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TGA4505

器件型号:TGA4505
器件类别:微波射频   
文件大小:236.5KB,共0页
厂商名称:TRIQUINT [TriQuint Semiconductor]
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

24000 MHz - 31000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER

24000 MHz - 31000 MHz 射频/

参数

TGA4505最大输入功率 24 dBm
TGA4505最大工作频率 31000 MHz
TGA4505最小工作频率 24000 MHz
TGA4505加工封装描述 0.169 X 0.119 INCH, 0.002 INCH HEIGHT, ROHS COMPLIANT, DIE-14
TGA4505无铅 Yes
TGA4505欧盟RoHS规范 Yes
TGA4505状态 EOL/LIFEBUY
TGA4505结构 COMPONENT
TGA4505端子涂层 MATTE TIN/GOLD
TGA4505微波射频类型 WIDE BAND HIGH POWER

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TGA4505器件文档内容

                                                Advance Product Information

                                                                                     July 22, 2005

4 Watt Ka Band HPA                                                   TGA4505

   Product Description                          Key Features
   The TriQuint TGA4505 is a compact 4
   Watt High Power Amplifier MMIC for Ka-       Frequency Range: 24-31 GHz
   band applications. The part is designed       23 dB Nominal Gain
   using TriQuint's proven standard 0.25 um      35.5 dBm Nominal P1dB @30 GHz
   gate Power pHEMT production process.          36.0 dBm Nominal Psat @30 GHz
   The TGA4505 provides a nominal 35.5          40 dBc at SCL Pout 20dBm
   dBm of output power at 1 dB gain             0.25 um pHEMT 2MI Technology
   compression from 24-32 GHz with a small       Bias 6 V @ 2.1 A Idq
   signal gain of 23 dB.                         Chip size 4.29 x 3.02 x .05 mm
   The part is ideally suited for low cost
   emerging markets such as base station              (0.169 x 0.119 x 0.002 in)
   transmitters for satellite ground terminals
   and point to point radio.                    Primary Applications
   The TGA4505 is 100% DC and RF tested
   on-wafer to ensure performance                Satellite Ground Terminal
   compliance.                                  Point-to-Point Radio
   Lead-free and RoHS compliant.
                                                                                      Fixtured Data
                                                                     Bias Conditions: Vd = 6 V, Idq = 2.1A

                                                             30                                                        36

                                                             25 Gain                                                   30

                                                             20                                                        24

                                                             15                                                        18                                                                       Return Loss (dB)

                                                Gain (dB)    10                Input                                   12

                                                                 5                                                     6

                                                                 0                                                     0

                                                                 -5                                                    -6

                                                             -10                                                       -12

                                                             -15                                                       -18

                                                             -20 Output                                                -24

                                                             -25                                                       -30

                                                                     20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40

                                                                                          Frequency (GHz)

                                                             38

                                                             37

                                                                         Psat

                                                             36

                                                Power (dBm)  35

                                                                        P1dB

                                                             34

                                                             33

                                                             32

                                                             31

                                                             30

                                                                 26            27     28  29               30  31  32

                                                                                          Frequency (GHz)

       Note: This device is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to
       change without notice.

                                                                                                                                                                                             1
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                                                                                  July 22, 2005

                                              TABLE I                             TGA4505
                                      MAXIMUM RATINGS

Symbol                          Parameter 1/                          Value       Notes

    V+     Positive Supply Voltage                                       8V          2/
    V-     Negative Supply Voltage Range                            -5V TO 0V
    I+     Positive Supply Current:                                                  2/
   | IG |  Gate Supply Current                                           4A
   PIN     Input Continuous Wave Power                                 62 mA         2/
    PD     Power Dissipation                                          24 dBm       2/, 3/
   TCH     Operating Channel Temperature                               17.2 W      4/, 5/
    TM     Mounting Temperature                                        150 0C
           (30 Seconds)                                                320 0C
   TSTG    Storage Temperature
                                                                   -65 to 150 0C

1/ These ratings represent the maximum operable values for this device.

2/ Combinations of supply voltage, supply current, input power, and output power shall not exceed PD.
3/ When operated at this bias condition with a base plate temperature of 70 0C, the

       median life is 1E+6 hours.

4/ Junction operating temperature will directly affect the device median time to failure (TM). For
       maximum life, it is recommended that junction temperatures be maintained at the lowest possible
       levels.

5/ These ratings apply to each individual FET.

                           TABLE II
                     DC PROBE TEST
                   (TA = 25 qC, nominal)

           NOTES   SYMBOL                            LIMITS        UNITS

             1/       IDSS(Q35)               MIN            MAX     mA
             1/       GM (Q35)                                       mS
           1/, 2/  |VP(Q1, Q9, Q35)|          15             70.5     V
           1/, 2/   |VBVGS(Q35)|              33             79.5     V
           1/, 2/   |VBVGD(Q35)|              0.5            1.5      V
                                              11              30
                                              11              30

                   1/ Q35 is a 150 um Test FET
                   2/ VP, VBVGD, and VBVGS are negative.

                                                                                                                                                                                             2
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                         TABLE III                          TGA4505-EPU
         RF CHARACTERIZATION TABLE

                 (TA = 25qC, Nominal)
                  (Vd = 6V, Id = 2.1A)

SYMBOL     PARAMETER              TEST             TYPICAL  UNITS
   Gain  Small Signal Gain   CONDITION                 23     dB

                            F = 24-31 GHz

IRL      Input Return Loss F = 24-31 GHz           6        dB

ORL      Output Return Loss F = 24-31 GHz          12       dB

PWR Output Power @ P1dB F = 24-31 GHz              35       dBm

Note: Table III Lists the RF Characteristics of typical devices as determined by
fixtured measurements.

                                    TABLE IV
                         THERMAL INFORMATION

         Parameter        Test Conditions     TCH   RTJC      TM
                                             (oC)  (qC/W)   (HRS)
RJC Thermal              Vd = 6V           128
Resistance               ID = 2.05 A                   4.7 7.4E+6
(channel to backside of  Pdiss = 12.3 W
carrier)

Note: Assumes eutectic attach using 1.5 mil 80/20 AuSn mounted to a 20 mil
CuMo Carrier at 70C baseplate temperature. Worst case is at saturated output
power when DC power consumption rises to 23 W with 4 W RF power
delivered to load. Power dissipated is 19 W and the temperature rise in the

channel is 88 C. Baseplate temperature must be reduced to 62 C to
remain below the 150 C maximum channel temperature.

                                                                                                                                                                                             3
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                                                                                                     July 22, 2005

                                                                                      TGA4505-EPU

                                      Measured Fixtured Data

                               Bias Conditions: Vd = 6 V, Id = 2.1 A

           30                                                   36

           25 Gain                                              30

           20                                                   24

           15                                                   18   Return Loss (dB)

Gain (dB)  10        Input                                      12

             5                                                  6

             0                                                  0

           -5                                                   -6

           -10                                                  -12

           -15                                                  -18

           -20 Output                                           -24

           -25                                                  -30

                20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40

                                   Frequency (GHz)

             38

             37      Psat

Power (dBm)  36

             35

                         P1dB

             34

             33

             32

             31

             30

                 26            27  28  29           30  31  32

                                   Frequency (GHz)

                                                                                                                                                                                             4
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                                                                                              July 22, 2005

                                                                               TGA4505-EPU
                               Measured Fixtured Data

                        Bias Conditions: Vd = 6 V, Id = 2.1 A

                    40             Data taken @ 30 GHz              4.2

Pout (dBm) & Power  35                                              3.9
   Gain (dB)
                    30  Pout                                        3.6

                    25                                              3.3            Ids (A)

                    20                                              3

                    15  Gain                                        2.7

                    10                                              2.4

                    5         Ids                                             2.1

                    0                                                         1.8
                                                 11 13 15 17 19
                        -5 -3 -1 1 3  579

                                      Pin (dBm)

                    60

                    50

                                                                                   24 GHz

IMD3 (dBc)          40                                                             25 GHz
                                                                                   26 GHz

                                                                                   27 GHz

                    30                                                             28 GHz

                                                                                   29 GHz

                    20                                                             30 GHz
                                                                                   31 GHz

                                                                                   32 GHz

                    10

                    0
                      12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32

                                       Output Power per tone (dBm)

                                                                                                                                                                                             5
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                                                                                July 22, 2005

                                                                                TGA4505-EPU

                                    Mechanical Drawing

                         d      d   d                       d   d     d
                         "      %                           '   %
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                                    %
                                    
                         b     b                                    
                                                            b  b    b
                         "      &   b                      (         '
                                    
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                                                            "   "

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                  "         "   &                           %         '
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                                                                                           Vv)vyyvrrvpur
                                                                                            Uuvpxr)$!rsrrpry
                                                                                            8uvrqtriqhqqvrvhruprrshq
                                                                                            8uvvr)$ !

                                                                                            BI9DT768FTD9@PAHHD8

                                                                                           7qQhq )SADI "!$$'
                                                                                           7qQhq!)WB ''""
                                                                                           7qQhq")W9 #" "%#
                                                                                           7qQhq#)WB! $ $##
                                                                                           7qQhq$)W9!!$ $'#
                                                                                           7qQhq%)WB"''""
                                                                                           7qQhq&)W9"($ "#$
                                                                                           7qQhq')SAPVU "!$$'
                                                                                           7qQhq()W9"($ "#$
                                                                                           7qQhq )WB"''""
                                                                                           7qQhq )W9!!$ #$'%
                                                                                           7qQhq !)WB! $ $##
                                                                                           7qQhq ")W9 #$ $%#
                                                                                           7qQhq #)WB ''""

   GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
   be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                             6
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Recommended Chip Assembly & Bonding Diagram
                 Both-Sided Biasing Option

9G9G        9G

    XI  XI

SI      SI      SI

SI      SI      SI

XI      XI

9J9J9J  9G

    GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
    be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                             7
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Alternative Chip Assembly & Bonding Diagram
              Single-Side Biasing Option

       9J9J9J  9G9G  9G

       XI      XI    XI

       SI SI SI SI SI

5) ,1                    5) 287

                     SI

    GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
    be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                             8
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                                     Assembly Process Notes

Reflow process assembly notes:
             Use AuSn (80/20) solder with limited exposure to temperatures at or above 300C
                  (for 30 sec max).
             An alloy station or conveyor furnace with reducing atmosphere should be used.
             No fluxes should be utilized.
             Coefficient of thermal expansion matching is critical for long-term reliability.
             Devices must be stored in a dry nitrogen atmosphere.

Component placement and adhesive attachment assembly notes:
             Vacuum pencils and/or vacuum collets are the preferred method of pick up.
             Air bridges must be avoided during placement.
             The force impact is critical during auto placement.
             Organic attachment can be used in low-power applications.
             Curing should be done in a convection oven; proper exhaust is a safety concern.
             Microwave or radiant curing should not be used because of differential heating.
             Coefficient of thermal expansion matching is critical.

Interconnect process assembly notes:
             Thermosonic ball bonding is the preferred interconnect technique.
             Force, time, and ultrasonics are critical parameters.
             Aluminum wire should not be used.
             Discrete FET devices with small pad sizes should be bonded with 0.0007-inch wire.
             Maximum stage temperature is 200C.

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

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