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TGA4509-EPU

器件型号:TGA4509-EPU
器件类别:微波射频   
文件大小:153.23KB,共0页
厂商名称:TRIQUINT [TriQuint Semiconductor]
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

27000 MHz - 31000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER

27000 MHz - 31000 MHz 射频/

参数

TGA4509-EPU最大工作温度 85 Cel
TGA4509-EPU最小工作温度 -40 Cel
TGA4509-EPU最大输入功率 22 dBm
TGA4509-EPU最大工作频率 31000 MHz
TGA4509-EPU最小工作频率 27000 MHz
TGA4509-EPU加工封装描述 0.096 × 0.045 INCH, 0.004 INCH HEIGHT, DIE-13
TGA4509-EPU状态 DISCONTINUED
TGA4509-EPU结构 COMPONENT
TGA4509-EPU微波射频类型 WIDE 波段 MEDIUM POWER

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TGA4509-EPU器件文档内容

                                                                                Advance Product Information

                                                                                                                      Jan 17, 2005

27 - 31 GHz 1W Power Amplifier                                                                          TGA4509-EPU

                                                                      Key Features

                                                                      22 dB Nominal Gain @ 30 GHz
                                                                      30 dBm Nominal Pout @ P1dB
                                                                      25% PAE @ P1dB
                                                                      -10 dB Nominal Return Loss
                                                                      Built-in Power Detector
                                                                      0.25-m mmW pHEMT 3MI
                                                                      Bias Conditions: Vd = 4 - 6 V, Idq = 420 mA
                                                                      Chip Dimensions 2.44 mm x 1.15 mm x 0.1 mm

                                                                                                         (0.096 x 0.045 x 0.004 in)

                                                                       Primary Applications

                                                                        Point to Point Radio
                                                                        Point to Multi-point Radio
                                                                        LMDS
                                                                        Satellite Ground Terminal

                                             Fixtured Measured Performance

                                            Bias Conditions: Vd = 6 V, Id =420 mA

                                    30

                                    25

                                    20

                                    15                                          S21

                                    10

            Sij (dB)                5

                                    0

                                    -5

                                    -10

                                    -15

                                    -20      S22            S11

                                    -25

                                    -30

                                         25       26        27       28     29  30        31  32  33    34

                                                                         Frequency (GHz)                     1000
                                                                                                             800
                                    32                                                                       600
                                                                                                             400
                                    30                                                                       200
                                                                                                             0
            Pout (dBm) & Gain (dB)  28                                                                  21

Data taken                          26
@ 30 GHz
                                    24                      Pout                                                   IDS (mA)

                                    22

                                    20            Gain

                                    18

                                    16                           IDS

                                    14

                                    12

                                    10

                                         -12 -9         -6       -3      0  3   6      9      12 15 18

                                                                            Pin (dBm)

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994 8504 Web: www.triquint.com                                             1
                       Advance Product Information

                                                                  Jan 17, 2005

                                                                TGA4509-EPU

                   TABLE I
         MAXIMUM RATINGS 1/

Symbol                    Parameter                Value         Notes
   V+    Positive Supply Voltage                    7V           2/, 5/
    V-   Negative Supply Voltage Range                           3/, 4/
         Gate Current                          -5 V to 0 V
   |Ig|  Positive Supply Current                 35.2 mA
    I+   Power Dissipation                       930 mA
         Input Continuous Wave Power                TBD
   PD    Operating Channel Temperature           22 dBm
   PIN   Mounting Temperature (30 seconds)        150 C
   TCH   Storage Temperature                      320 C

   TM                                       -65 C to 150 C

  TSTG

1/ These values represent the maximum operable values of this device
2/ Total current for the entire MMIC
3/ These ratings apply to each individual FET
4/ Junction operating temperature will directly affect the device mean time to

        failure (MTTF). For maximum life it is recommended that junction
        temperatures be maintained at the lowest possible levels.
5/ The maximum supply current from one side is 650 mA. From both sides, the
        maximum supply current is 930 mA.

                          TABLE II
         ELECTRICAL CHARACTERISTICS

                  (TA = 25oC, Nominal)

                       Parameter                Units   Typical

Drain Operating Voltage                            V        6
Quiescent Current                                 mA      420
Small Signal Gain @ 30 GHz                        dB       22
Gain Flatness                                 dB/50MHz  0.0660
Input Return Loss (Linear Small Signal)           dB       -10
Output Return Loss (Linear Small Signal)          dB      -10
Reverse Isolation                                 dB      -40
CW Output Power @ P1dB                           dBm       30
Power Added Efficiency @ P1dB                      %       25
P1dB temperature coeff. TC (-40 to +85 C)  dB/deg C    0.0135

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

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                                                                         Advance Product Information

                                                                                                                         Jan 17, 2005
                                                                                                                      TGA4509-EPU

                                                     Measured Fixtured Data

                                              Bias Conditions: Vd = 6 V, Id = 420 mA

                             26

                             24

                             22

                             20

                  Gain (dB)  18

                             16

                             14

                             12

                             10

                             8

                             6

                                 26       27  28  29  30  31       32  33  34

                                                  Frequency (GHz)

Return Loss (dB)             0

                                     S11

                             -5

                  -10 S22
                  -15

                  -20

                  -25

                  -30
                       25 26 27 28 29 30 31 32 33 34

                                                      Frequency (GHz)

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

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                                                      Advance Product Information

                                                                                                      Jan 17, 2005
                                                                                                   TGA4509-EPU

                                  Measured Fixtured Data

                           Bias Conditions: Vd = 6 V, Id = 420 mA

             32

                     Psat

             31

Power (dBm)  30

                            Pout @ P1dB (dBm)

             29

             28

             27

             26
                 27 27.5 28 28.5 29 29.5 30 30.5 31 31.5 32 32.5 33 33.5

                                                Frequency (GHz)

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

                 TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994 8504 Web: www.triquint.com                            4
Vg (optional)                                         Advance Product Information

                      0.01 PF                                                                        Jan 17, 2005
                                                                                                  TGA4509-EPU

                               Recommended Assembly Diagram

                                                    Vd

                                                   0.01 PF

Reference  100pF               100pF                             0.01PF DQ
Diode                                                            cap
                                                                 (opt.)

Input                                                            Output
TFN                                                              TFN

           100pF                                          100pF  Power
                  0.01 PF             0.01 PF                    Detector

                                         Vd (optional)

                   Vg

                                    Notes:
                                    1. Connection to power det, ref diode shown.
                                    2. 1 F cap on gate & drain power supplies are lines required.
                                    3. Gate voltage can either be from one side or both sides.
                                    4. Drain voltage is required from both sides for Id > 650 mA.

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

       TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994 8504 Web: www.triquint.com                                      5
                                                         Advance Product Information

                                                                                                            Jan 17, 2005
                                                                                                          TGA4509-EPU

                                   On-chip diode functions as envelope detector
                                   External coupler and DC bias required

                          TGA4509 measured detector voltage offset vs output power with 20dB
                           coupler: Vb=0.8V, f = 30GHz, Coupler loss is uncalibrated, 10K load
                      10

Detector voltage (V)  1

                      0.1

0.01                       10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
      8                                                     Pout (dBm)

                           Video out       TGA4509                   External coupler
                           (Vdet)                                          (-20dB)
                                            RF
                                            OUT      50:

                                      C=2pF         External
                                                    DC bias

                           10K:

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

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               Advance Product Information

                                                           Jan 17, 2005
                                                        TGA4509-EPU

Mechanical Drawing

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

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                                                   Advance Product Information

                                                                                                           Jan 17, 2005
                                                                                                        TGA4509-EPU

                                   Assembly Process Notes

Reflow process assembly notes:

          Use AuSn (80/20) solder with limited exposure to temperatures at or above 300 C for 30 sec.
          An alloy station or conveyor furnace with reducing atmosphere should be used.
          No fluxes should be utilized.
          Coefficient of thermal expansion matching is critical for long-term reliability.
          Devices must be stored in a dry nitrogen atmosphere.

Component placement and adhesive attachment assembly notes:

          Vacuum pencils and/or vacuum collets are the preferred method of pick up.
          Air bridges must be avoided during placement.
          The force impact is critical during auto placement.
          Organic attachment can be used in low-power applications.
          Curing should be done in a convection oven; proper exhaust is a safety concern.
          Microwave or radiant curing should not be used because of differential heating.
          Coefficient of thermal expansion matching is critical.

Interconnect process assembly notes:

          Thermosonic ball bonding is the preferred interconnect technique.
          Force, time, and ultrasonics are critical parameters.
          Aluminum wire should not be used.
          Discrete FET devices with small pad sizes should be bonded with 0.0007-inch wire.
          Maximum stage temperature is 200 C.

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

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