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TGA2706-SM

器件型号:TGA2706-SM
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo)
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, QCC24

专业电信电路, QCC24

参数
TGA2706-SM功能数量 1
TGA2706-SM端子数量 24
TGA2706-SM额定供电电压 6 V
TGA2706-SM加工封装描述 5 × 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, QFN-24
TGA2706-SM无铅 Yes
TGA2706-SM欧盟RoHS规范 Yes
TGA2706-SM状态 ACTIVE
TGA2706-SM包装形状 SQUARE
TGA2706-SM包装尺寸 芯片 CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
TGA2706-SM表面贴装 Yes
TGA2706-SM端子形式 NO 铅
TGA2706-SM端子间距 0.6500 mm
TGA2706-SM端子涂层 MATTE 锡/金
TGA2706-SM端子位置
TGA2706-SM包装材料 UNSPECIFIED
TGA2706-SM通信类型 电信电路

TGA2706-SM器件文档内容

                                                               TGA2706-SM

                    2 Watt C-Band Packaged Power Amplifier

                                                            Key Features
                                                                Frequency Range: 5.5 8.5 GHz
                                                                Power: 34 dBm Psat, 32 dBm P1dB
                                                                Gain: 31 dB
                                                                TOI: 42 dBm
                                                                NF: 7 dB
                                                                Bias: Vd = 6 V, Id = 1.26 A, Vg = +0.6 V Typical
                                                                Package Dimensions: 5 x 5 x 0.85 mm

            Measured Performance                                          Primary Applications

            Bias conditions: Vd = 6 V, Id = 1.26 A, Vg = +0.6 V Typical    Point-to-Point Radio
                                                                           Communications
Pout (dBm)  35
            34                                                            Product Description
            33                               Psat
            32                               P1dB                         The TriQuint TGA2706-SM is a packaged 2 Watt
            31                                                            Power Amplifier for C-band applications. The part
            30      6  6.5  7  7.5      8          8.5                    is designed using TriQuint's proven standard
            29                                                            0.5um E/D pHEMT production process. The
            28         Frequency (GHz)                                    TGA2706-SM provides a nominal 34 dBm of output
            27                                                            power at an input power level of 12 dBm with a
            26                                     0                      small signal gain of 31 dB. Nominal TOI is 42 dBm
            25                                                            and noise figure is 7 dB.
                                                   -2
               5.5                                                        The TGA2706-SM is a QFN 5x5 mm surface
                                                   -4                     mount package. It is ideally suited for low cost
            33                                                            emerging markets such as point to point radio and
            32                                     -6   Return Loss (dB)  communications.
            31
Gain (dB)   30                                     -8                     Lead-Free & RoHS compliant.
            29
            28                                     -10                    Evaluation boards are available upon request.
            27
            26                                     -12
            25
            24                          Gain -14
            23
            22                          IRL        -16

               5.5                                 -18

                                        ORL -20

                                                   -22

                    6 6.5 7 7.5 8 8.5

                       Frequency (GHz)

`                                                                          Datasheet subject to change without notice.

                                                                                                                        1

                    TriQuint Semiconductor: www. triquint.com (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Info-mmw@tqs.com

                                                        July 2013 Rev F
                                                                 TGA2706-SM

                                  Table I
                 Absolute Maximum Ratings 1/

   Symbol                      Parameter                            Value       Notes

     Vd-Vg  Drain to Gate Voltage                                     16 V         2/
       Vd   Drain Voltage                                              13 V        2/
       Vg   Gate Voltage Range                                   -0.65 to +2 V     2/
        Id  Drain Current                                             2.7 A
        Ig  Gate Current Range                                   -16 to 120mA
       Pin  Input Continuous Wave Power                              26 dBm

   1/  These ratings represent the maximum operable values for this device. Stresses beyond those listed

       under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device and / or affect

       device lifetime. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these

       conditions is not implied.

   2/  Combinations of supply voltage, supply current, input power, and output power shall not exceed Pd

       (as listed in "Thermal Information").

                                      Table II
                 Recommended Operating Conditions

       Symbol                      Parameter 1/                  Value

           Vd    Drain Voltage                                   6V
           Idq
       Id_Drive  Drain Current                                   1.26 A
           Vg
                 Drain Current under RF Drive                    1.7 A

                 Gate Voltage                                    +0.6 V

   1/  See assembly diagram for bias instructions.

`                                                                                                         2

       TriQuint Semiconductor: www. triquint.com (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Info-mmw@tqs.com

                                              July 2013 Rev F
                                            TGA2706-SM

                            Table III
               RF Characterization Table

           Bias: Vd = 6 V, Id = 1.26 A, Vg = +0.6 V Typical

   SYMBOL  PARAMETER           TEST               MIN NOMINAL MAX UNITS

                               CONDITIONS

   Gain    Small Signal Gain   F = 5.5 8.5 GHz 27   31                                       dB
    IRL
   ORL     Input Return Loss   F = 5.5 8.5 GHz      -12                                      dB
   Psat
   P1dB    Output Return Loss  F = 5.5 8.5 GHz      -15                                      dB
    TOI
    NF     Saturated Output    F = 5.5 8.5 GHz 32   34                                       dBm
                 Power
                               F = 5.5 8.5 GHz      32                                       dBm
           Output Power @ 1dB
                 Compression   F = 5.5 GHz        39   41                                      dBm
                                                       42                                        dB
           Output TOI          F = 5.9 8.5 GHz 40     7                                      dB/C

           Noise Figure        F = 5.5 8.5 GHz      -0.03

           Gain Temperature    F = 5.5 8.5 GHz
                 Coefficient
                               F = 5.5 8.5 GHz      -0.015                                   dBm/C
           Power Temperature
                 Coefficient

`                                                                                                     3

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                               July 2013 Rev F
                                         TGA2706-SM

                           Table IV
   Power Dissipation and Thermal Properties

           Parameter                                          Test Conditions                    Value

   Maximum Power Dissipation                               Tbaseplate = 85 C                   Pd = 15 W
                                                                                           Tchannel = 200 C

   Thermal Resistance, jc                                  Vd = 6 V                          jc = 7.7 C/W
                                                           Id = 1.26 A                     Tchannel = 143 C
   Thermal Resistance, jc                                  Pd = 7.56 W                      Tm = 1.3E+8 Hrs
        Under RF Drive                                     Tbaseplate = 85 C
                                                                                             jc = 7.7 C/W
   Mounting Temperature                                    Vd = 6 V                        Tchannel = 144 C
    Storage Temperature                                    Id = 1.7 A                       Tm = 1.1E+8 Hrs
                                                           Pout = 34 dBm
                                                           Pd = 7.7 W                             320 C
                                                           Tbaseplate = 85 C                 -65 to 150 C

                                                           30 Seconds

   Median Lifetime (Tm) vs. Channel Temperature

                            1.E+13

                            1.E+12

   Median Lifetime (Hours)  1.E+11

                            1.E+10

                            1.E+09

                            1.E+08

                            1.E+07

                            1.E+06

                            1.E+05

                                                     FET8

                            1.E+04

                                    75                     100  125                150     175  200

                                                                Channel Temperature ( C)

`                                                                                                             4

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                                                                July 2013 Rev F
                          Measured Data      TGA2706-SM

   Gain (dB)         Bias conditions: Vd = 6 V, Id = 1.26 A, Vg = +0.6 V Typical

                     33
                     32
                     31
                     30
                     29
                     28
                     27
                     26
                     25

                        4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10
                                               Frequency (GHz)

                     0

                     -2                      IRL

                     -4

                     -6                      ORL

   Return Loss (dB)  -8

                     -10

                     -12

                     -14

                     -16

                     -18

                     -20

                     -22

                     -24

                     -26

                     -28

                     -30

                          4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

                          Frequency (GHz)

`                                                                                              5

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                          July 2013 Rev F
                              Measured Data                    TGA2706-SM

   Pout (dBm)             Bias conditions: Vd = 6 V, Id = 1.26 A, Vg = +0.6 V Typical

                          36
                          34
                          32
                          30
                          28
                          26
                          24

                                                                                                      Psat

                          22

                                                                                                      P1dB

                          20
                             4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10
                                                    Frequency (GHz)

                          36                                   1600

   Pout (dBm), Gain (dB)  32                                   1500

                          28                                   1400

                          24                                   1300                                         Id (mA)

                          20                                   1200

                                                 Pout @ 7 GHz

                          16                     Gain @ 7 GHz 1100

                                                 Id @ 7 GHz

                          12                                   1000

                              -16 -12 -8 -4 0 4 8 12

                              Pin (dBm)

`                                                                                                                    6

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                              July 2013 Rev F
                    Measured Data      TGA2706-SM

               Bias conditions: Vd = 6 V, Id = 1.26 A, Vg = +0.6 V Typical

               44

               42

               40

   OTOI (dBm)  38

               36

               34

               32

               30   Pout/tone = 16dBm

                    Pout/tone = 20dBm

               28   Pout/tone = 24dBm

               26

                   4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

                    Frequency (GHz)

               0

               -10

   IM3 (dBc)   -20

               -30

               -40

                                       5.5 GHz

               -50                     7.0 GHz

                                                                                                  8.5 GHz

               -60

                    14 16 18 20 22 24 26 28 30

                    Pout / tone (dBm)

`                                                                                                          7

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                   Measured Data                                              TGA2706-SM

               Bias conditions: Vd = 6 V, Id = 1.26 A, Vg = +0.6 V Typical

               35

               34

               33

               32

   Gain (dB)   31

               30

               29

               28                     -40C

               27                     +25C

               26                     +80C

               25

                   4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

                   Frequency (GHz)

               37

               36

               35

   Psat (dBm)  34

               33

               32

               31

               30

                                                                        -40C

               29

                                                                        +25C

               28                     +80C

               27

                   4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

                   Frequency (GHz)

`                                                                                              8

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                      Measured Data      TGA2706-SM

   Noise Figure (dB)  Bias conditions: Vd = 6 V, Id = 1.26 A, Vg = +0.6 V Typical

                      10
                       9
                       8
                       7
                       6
                       5
                       4
                       3
                       2
                       1
                       0
                         4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10
                                                Frequency (GHz)

`                                                                                              9

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                  Measured Data            TGA2706-SM

                  Bias conditions: Varies

              34

              33

              32

   Gain (dB)  31

              30

              29

              28

              27  6V_1.26A

              26  5V_1.26A

                  7V_1.26A

              25

                  4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

                  Frequency (GHz)

              34

              33

              32

   Gain (dB)  31

              30

              29

              28

              27  6V_1.425A

              26  6V_1.26A

                  6V_1.00A

              25

                  4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

                  Frequency (GHz)

`                                                                                              10

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                   Measured Data            TGA2706-SM

                   Bias conditions: Varies

               35

               34

               33

   Pout (dBm)  32

               31

               30

               29
                                                                            6V_1.26A_Psat

               28
                                                                            5V_1.26A_Psat

               27

                                                                            6V_1.26A_P1dB

               26                     5V_1.26A_P1dB

               25

                   4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

                   Frequency (GHz)

               35

               34

               33

   Pout (dBm)  32

               31

               30

               29
                                                                            6V_1.26A_Psat

               28

                                                                            6V_1.00A_Psat

               27

                                                                            6V_1.26A_P1dB

               26                     6V_1.00A_P1dB

               25

                   4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

                   Frequency (GHz)

`                                                                                              11

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                                                                 TGA2706-SM

                Electrical Schematic

                Vd1_Top Vd1_Bottom               Vd3_Top Vd3_Bottom
                     21 9
                                                 20          11

                                                             TGA2706-SM

   RF Input  3                                                           16          RF Output

                     24 7                              10
                Vg1_Top Vg1_Bottom                      Vg3

                Bias Procedures

   Bias-up Procedure                             Bias-down Procedure
   Vg set to 0 V                                 Turn off RF supply
   Vd_set to +6 V                                Reduce Vg to 0 V. Ensure Id ~ 0 mA
   Adjust Vg more positive until Idq is 1.26 A.  Turn Vd to 0 V
   This will be ~ Vg = +0.6 V

`                                                                                                        12

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                                                   TGA2706-SM

               Package Pinout

   Pin #1 Dot

                     Pin           Description

               1, 2, 4, 5, 6, 13,  N/C See Note 1
                14, 15, 17, 18
                 8, 12, 22, 23     N/C See Note 2
                                        RF Input
                        3                  Vg1
                      7, 24                Vd1
                      9, 21                Vg3
                                           Vd3
                       10              RF Output
                     11, 20
                                      See Note 3
                       16               Ground
                       19
                       25

               1/ No internal connection; must be grounded on PCB

               2/ No internal connection; may be ground on PCB or left open

               3/ Internally connected, but not for use in application.
               Recommended to leave open.

`                                                                                              13

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               July 2013 Rev F
   Mechanical Drawing                            TGA2706-SM
    Units: Millimeters

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should

be observed during handling, assembly and test.

`                                                                                                    14

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                                        TGA2706-SM

       Recommended Assembly Board

                                Vg1              Vdet
                                Vd1              Vd3

   Vg  +0.6V                    C1                                         6V
       Typical                  C2                                         1.26A Vd

                                  C3 C4

       RFin                                                                RFout

                                                 C5 C6

                                                         C8
                                                 C7

                Vg1                                     Vd3

                     Vd1                                Vg3

                     Part                             Description

                C1, C2, C7, C8                     1 uF Capacitor (1206)
                C3, C4, C5, C6                   0.01 uF Capacitor (0603)

                                                             Board is 10mil thick RO4350
                                                             with 0.5oz copper cladding.

                                                             Board is mounted on metal
                                                             block and adequate
                                                             heatsinking with fan is
                                                             required.

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should

be observed during handling, assembly and test.
`
                                                                                                     15

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                     July 2013 Rev F
                                                   TGA2706-SM

                                    Assembly Notes

   Recommended Surface Mount Package Assembly
       Proper ESD precautions must be followed while handling packages.
       Clean the board with acetone. Rinse with alcohol. Allow the circuit to fully dry.
       TriQuint recommends using a conductive solder paste for attachment. Follow solder paste and reflow
         oven vendors' recommendations when developing a solder reflow profile. Typical solder reflow profiles
         are listed in the table below.
       Hand soldering is not recommended. Solder paste can be applied using a stencil printer or dot
         placement. The volume of solder paste depends on PCB and component layout and should be well
         controlled to ensure consistent mechanical and electrical performance.
       Clean the assembly with alcohol.

                            ESD and MSL Information

   ESD: Class 0, Pass 200V.
   MSL: Level 3.

   Typical Solder Reflow Profiles

                  Reflow Profile                       SnPb                       Pb Free
                  Ramp-up Rate                        3 C/sec                     3 C/sec
      Activation Time and Temperature   60 120 sec @ 140 160 C  60 180 sec @ 150 200 C
           Time above Melting Point                60 150 sec                60 150 sec
            Max Peak Temperature                       240 C                       260 C
   Time within 5 C of Peak Temperature              10 20 sec                 10 20 sec
                Ramp-down Rate                     4 6 C/sec                 4 6 C/sec

   Ordering Information

   Part                                 Package Style

   TGA2706-SM                           QFN 5x5 Surface Mount

GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
be observed during handling, assembly and test.

`                                                                                                    16

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