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TGA4830

器件型号:TGA4830
器件类别:微波射频   
厂商名称:TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo)
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

0 MHz - 45000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

0 MHz - 45000 MHz 射频/微波宽带低功率放大器

参数

TGA4830最大输入功率 19.2 dBm
TGA4830最大工作频率 45000 MHz
TGA4830最小工作频率 0.0 MHz
TGA4830加工封装描述 0.070 X 0.039 INCH, 0.004 INCH HEIGHT, ROHS COMPLIANT, DIE-5
TGA4830无铅 Yes
TGA4830欧盟RoHS规范 Yes
TGA4830状态 ACTIVE
TGA4830结构 COMPONENT
TGA4830端子涂层 MATTE TIN/GOLD
TGA4830微波射频类型 WIDE BAND LOW POWER

TGA4830器件文档内容

                                                              TGA4830

Wideband Low Noise Amplifier

Measured Performance                        Key Features and Performance

      V+ = 5V, I+ = 50mA                     DC - 45GHz Frequency Range
                                             13dB Gain @ 20GHz
                                             15dB Return Loss @ 20GHz
                                             11.5dBm Typical P1dB
                                             3.2dB Typical Noise Figure
                                             40Gbps Data Rate
                                             > 20dB Gain Control
                                             0.15m pHEMT 3MI Technology
                                             5V, 50mA Bias Condition
                                             Chip Dimensions:

                                                  1.79 x 1.00 x 0.10 mm
                                                  (0.070 x 0.039 x 0.004 inches)

                                             Primary Applications

                                              Test Equipment
                                              Ultra Wideband
                                              EW Systems
                                              Fiberoptic Systems

                                            Product Description

                                            The TriQuint TGA4830 is a medium power wideband
                                            low noise amplifier which operates from DC to 45 GHz.
                                            Typical small signal gain is 13dB with >20dB AGC
                                            range. Typical input and output return loss is 15dB. The
                                            TGA4830 provides 11.5 dBm of typical output power at
                                            1 dB gain compression and a 3.2dB noise figure. RF
                                            ports are DC coupled enabling the user to customize
                                            system corner frequencies.

                                            The TGA4830 is suitable for a variety of wideband
                                            electronic warfare systems such as radar warning
                                            receivers, electronic counter measures, decoys,
                                            jammers and phased array systems. It is also an
                                            excellent choice for 40Gb/s NRZ applications. The
                                            TGA4830 is capable of driving an Electro-Absorptive
                                            optical Modulator (EAM) with electrical Non-Return to
                                            Zero (NRZ) data. In addition, the TGA4830 may also
                                            be used as a predriver or a receive gain block.

Datasheet subject to change without notice  Lead Free & RoHS Compliant.

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                                            May 2009 Rev -
                                                                TGA4830

                                     TABLE I
                             MAXIMUM RATINGS

Symbol             Parameter 1/                      Value      Notes
                                                                2/, 3/
         POSITIVE SUPPLY VOLTAGE                      10 V
V+ Biased Thru On-Chip Termination                     7V         3/
                                                                 3/ 4/
VD Biased Thru RF Out                               72 mA
                                                    180m A        5/
         POSITIVE SUPPLY CURRENT
I+ Biased Thru On-Chip Termination                   0.7 W        6/
                                                    1.26 W
ID Biased Thru RF Out                            -3V TO +1V
                                                    10 mA
          POWER DISSIPATION                         +5V TO
PD+ Biased Thru On-Chip Termination           (VD VCTRL  8V)
PD Biased Thru RF Out                               10 mA
                                                  19.2 dBm
VG Gate Voltage Range
                                                      TBD
|IG| Gate Current                                   200 C
                                                    320 C
VCTRL Control Voltage Range                     -65 to 150 C

|ICTRL|  Control Current
PIN     Input Continuous Wave Power
VIN     40Gbps PRBS Voltage Input
TCH     Channel Temperature
         Mounting Temperature (30 Seconds)
TSTG     Storage Temperature

1/ These ratings represent the maximum operable values for this device.

2/ Assure VD VCTRL  8V. Compute VD as follows: VD = V+ - I+ * 40

3/ Combinations of supply voltage, supply current, input power, and output power shall
      not exceed PD.

4/ When operated at this bias condition with a base plate temperature of 70 C, the
      median life is 2.6E5 hours.

5/ Assure VCTRL never exceeds VD during bias up and bias down sequences. Also, VCTRL
      must never exceed 5V during normal operation.

6/ Junction operating temperature will directly affect the device mean time to failure (Tm).
      For maximum life it is recommended that junction temperatures be maintained at the
      lowest possible levels

                                                                                                                                                                         2
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                                                          TGA4830

                                      TABLE II
                      RF CHARACTERIZATION TABLE

                              (TA = 25C, Nominal)
                               (V+ = 5V, I+ = 50mA)

Symbol  Parameter           Test Conditions          Typ  Units Notes

Gain Small Signal Gain      F = 1 30 GHz           13   dB
                            F = 1 30 GHz
BW      Small Signal 3dB                             45   GHz
        Bandwidth

IRL     Input Return Loss                            12   dB

ORL Output Return Loss      F = 1 30 GHz           15   dB
                            F = 1 25 GHz
P1dB    Output Power @ 1dB  F = 1 40 GHz           11.5 dBm
        Gain Compression

NF      Noise Figure                                 3.2  dB

Note: Table II Lists the RF Characteristics of typical devices as determined by fixtured
measurements.

                                                                                                                                                                    3
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                                                            TGA4830

                                    TABLE III
                         THERMAL INFORMATION

         Parameter         Test Conditions     TCH  JC  Tm

JC Thermal Resistance    V+ = 5V               (C) (C/W) (hrs)
(Channel to Backside of  I+ = 50mA
Carrier)                 PDISS = 0.25W      82.3 49.2 4.2E+7
                         TBASE = 70 C

Note: Assumes eutectic attach using 1.5mil 80/20 AuSn mounted to a 20mil CuMo
carrier at 70 C baseplate temperature. Worst case conditions with no RF applied,
100% of DC power is dissipated.

Median Lifetime (Tm) vs. Channel Temperature

                                                                                                                                                                4
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                     TGA4830

Preliminary Data

V+ = 5V, I+ = 50mA

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                     TGA4830

Preliminary Data

V+ = 5V, I+ = 50mA

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                 Preliminary Data

V+ = 5V, I+ = 60mA, VIN = 0.62VPP, VOUT = 2.25VPP

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Mechanical Drawing

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        Chip Assembly & Bonding Diagram

                             *
                               *

C       Bypassing Effective  Additional Biasing Information:
         Lower Frequency      Bias Conditions: V+ = 5.0 V, I+ = 50 mA
                              Adjust Vg1 for I+ = 50 mA
0       20 MHz
                              Adjust Vctrl for Gain and Eye crossing
0.01uF  4 MHz                control. Vctrl bias is optional.

0.1uF   250kHz

* 1800pF & 0.1uF capacitors can be substituted with the following integrated capacitors:

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                          9
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                              Assembly Process Notes

       Reflow process assembly notes:
                  Use AuSn (80/20) solder with limited exposure to temperatures at or above 300C.
                      (30 seconds maximum)
                  An alloy station or conveyor furnace with reducing atmosphere should be used.
                  No fluxes should be utilized.
                  Coefficient of thermal expansion matching is critical for long-term reliability.
                  Devices must be stored in a dry nitrogen atmosphere.

       Component placement and adhesive attachment assembly notes:
                  Vacuum pencils and/or vacuum collets are the preferred method of pick up.
                  Air bridges must be avoided during placement.
                  The force impact is critical during auto placement.
                  Organic attachment can be used in low-power applications.
                  Curing should be done in a convection oven; proper exhaust is a safety concern.
                  Microwave or radiant curing should not be used because of differential heating.
                  Coefficient of thermal expansion matching is critical.

       Interconnect process assembly notes:
                  Thermosonic ball bonding is the preferred interconnect technique.
                  Force, time, and ultrasonics are critical parameters.
                  Aluminum wire should not be used.
                  Maximum stage temperature is 200C.

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                           10
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