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TGA4046

器件型号:TGA4046
器件类别:微波射频   
厂商名称:TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo) [TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo)]
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

41000 MHz - 46000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER

41000 MHz - 46000 MHz 射频/微波宽带高功率放大器

参数

TGA4046最大输入功率 29 dBm
TGA4046最大工作频率 46000 MHz
TGA4046最小工作频率 41000 MHz
TGA4046加工封装描述 0.136 × 0.173 INCH, 0.004 INCH HEIGHT, ROHS COMPLIANT, DIE-10
TGA4046无铅 Yes
TGA4046欧盟RoHS规范 Yes
TGA4046状态 ACTIVE
TGA4046结构 COMPONENT
TGA4046端子涂层 MATTE 锡/金
TGA4046微波射频类型 WIDE 波段 高 POWER

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TGA4046器件文档内容

                                                  Advance Product Information

                                                                                 February 10, 2006

2W Q-Band High Power Amplifier                                                 TGA4046

                                                  Key Features

                                                   Typical Frequency Range: 41 - 46 GHz
                                                   Typical 33dBm Psat, 32dBm P1dB
                                                   17 dB Nominal Gain
                                                   16 dB Nominal Return Loss
                                                   Bias: 6 V, 2 A
                                                   0.15 um 3MI pHEMT Technology
                                                   Chip Dimensions 3.45 x 4.39 x 0.10 mm

                                                                           (0.136 x 0.173 x 0.004 in)

                                                  Primary Applications

                                                   Sat - Com

Product Description                                                      Measured Fixtured Data

The TriQuint TGA4046 is a compact High Power                               Bias Conditions: Vd = 6 V, Id = 2 A
Amplifier MMIC for Q-band applications. The part                    20
is designed using TriQuint's 0.15um gate power
pHEMT process.                                                      15   GAIN

The TGA4046 nominally provides 33dBm of           S-Parameter (dB)  10
Saturated Output Power, and 32dBm Output
Power at 1dB gain compression from 41 - 46GHz.                      5
The MMIC also provides 17dB Gain and 16dB
Return Loss.                                                        0

The part is ideally suited for markets such as                      -5
Satellite Communications both commercial and
military.                                                           -10  IRL              ORL
                                                                    -15
The TGA4046 is 100% DC and RF tested on-
wafer to ensure performance compliance.                             -20

Lead-Free & RoHS compliant.                                         -25

                                                                    -30

                                                                         40 41 42 43 44 45 46 47 48

                                                                         Frequency (GHz)

                                                                    35                    Psat

                                                                    34

                                                                    33

                                                  Power (dBm)       32   P1dB

                                                                    31

                                                                    30

                                                                    29

                                                                    28

                                                                    27

                                                                    26

                                                                    25

                                                                         40 41 42 43 44 45 46 47 48

                                                                         Frequency (GHz)

Note: Devices is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to change without

notice
                                                                                                                                                                                              1

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                                                                               February 10, 2006

                                                                                   TGA4046

                     TABLE I
           MAXIMUM RATINGS 1/

SYMBOL     PARAMETER                            VALUE                    NOTES

Vd     Drain Voltage                                6.5 V                2/
Vg     Gate Voltage Range                        -2 TO 0 V
Id     Drain Current                                                    2/ 3/
Ig      Gate Current                                  3A                  3/
PIN    Input Continuous Wave Power                112 mA
PD     Power Dissipation                           29 dBm               2/ 4/
TCH     Operating Channel Temperature                                    5/ 6/
TM     Mounting Temperature (30 Seconds)            16 W
TSTG    Storage Temperature                         150 0C
                                                    320 0C
                                                -65 to 150 0C

1/ These ratings represent the maximum operable values for this device.

2/ Combinations of supply voltage, supply current, input power, and output power shall not exceed PD.
3/ Total current for the entire MMIC.
4/ When operated at this bias condition with a base plate temperature of 700C, the median life is

1E+6 hrs.

5/ Junction operating temperature will directly affect the device median time to failure (MTTF). For
       maximum life, it is recommended that junction temperatures be maintained at the lowest possible
       levels.

6/ These ratings apply to each individual FET.

                                                                                                                                                                                              2
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                                                                          February 10, 2006

                                                                             TGA4046

                             TABLE II
           ELECTRICAL CHARACTERISTICS

                     (Ta = 25 0C Nominal)

                         PARAMETER         TYPICAL            UNITS
Frequency Range                              41 - 46            GHz
Drain Voltage, Vd                               6.0               V
Drain Current, Id                                2                A
Gate Voltage, Vg                               -0.6               V
Small Signal Gain, S21                          17               dB
Input Return Loss, S11                          18               dB
Output Return Loss, S22                         20               dB
Output Power @ 1dB Gain Compression, P1dB       32             dBm
Saturated Power, Psat                           33              dBm

                                   TABLE III
                        THERMAL INFORMATION

PARAMETER               TEST CONDITIONS    TCH         RTJC      TM
                                           (OC)       (qC/W)  (HRS)

RJC Thermal Resistance  Vd = 6 V           129          4.9   6.4E+6
(channel to Case)       Id = 2 A
                        Pdiss = 12 W

Note: Assumes eutectic attach using 1.5 mil 80/20 AuSn mounted to a 20 mil CuMo
Carrier at 70oC baseplate temperature. Worst case condition with no RF applied, 100%
of DC power is dissipated.

                                                                                                                                                                                              3
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                                                      February 10, 2006

                       Measured Data                                                             TGA4046

                                                            Bias Conditions: Vd = 6 V, Id = 2 A
                  22

                  20

                  18

                  16

                  14

Gain (dB)         12

                  10

                  8

                  6

                  4

                  2

                  0
                    35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48

                       Frequency (GHz)

                  0

                  -2

                  -4

                  -6

                  -8

Return Loss (dB)  -10

                  -12                                                                            ORL

                  -14

                  -16  IRL

                  -18

                  -20

                  -22

                  -24

                  -26

                  -28

                  -30

                       35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48

                       Frequency (GHz)

                                                                                                                                                                                              4
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                                                                                            February 10, 2006

                                                     Measured Data                            TGA4046

                                                 Bias Conditions: Vd = 6 V, Id = 2 A

                        35                             Psat

                        34                             P1dB

Power (dBm)             33

                        32         41     42     43    44             45              46  47  48

                        31                           Frequency (GHz)

                        30                             @ 45 GHz

Pout (dBm) & Gain (dB)  29                       Pout
                                                 Gain
                        28
                                2      4      6  8 10 12 14 16 18 20 22
                        27

                        26

                        25
                            40

                        36
                        34
                        32
                        30
                        28
                        26
                        24
                        22
                        20
                        18
                        16
                        14
                        12
                        10

                             0

                                                       Pin (dBm)

                                                                                                                                                                                              5
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                                     Advance Product Information

                                                                    February 10, 2006

                                                                       TGA4046

                Mechanical Drawing

             0.443 0.868             2.062     3.300 3.349
             (0.017) (0.034)         (0.081)   (0.130) (0.130)

4.386        2  3                    4         5                              4.281
(0.173)                                                                       (0.169)

                                                                              2.771

                                               6                              2.575
                                                                              (0.101)

                                                                              2.390

1.997

1.811     1
(0.071)

1.626

0.095        10 9                    8         7                              0.105
(0.004)
                                                                              (0.004)
       0

          0 0.443 0.868              2.062     3.300 3.446
                  (0.017) (0.034)    (0.081)   (0.130) (0.136)

          Units: millimeters (inches)
          Thickness: 0.100 (0.004)
          Chip edge to bond pad dimensions are shown to center of bond pad
          Chip size tolerance: +/- 0.051 (0.002)
          GND is back side of MMIC

          Bond pad #1:               (RF In)   0.114 x 0.200 (0.004 x 0.008)
          Bond pad #2, #4, #8, #10:  (Vg)      0.100 x 0.100 (0.004 x 0.004)
          Bond pad #3, #9:           (Vd)      0.150 x 0.100 (0.006 x 0.004)
          Bond pad #5, #7:           (Vd)      0.200 x 0.120 (0.008 x 0.005)
          Bond pad #6:               (RF Out)  0.105 x 0.200 (0.004 x 0.008)

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

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                                                                         February 10, 2006

                                                                      TGA4046

Recommended Chip Assembly Diagram

       Vg      Vd

       Top     Top

       100pF 100pF 100pF 100pF .01uF

                       RF OUT

RF IN

       100pF 100pF 100pF 100pF .01uF

          Vg     Vd
       Bottom  Bottom

The TFNs at both RF in and RF out are flare TFNs with dimensions of 0.01 x 0.03 in on 0.01 in thick
Alumina substrate.

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

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                                                                             TGA4046

         Recommended Test Setup Diagram

         R=20 :       C=33uF
              C=15uF

Gate                             Drain
Voltage                          Voltage

         Vg Top       Vd Top
         Vg Bottom    Vd Bottom

                            Biasing setup procedures

(1) Recommend use conductive thermal grease underneath carrier
     for proper operation. Also use cooling fan to improve heat dissipation.

(2) Before applying bias, set gate supply voltage to -1.5V and
     current limit to 4mA on each half of the amplifier, then apply the bias to gate.

(3) Set drain supply voltage to 1V and current limit to 1.6A on each half of the amplifier,
     then apply the bias to drain.

(4) Slowly increase the gate supply voltage and check the drain current, if drain
     current slowly increases, then increase drain supply voltage slowly to 6V.

(5) Slowly adjust gate supply voltage to obtain a drain current of 1A quiescent on each
     half of the amplifier.

                                                                                                                                                                                              8
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                                                                                               TGA4046
                                      Assembly Process Notes

        Reflow process assembly notes:
                     Use AuSn (80/20) solder with limited exposure to temperatures at or above 3000C (30 seconds max).
                     An alloy station or conveyor furnace with reducing atmosphere should be used.
                     No fluxes should be utilized.
                     Coefficient of thermal expansion matching is critical for long-term reliability.
                     Devices must be stored in a dry nitrogen atmosphere.

        Component placement and adhesive attachment assembly notes:
                     Vacuum pencils and/or vacuum collets are the preferred method of pick up.
                     Air bridges must be avoided during placement.
                     The force impact is critical during auto placement.
                     Organic attachment can be used in low-power applications.
                     Curing should be done in a convection oven; proper exhaust is a safety concern.
                     Microwave or radiant curing should not be used because of differential heating.
                     Coefficient of thermal expansion matching is critical.

        Interconnect process assembly notes:
                     Thermosonic ball bonding is the preferred interconnect technique.
                     Force, time, and ultrasonics are critical parameters.
                     Aluminum wire should not be used.
                     Maximum stage temperature is 2000C.

      GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
      be observed during handling, assembly and test.

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