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TGA4516

器件型号:TGA4516
器件类别:微波射频   
厂商名称:TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo)
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

30000 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER

参数

TGA4516最大输入功率 24.27 dBm
TGA4516最大工作频率 40000 MHz
TGA4516最小工作频率 30000 MHz
TGA4516加工封装描述 0.110 × 0.091 INCH, 0.004 INCH HEIGHT, ROHS COMPLIANT, DIE-10
TGA4516无铅 Yes
TGA4516欧盟RoHS规范 Yes
TGA4516状态 ACTIVE
TGA4516结构 COMPONENT
TGA4516端子涂层 MATTE 锡/金
TGA4516微波射频类型 WIDE 波段 高 POWER

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TGA4516器件文档内容

Ka-Band 2W Power Amplifier                      Advance Product Information

                                                                                 December 2, 2004

                                                                     TGA4516

                                                Key Features

                                                 30 - 40 GHz Bandwidth
                                                 > 33 dBm Nominal Psat @ Pin = 20dBm
                                                 18 dB Nominal Gain
                                                 Bias: 6 V, 1050 mA Idq

                                                                   (1.9A under RF Drive)
                                                 0.15 um 3MI MMW pHEMT Technology
                                                 Chip Dimensions: 2.79 x 2.315 x 0.1 mm

                                                                       (0.110 x 0.091 x 0.004) in

                                                Primary Applications

                                                 Military Radar Systems
                                                 Ka-Band Sat-Com
                                                 Point to Point Radio

Product Description                                                Preliminary Fixtured Data

The TriQuint TGA4516 is a High Power MMIC                                     VD = 6V, ID = 1050mA
Amplifier for Ka-band applications. The part
is designed using TriQuint's 0.15um power                          25          S21
pHEMT process. The small chip size is                              20
achieved by utilizing TriQuint's 3 metal layer  S-Parameters (dB)  15                                         S22
interconnect (3MI) design technology that                          10                       S11
allows compaction of the design over
competing products.                                                  5     32       34  36                               38  40
                                                                     0
The TGA4516 provides >33 dBm saturated                              -5
output power, and has typical gain of 18 dB at                     -10
a bias of 6V and 1050mA (Idq). The current                         -15
rises to 1.9A under RF drive.                                      -20
                                                                   -25
This HPA is ideally suited for many                                -30
applications such as Military Radar Systems,                       -35
Ka-band Sat-Com, and Point-to-Point
Radios.                                                                30

                                                                                    Frequency (GHz)

                                                Pout (dBm)                                            Pout @ Pin =20dBm
                                                                   35
                                                                   34
                                                                   33
                                                                   32

The TGA4516 is 100% DC and RF tested                               31
on-wafer to ensure performance compliance.
                                                                   30

                                                                       30  32       34  36                               38  40

                                                                                    Frequency (GHz)

     Note: This Devices is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to
     change without notice.

TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994 8504 Email: Info-mmw@tqs.com Web: www.triquint.com 1
                                                Advance Product Information

                                                                                 December 2, 2004

                                                                           TGA4516

                     TABLE I
           MAXIMUM RATINGS 1/

SYMBOL                       PARAMETER             VALUE                 NOTES
      V+   Positive Supply Voltage                     8V                     2/
      V-   Negative Supply Voltage Range
      I+   Positive Supply Current                -5 TO 0 V                 2/ 3/
     I G   Gate Supply Current                          3A                    3/
     P IN  Input Continuous Wave Power
      PD   Power Dissipation                         85 mA                  2/ 4/
     TCH   Operating Channel Temperature           267 mW                   5/ 6/
      TM   Mounting Temperature (30 Seconds)
    TSTG   Storage Temperature                       7.8 W
                                                    150 oC
                                                    320 oC
                                                -65 to 150 oC

1/ These ratings represent the maximum operable values for this device.

2/ Combinations of supply voltage, supply current, input power, and output power shall not
        exceed PD.

3/ Total current for the entire MMIC.

4/ When operated at this bias condition with a base plate temperature of 70 oC, the median life
        is 1E6 hrs.

5/ Junction operating temperature will directly affect the device median time to failure (MTTF).
        For maximum life, it is recommended that junction temperatures be maintained at the lowest
        possible levels.

6/ These ratings apply to each individual FET.

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                                            Advance Product Information

                                                                             December 2, 2004

                                                                       TGA4516

                                          TABLE II
                                   DC PROBE TESTS
                                  (Ta = 25 OC, Nominal)

SYMBOL                  PARAMETER                  MIN.       MAX.    UNITS
                                                               240       mA
IDSS,Q1      Saturated Drain Current               80            -8       V
                                                                -11       V
VBVGS,Q1     Breakdown Voltage Gate-Source -18                 -0.5       V

VBVGD,Q1-Q6  Breakdown Voltage Gate-Drain          -18

VP,Q1-Q6     Pinch_off Voltage                     -1.5

Q1- Q4 are 400 um FETs, Q5 is 2560 um FET, Q6 is 4160 um FET

                              TABLE III
             ELECTRICAL CHARACTERISTICS

                      (Ta = 25 OC, Nominal)

                    PARAMETER                      TYPICAL            UNITS

Drain Operating                                          6               V
Quiescent Current                                     1050              mA
Frequency Range                                      30 - 40           GHz
Small Signal Gain, S21                                                   dB
Input Return Loss, S11                                  18               dB
Output Return Loss, S22                                 10               dB
Power @ saturated, Psat                                  7             dBm
                                                        33

                                  TABLE IV

                        THERMAL INFORMATION

             Parameter            Test Conditions  Tch         RJC     TM

                                                   (oC)       (oC/W)  (HRS)

                                  Vd = 6 V                     10.2   1E+6

RJC Thermal Resistance            Id = 1700 mA     150
(channel to backside of carrier)  Freq = 35 GHz

                                  Pdiss = 7.8 W

           Note: Assumes eutectic attach using 1.5 mil 80/20 AuSn mounted to a 20 mil CuMo Carrier at 70C baseplate temperature.
           Worst case is at saturated output power when DC power consumption rises to 10.6 W with 2.3 W RF power delivered to load.
           Power dissipated is 8.2 W and the temperature rise in the channel is 84 C. Baseplate temperature must be reduced to 66 C to
           remain below the 150 C maximum channel temperature.

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                                                                                                                  December 2, 2004

                                                                                                            TGA4516

                                Fixtured Performance

                                                                    Vds=6V, Idq=1050mA

                   25

                   20
                                                                        S21

                   15

                   10

S-Parameters (dB)  5

                   0

                   -5

                   -10                                                                                 S22

                   -15

                   -20                                                                        S11

                   -25

                   -30

                   -35

                   -40

                        28  30  32                                           34  36                38       40             42

                                    Frequency (GHz)

                                TGA4516 Pout @ Pin =20dBm
                                      Vds=6V, Idq=1050mA

                   35
                                                                                                                Pin=20dBm

                   34

                   33

Pout (dBm)         32
                   31

                   30
                   29

                   28

                   27

                   26

                   25

                        28  30  32                                           34  36                38       40             42

                                                                             Frequency (GHz)

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            40                                 Advance Product Information
            35
            30                                                                              December 2, 2004
            25
            20                                                                 TGA4516
            15
            10              Fixtured Performance

               -10                        TGA4516 Pout vs. Pin
                                freq=35GHz, Vds=6V, Idq=1050mA

                                                                                                                          30

                    Pout
                    Large Signal Gain

                                                                                                                          25

                                                                      20

Pout (dBm)                                                            15    Gain (dB)

                                                                      10

                                                                      5

                                                                      0

                    -5    0  5  10         15                 20  25

                                Pin (dBm)

                                    TGA4516 Ids vs. Pin
                          freq=35GHz, Vds=6V, Idq=1050mA

            40      Pout                                              2200
            35      Ids                                               2000
            30                                                        1800
Pout (dBm)  25                                                        1600  IDS (mA)
            20                                                        1400
            15      -5    0  5  10         15             20          1200
            10                                                        1000
                                                                  25
               -10

                             Pin (dBm)

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                               Advance Product Information

                                                                        December 2, 2004

                                                              TGA4516

              Mechanical Drawing

Units: Millimeters [inches]
Thickness: 0.100 [0.004] (reference only)
Chip edge to bond pad dimensions are shown to center of bond pad
Chipsize: 2.79 x 2.315 [0.110 x 0.091] +/- 0.51 [0.002]
RF Ground is backside of MMIC

Bond pad #1   (RF Input)   0.100 x 0.200 [0.004 x 0.008]
Bond pad #2   (Vg2)        0.100 x 0.100 [0.004 x 0.004]
Bond pad #3   (Vd12)       0.100 x 0.200 [0.004 x 0.008]
Bond pad #4   (Vg3)        0.100 x 0.100 [0.004 x 0.004]
Bond pad #5   (Vd3)        0.100 x 0.100 [0.004 x 0.004]
Bond pad #6   (RF Output)  0.100 x 0.200 [0.004 x 0.008]
Bond pad #7   (Vd3)        0.100 x 0.200 [0.004 x 0.008]
Bond pad #8   (Vg3)        0.100 x 0.100 [0.004 x 0.004]
Bond pad #9   (Vd12)       0.100 x 0.200 [0.004 x 0.008]
Bond pad #10  (Vg2)        0.100 x 0.100 [0.004 x 0.004]

   GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
   be observed during handling, assembly and test.

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                                                    Advance Product Information

                                                                                                           December 2, 2004

                                                                                       TGA4516

                          Chip Assembly Diagram

    GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
    be observed during handling, assembly and test.

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                                                                                       TGA4516
                                    Assembly Process Notes

      Reflow process assembly notes:
                   Use AuSn (80/20) solder with limited exposure to temperatures at or above 300C (30 seconds max).
                   An alloy station or conveyor furnace with reducing atmosphere should be used.
                   No fluxes should be utilized.
                   Coefficient of thermal expansion matching is critical for long-term reliability.
                   Devices must be stored in a dry nitrogen atmosphere.

      Component placement and adhesive attachment assembly notes:
                   Vacuum pencils and/or vacuum collets are the preferred method of pick up.
                   Air bridges must be avoided during placement.
                   The force impact is critical during auto placement.
                   Organic attachment can be used in low-power applications.
                   Curing should be done in a convection oven; proper exhaust is a safety concern.
                   Microwave or radiant curing should not be used because of differential heating.
                   Coefficient of thermal expansion matching is critical.

      Interconnect process assembly notes:
                   Thermosonic ball bonding is the preferred interconnect technique.
                   Force, time, and ultrasonics are critical parameters.
                   Aluminum wire should not be used.
                   Maximum stage temperature is 200 C.

    GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
    be observed during handling, assembly and test.

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