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TGA8659-FL

器件型号:TGA8659-FL
器件类别:微波射频   
厂商名称:TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo) [TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo)]
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

13000 MHz - 15000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER

13000 MHz - 15000 MHz 射频/微波宽带高功率放大器

参数

TGA8659-FL最大输入功率 24 dBm
TGA8659-FL最大工作频率 15000 MHz
TGA8659-FL最小工作频率 13000 MHz
TGA8659-FL加工封装描述 0.330 × 0.700 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, ROHS COMPLIANT PACKAGE-10
TGA8659-FL无铅 Yes
TGA8659-FL欧盟RoHS规范 Yes
TGA8659-FL状态 EOL/LIFEBUY
TGA8659-FL结构 模块
TGA8659-FL端子涂层 MATTE 锡/金
TGA8659-FL微波射频类型 WIDE 波段 高 POWER

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TGA8659-FL器件文档内容

                                                   Advance Product Information

                                                                                   October 19, 2005

13 - 15 GHz 4W Power Amplifier                     TGA8659-FL

Ceramic Flange Mounted Package

                                                   Key Features

                                                    Frequency Range: 13 - 15 GHz
                                                    >25 dB Nominal Gain
                                                    >36 dBm Nominal Psat
                                                    Bias 6 - 7.5V @ 1.3 - 1.6A Idq
                                                    Package Dimensions: 0.33 x 0.70 x 0.12 in

                                                                                        8.4 x 17.8 x 3.0 mm

                                                   Primary Applications

                                                    Ku-Band VSAT Transmit
                                                    Point-to-Point Radio

The TriQuint TGA8569-FL is a           Gain (dB)     Fixtured Measured Performance
packaged Power Amplifier delivering
more than 4 Watts in the VSAT Band.                          Bias Conditions: Vd = 7V, Idq = 1.3A 5%
The power amplifier works over the
extended frequency range of 13 to 17               30
GHz and is designed using TriQuint's               25
proven standard 0.5 um gate pHEMT                  20
production process.                                15
                                                   10
The TGA8659-FL provides a nominal
gain greater than 25dB with excellent                5
input and output VSWR.                               0
                                                    -5
                                                   -10

                                                       10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
                                                                                   Frequency (GHz)

The TGA8659-FL is designed for Ku-     Pout (dBm)           Bias Conditions: Vd = 7V, Idq = 1.3A 5 %
Band VSAT transmitters and can also                                        Frequency at 14.5 GHz
provide high power over a wider
frequency band.                                    37

Evaluation Boards are available upon               35
request.
                                                   33
Lead-free and RoHS compliant
                                                   31

                                                   29

                                                   27

                                                   25
                                                       3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
                                                                                         Pin (dBm)

Note: Device is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to change
without notice

TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994 8504 Web: www.triquint.com                                                      1
        Advance Product Information

                                        October 19, 2005

                                               TGA8659-FL

                TABLE I
        MAXIMUM RATINGS 1/

Symbol  Parameter                                 Value        Notes
   V+   Positive Supply Voltage                     8V            2/
    I+  Positive Supply Current (Quiescent)        1.7 A
        Power Dissipation                          13 W         3/, 4/
   PD   Input Continuous Wave Power
   PIN  Operating Channel Temperature            24 dBm
   TCH  Mounting Temperature (30 seconds)         150 C
        Storage Temperature                       260 C
   TM                                        -65 C to 150 C

  TSTG

1/ These values represent the maximum operable values of this device
2/ Total current for the entire MMIC
3/ These ratings apply to each individual FET
4/ Junction operating temperature will directly affect the device mean time to
failure (MTTF). For maximum life it is recommended that junction temperatures
be maintained at the lowest possible levels.

                         TABLE II
        ELECTRICAL CHARACTERISTICS

                    (Ta = 25oC 5oC)

                       P a ra m e te r       Units Typical
Drain Operating Voltage
Quiescent Current                            V    7
Small Signal Gain
Gain Flatness (Freq = 13.5 - 15 GHz)         A    1.3
Input Return Loss (Linear Small Signal)
Output Return Loss (Linear Small Signal)     dB   25
Reverse Isolation
CW Output Power @Psat at 14.5GHz            dB/100MHz 0.1
TOI at 14.5 GHz with Pout/tone of 28 dBm
Power Added Efficiency@Psat                  dB   10
P1dB temperature coeff. TC (-40 to +70 C)
                                             dB   10

                                             dB   > 50

                                             dBm  36

                                             dBm  41

                                             %    30

                                            dB/deg C -0.01

Note: Device is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to change
without notice

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Gain (dB)                                      Advance Product Information

                                                                                            October 19, 2005
                                                                                                   TGA8659-FL

                           Measured Fixtured Data

                     Bias Conditions: Vd = 7V, Idq = 1.3A 5%

           30
           25
           20
           15
           10

             5
             0
            -5
           -10

               10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

                                           Frequency (GHz)

Pout (dBm)           Bias Conditions: Vd = 7V, Idq = 1.3A 5 %
                                    Frequency at 14.5 GHz

            37

            35

            33

            31

            29

            27

            25
                3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

                                                  Pin (dBm)

Note: Device is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to change
without notice

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Input Return Loss (dB)                                        Advance Product Information

Output Return Loss (dB)                                                                                    October 19, 2005
                                                                                                                  TGA8659-FL

                                             Measured Fixtured Data

                                 Bias Conditions: Vd = 7V, Idq = 1.3A 5%

                         0

                        -5

                       -10

                       -15

                       -20

                       -25

                       -30

                       -35
                           10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

                                                        Frequency (GHz)

                         0
                        -5
                       -10
                       -15
                       -20
                       -25
                       -30
                       -35
                       -40
                       -45
                       -50

                            10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

                                                        Frequency (GHz)

Note: Device is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to change
without notice

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                                                           Advance Product Information

                                                                                                  October 19, 2005
                                                                                                          TGA8659-FL

                                        Measured Fixtured Data

                                Bias Conditions: Vd = 7V, Idq = 1.3A 5%

            40                                                                         60
            38
            36                                                               P2dB      55
            34                                                               PAE
            32
            30                                                                         50
            28
            26                                                                         45  PAE@P2dB (%)
            24
P2dB (dBm)  22                                                                         40
            20
                                                                                       35
                 11
                                                                                       30

                                                                                       25

                                                                                       20

                                                                                       15

                                                                                       10

                                12  13  14  15  16       17                  18    19

                                        Frequency (GHz)

                                   Bias Conditions: Vd = 6V, Idq = 1.3A 5%

                        48

                        45

            TOI (dBm )  42

                        39

                        36                               @14.5 GHz

                        33

                        30

                            10  13  16  19  22  25       28                  31    34

                                    Fundamental output power per tone (dBm)

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                                          Advance Product Information

                                                                                    October 19, 2005
                                                                                            TGA8659-FL

             Packaged Dimensional Drawing

&

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     $ $

                                                                                                                                                        
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                             $            &                                                                                                                 G@69XD9UC6I9G@IBUC
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     &'

                                                                                                                                                            $!

     #!

             !$

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

Note: Device is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to change
without notice

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                      Advance Product Information

                                                      October 19, 2005

                                                             TGA8659-FL

                                                                      Note: Pins 6 and 10 are
                                                                      connected together
                                                                      internally

Bias Procedure

1) Make sure no RF power is applied to the device before continuing.

2) Pinch off device by setting VG to 1.5V.
3) Raise VD to 7.0V while monitoring drain current.
4) Raise VG until drain current reaches 1.3 A. VG should be between 0.6V and 0.3V.
5) Apply RF power.

                      Ordering Information

                Part  Package Style

                TGA8659-FL Flange, leads bolted down

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

Note: Device is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to change
without notice

TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994 8504 Web: www.triquint.com                                                      7
                                     Advance Product Information

                                                October 19, 2005

                                                TGA8659-FL

       Evaluation Board and Schematic

       Vd                                                     Vd
(optional)
                                                10-30 PF
               1 PF 0.01PF                      tantalum
                                                (external)
                            6     0.01 PF 1 PF  RF
                               10               Out
RF In        3

             TGA8659-FL 8
                             5

             1,2,4,7,9

                               10 :

Vg     1 PF

             0.01 PF

Note: Device is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to change
without notice

TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994 8504 Web: www.triquint.com                                                      8
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