                                                                          Frequency (GHz)

                            0
                           -2
                           -4
                           -6
                           -8
                         -10
                         -12
                         -14
                         -16
                         -18
                         -20
                         -22

                               6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
                                                                            Frequency (GHz)

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Gain (dB)                                                      Product Data Sheet

                                                                                                                 January 10, 2005

                                                                                          TGA9092-SCC

                Data Based on the 50th Percentile On-Wafer RF
                Probe Test Results, Sample Size = 3370 Devices

                                Bias Conditions: Vd = 8 V, Id = 1.2 A

           27
           26
           25
           24
           23
           22
           21
           20
           19
           18
           17
           16
           15

               6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
                                                             Frequency (GHz)

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Mechanical Drawing  Product Data Sheet

                                     January 10, 2005

                                  TGA9092-SCC

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Product Data Sheet

                 January 10, 2005

Chip Assembly and Bonding Diagram  TGA9092-SCC

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

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                                                                   Product Data Sheet

                                                                                                                             January 10, 2005

                                                                                                TGA9092-SCC

                                     Assembly Process Notes

     Reflow process assembly notes:
                Use AuSn (80/20) solder with limited exposure to temperatures at or above 300C.
                An alloy station or conveyor furnace with reducing atmosphere should be used.
                No fluxes should be utilized.
                Coefficient of thermal expansion matching is critical for long-term reliability.
                Devices must be stored in a dry nitrogen atmosphere.

     Component placement and adhesive attachment assembly notes:
                Vacuum pencils and/or vacuum collets are the preferred method of pick up.
                Air bridges must be avoided during placement.
                The force impact is critical during auto placement.
                Organic attachment can be used in low-power applications.
                Curing should be done in a convection oven; proper exhaust is a safety concern.
                Microwave or radiant curing should not be used because of differential heating.
                Coefficient of thermal expansion matching is critical.

     Interconnect process assembly notes:
                Thermosonic ball bonding is the preferred interconnect technique.
                Force, time, and ultrasonics are critical parameters.
                Aluminum wire should not be used.
                Discrete FET devices with small pad sizes should be bonded with 0.0007-inch wire.
                Maximum stage temperature is 200C.

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

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