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TGA4517

器件型号:TGA4517
器件类别:微波射频   
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厂商名称:TRIQUINT [TriQuint Semiconductor]
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

31000 MHz - 37000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER

31000 MHz - 37000 MHz 射频/

参数

TGA4517最大工作频率 37000 MHz
TGA4517最小工作频率 31000 MHz
TGA4517加工封装描述 0.171 × 0.154 INCH, 0.002 INCH HEIGHT, ROHS COMPLIANT, DIE-18
TGA4517无铅 Yes
TGA4517欧盟RoHS规范 Yes
TGA4517状态 ACTIVE
TGA4517结构 COMPONENT
TGA4517端子涂层 MATTE 锡/金
TGA4517微波射频类型 WIDE 波段 高 POWER

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TGA4517器件文档内容

                                                Advance Product Information

                                                                               February 10, 2006

Ka-Band Power Amplifier                                                           TGA4517

                                                Key Features

                                                 Frequency Range: 31 - 37 GHz
                                                 35 dBm Nominal Psat @ Mid-band
                                                 20 dB Nominal Gain @ Mid-band
                                                 12 dB Nominal Return Loss
                                                 Bias 5-6 V, 2 A Quiescent
                                                 0.15 um 3MI pHEMT Technology
                                                 Chip Dimensions 4.35 x 3.90 x 0.05 mm

                                                                        (0.171 x 0.154 x 0.002) in

                                                Primary Applications

                                                 Point-to-Point Radio

                                                 Military Radar Systems

                                                 Ka-Band Sat-Com

Product Description                                                    Measured Fixtured Data

The TriQuint TGA4517 is a compact High                                    Bias Conditions: Vd = 6 V, Idq = 2 A
Power Amplifier MMIC for Ka-band                                  25
applications. The part is designed using
TriQuint's 0.15um gate power pHEMT process.                       20   GAIN

The TGA4517 nominally provides 35dBm of         S-Parameter (dB)  15
Saturated Output Power, and 20dB small
signal gain @ mid-band of 31 - 37GHz. The                         10
MMIC also provides 12dB Return Loss.
                                                                  5
The part is ideally suited for markets such as
Point-to-Point Radio, Military Radar Systems,                     0
and Ka-Band Satellite Communications both
commercial and military.                                          -5                    ORL

                                                                  -10

                                                                  -15        IRL

                                                                  -20

                                                                  -25

                                                                       30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40

                                                                       Frequency (GHz)

The TGA4517 is 100% DC and RF tested on-                          Bias Conditions: Vd = 6 V, Idq = 2 A, Duty = 20%
wafer to ensure performance compliance.                                                  @ Pin = 24 dBm

Lead-Free & RoHS compliant.                                       38

                                                                  36

                                                Psat (dBm)        34

                                                                  32

                                                                  30

                                                                  28

                                                                                               26
                                                                                                    32 33 34 35 36 37 38

                                                                                                                          Frequency (GHz)

Note: Devices is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to change without
notice
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                                       Advance Product Information

                                                                           February 10, 2006

                                                                            TGA4517

                                           TABLE I
                        ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 1/

SYMBOL                  PARAMETER                      VALUE             NOTES

Vd         Drain Voltage                                     6.5 V       2/
Vg         Gate Voltage Range                           -3 TO 0 V
Id         Drain Current (Under RF Drive)                               2/ 3/
Ig          Gate Current                                      4A          3/
PIN        Input Continuous Wave Power                    141 mA
PD         Power Dissipation                                            2/ 4/
TCH         Operating Channel Temperature                    TBD         5/ 6/
TM         Mounting Temperature (30 Seconds)               18.3 W
TSTG        Storage Temperature                            150 0C
                                                           320 0C
                                                       -65 to 150 0C

1/ These ratings represent the maximum operable values for this device.

2/ Combinations of supply voltage, supply current, input power, and output power shall not exceed PD.

3/ Total current for the entire MMIC.
4/ When operated at this bias condition (with RF applied) at a base plate temperature of 70 0C, the

       median life is 1E+6 hrs.

5/ Junction operating temperature will directly affect the device median time to failure (MTTF). For
       maximum life, it is recommended that junction temperatures be maintained at the lowest possible
       levels.

6/ These ratings apply to each individual FET.

                                     TABLE II

                               DC PROBE TESTS
                               (Ta = 25 0C, Nominal)

SYMBOL                  PARAMETER               MIN.   TYP.  MAX.        UNITS

VBVGD,Q1-Q2 Breakdown Voltage Gate-Drain         -30    -14    -11           V
                                                 -30    -14    -11           V
VBVGD,Q15-Q30 Breakdown Voltage Gate-Drain       -1.5    -1   -0.5           V

VP,Q15-Q30  Pinch-Off Voltage

Each FET Cell is 750um

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                                                          TGA4517

                 TABLE III
ELECTRICAL CHARACTERISTICS

         (Ta = 25 0C, Nominal)

                            PARAMETER                   TYPICAL    UNITS
Frequency Range                                           31 - 37   GHz
Drain Voltage, Vd                                             6       V
Drain Current (Quiescent), Idq                                2       A
Gate Voltage, Vg                                            -0.5      V
Small Signal Gain, S21 @ Mid-band                            20       dB
Input Return Loss, S11                                       14       dB
Output Return Loss, S22                                      12       dB
Output Power, Psat                                           35     dBm

           TABLE IV
THERMAL INFORMATION

           PARAMETER                      TEST    TCH    RTJC         TM
                                     CONDITIONS  (OC)   (qC/W)     (HRS)
RJC Thermal Resistance                           122.3
(channel to backside of carrier)  Vd = 6 V               4.36      1.2E+7
                                  Idq = 2 A
                                  Pdiss = 12 W

Note: Assumes eutectic attach using 1.5 mil 80/20 AuSn mounted to a 20 mil CuMo Carrier at
70oC baseplate temperature. Worst case condition with no RF applied, 100% of DC power is

dissipated.

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                                                                                        TGA4517

                                     Measured Data

                             Bias Conditions: Vd =5-6 V, Idq = 2 A, Room Temp.

            24                                                                      Vd=5V
            22                                                                      Vd=6V
            20
Gain (dB)   18
            16
            14       31  32  33      34  35  36           37  38                39      40
            12
            10                       Frequency (GHz)

             8           Bias Conditions: Vd =5-6 V, Idq = 2 A, Duty = 20%, Room Temp.
             6
             4                                                                  Vd=5V
             2                                                                  Vd=6V
             0
Psat (dBm)
                30
                         33      34      35           36      37                        38
             38
             37
             36
             35
             34
             33
             32
             31
             30
             29
             28
             27
             26

                 32

                                     Frequency (GHz)

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                                                                                                                                                            TGA4517

                              Measured Data

                                                 Bias Conditions: Vd =5-6 V, Idq = 2 A, Room Temp.

                         0

                                                                                                                                                     Vd=5V
                                                                                                                                                     Vd=6V

                         -5

Input Return Loss (dB)   -10

                         -15

                         -20

                         -25
                              30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
                                                                           Frequency (GHz)

                         0

                                                                                                                                                     Vd=5V
                                                                                                                                                     Vd=6V

                         -5

Output Return Loss (dB)  -10

                         -15

                         -20

                         -25
                              30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
                                                                           Frequency (GHz)

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                                                     Advance Product Information

                                                                                            February 10, 2006

                                                                                           TGA4517

                                           Measured Data

                             Drain Current vs. Drain Voltage, Duty = 20%, Room Temp.

                    6.0              Pin = 24 dBm                Vd=5V
                    5.5                                          Vd=6V
                    5.0
Id (A)              4.5
                    4.0
                    3.5      33  34  35                  36  37         38
                    3.0
                    2.5
                    2.0
                    1.5
                    1.0
                    0.5
                    0.0

                         32

                                     Frequency (GHz)

                    38               Frequency = 35 GHz                     8

                    36                                                      7

                    34                                                      6

Output Power (dBm)  32                                                      5  Drain Current (A)

                    30                                                      4

                    28                                                      3

                    26                                                      2

                    24                                           Vd=5V 1

                                                                 Vd=6V

                    22                                                      0

                        7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

                                     Input Power (dBm)

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                            Advance Product Information

                                                           February 10, 2006

                                                               TGA4517

                        Measured Data

                Bias Conditions: Vd =5-6 V, Idq = 2 A, CW Power @ Pin = 22dBm, Room Temp.

            38

                                                     Vd=5V

            37                                       Vd=6V

            36

            35

Psat (dBm)  34

            33

            32

            31

            30

            29

            28

                32  33  34  35               36  37         38

                            Frequency (GHz)

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                                                                     February 10, 2006

                                                                                           TGA4517

               Mechanical Drawing

         0.005 0.606 0.873 1.188 1.735 1.934 2.134              2.860    3.821 4.226
         (0.125) (0.024) (0.034) (0.047) (0.068)(0.076)(0.084)  (0.113)  (0.150) (0.166)

3.900          23 4         5 67                                8        9
(0.154)

1.951       1                                                                     10       (1.950
(0.077)                                                                                    (0.077)

               18 17 16     15 14 13                            12       11

0

         0     0.606 0.873 1.188 1.735 1.934 2.134              2.860    3.821    4.352
               (0.024) (0.034) (0.047) (0.068)(0.076)(0.084)    (0.113)  (0.150)  (0.171)

         Units: Millimeters (inches)
         Thickness: 0.050 (0.002) (reference only)
         Chip edge to bond pad dimensions are shown to center of bond pad
         Chip size tolerance: +/- 0.051 (0.002)
         RF Ground is backside of MMIC

         Bond pad # 1:      (RF In) 0.125 x 0.200 (0.005 x 0.008)
         Bond pad # 2, 18:  (Vg1) 0.125 x 0.125 (0.005 x 0.005)
         Bond pad # 3, 17:  (Vd1) 0.125 x 0.125 (0.005 x 0.005)
         Bond pad # 4, 16:
         Bond pad # 5, 15:  (Vg2) 0.125 x 0.125 (0.005 x 0.005)
         Bond pad # 6, 14:  (Vd2) 0.125 x 0.125 (0.005 x 0.005)
                            (Vg3) 0.125 x 0.125 (0.005 x 0.005)
         Bond pad # 7, 13:
                            (Vg4) 0.125 x 0.125 (0.005 x 0.005)
         Bond pad # 8, 12:  (Vd3) 0.125 x 0.125 (0.005 x 0.005)
                            (Vd4) 0.125 x 0.125 (0.005 x 0.005)
         Bond pad # 9, 11:  (RF Out) 0.125 x 0.200 (0.005 x 0.008)
         Bond pad # 10:

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

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                                                                 TGA4517

       Chip Assembly Diagram

                                                                               Vd

               0.01uF                  0.01uF    0.01uF
                                        1000pF  1000pF
               1000pF  1000pF

RF In                                                    RF Out

       1000pF          1000pF                   1000pF
                                                0.01uF
       0.01uF
                                                Vd
                               0.01uF

               100 Ohm 10uF

                                        .

       Vg

      GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
      be observed during handling, assembly and test.

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                                                                                               TGA4517
                                     Assembly Process Notes

       Reflow process assembly notes:
                   Use AuSn (80/20) solder with limited exposure to temperatures at or above 3000C (30 seconds max).
                   An alloy station or conveyor furnace with reducing atmosphere should be used.
                   No fluxes should be utilized.
                   Coefficient of thermal expansion matching is critical for long-term reliability.
                   Devices must be stored in a dry nitrogen atmosphere.

       Component placement and adhesive attachment assembly notes:
                   Vacuum pencils and/or vacuum collets are the preferred method of pick up.
                   Air bridges must be avoided during placement.
                   The force impact is critical during auto placement.
                   Organic attachment can be used in low-power applications.
                   Curing should be done in a convection oven; proper exhaust is a safety concern.
                   Microwave or radiant curing should not be used because of differential heating.
                   Coefficient of thermal expansion matching is critical.

       Interconnect process assembly notes:
                   Thermosonic ball bonding is the preferred interconnect technique.
                   Force, time, and ultrasonics are critical parameters.
                   Aluminum wire should not be used.
                   Maximum stage temperature is 2000C.

      GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
      be observed during handling, assembly and test.

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