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TGA2600

器件型号:TGA2600
厂商名称:TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo) [TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo)]
厂商官网:http://www.triquint.com
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TGA2600器件文档内容

                                                                           Advance Product Information

                                                                                                                 July 20, 2005

X-band Ultra Low Noise Amplifier                                                                       TGA2600

Product Description                                                   Key Features

The TriQuint TGA2600-EPU is an                                        Frequency Range: 6-12 GHz
Ultra Low-Noise Amplifier. This LNA                                    0.7 dB Noise Figure
operates from 7-11 GHz with a typical                                  30 dB Nominal Gain
mid-band noise figure of 0.7 dB.                                       2 dBm Nominal P1dB
                                                                      > 12 dB Return Loss
The device features 30dB of gain                                       Nominal Bias 2.5V @ 17 mA
across the band, while providing a                                     0.15-um 3MI mHEMT Technology
nominal output power at P1dB gain                                     Chip Dimensions: 2.20 x 0.99 x 0.10 mm
compression of 2 dBm. Typical input
and output return loss is 12 dB.                                                                    (0.087 x 0.039 x 0.004 in)
Ground is provided to the circuitry
through vias to the                                                   Primary Applications
backside metallization.
                                                                      Radar
The TGA2600-EPU LNA is suitable for                                    X band LNA, ECM
a variety of C and X band applications
such as radar receivers, electronic                                           Measured Fixtured Data
counter measures,decoys, jammers,
and phased array systems.                                             Bias Conditions: Vd = 2.5V, Id= 17mA

The TGA2600-EPU is 100% DC and                                        1.4
RF tested on-wafer to ensure
performance compliance.                                               1.2

Lead-free and RoHS compliant.                      Noise Figure (dB)  1

                                                                      0.8

                                                                      0.6

                                                                      0.4

                                                                      0.2

                                                        0                  7  8       9 10 11 12 13 14 15  16
                                                           6
                                                                                      Frequency (GHz)          42
                                                    42                                                         36
                                                    36                                Gain                     30               Return Loss (dB)
                                                    30                                                         24
                                        Gain (dB)   24                                                         18
                                                    18                                                         12
                                                    12                        Output        Input              6
                                                                                                               0
                                                     6                     4     6    8 10 12 14 16            -6
                                                     0                                                         -12
                                                    -6                                                         -18
                                                   -12                                                         -24
                                                   -18                                                         -30
                                                   -24                                                     18
                                                   -30

                                                        2

                                                                                      Frequency (GHz)

    Note: This device is early in the characterization process prior to finalizing all electrical specifications. Specifications are subject to
    change without notice.

                                                                                                                                                                                             1
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                                                                         July 20, 2005
                                                                       TGA2600-EPU

                                          TABLE I
                                 MAXIMUM RATINGS 1/

SYMBOL  PARAMETER                                       VALUE      NOTES
                                                         4.5 V        2/
V+      Positive Supply Voltage
                                                     -2V to +1 V      2/
Vg Gate Supply Voltage Range
                                                         50 mA        2/
I+      Positive Supply Current                          2 mA       2/, 3/
                                                          TBD       4/, 5/
| IG | Gate Supply Current                              0.23 W
                                                        110 C
PIN Input Continuous Wave Power                         175 C
                                                     -65 to 110C
PD Power Dissipation

TCH Operating Channel Temperature

TM Mounting Temperature

TSTG Storage Temperature

1/ These ratings represent the maximum operable values for this device.

2/ Current is defined under no RF drive conditions. Combinations of supply voltage, supply
      current, input power, and output power shall not exceed PD.

3/ When operated at this power dissipation with a base plate temperature of 70 C, the median
      life is greater than 1 E+6 hours.

4/ Junction operating temperature will directly affect the device median time to failure (T M). For
      maximum life, it is recommended that junction temperatures be maintained at the lowest
      possible levels.

5/ These ratings apply to each individual FET.

                                                                                                                                                                                             2
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                                                                                        July 20, 2005
                                                                                      TGA2600-EPU

                                         TABLE II
                         RF CHARACTERIZATION TABLE

                                 (TA = 25 C, Nominal)
                                Vd = 2.5V, Id = 17 mA

SYMBOL     PARAMETER             TEST           NOMINAL UNITS
   Gain  Small Signal Gain   CONDITION
                                                30                     dB
                             f = 7-11 GHz

IRL      Input Return Loss   f = 7-11 GHz       12                     dB

ORL      Output Return Loss f = 7-11 GHz        12                     dB

NF       Noise Figure        f = 7-11 GHz       0.7                    dB

         Output Power @      f = 7-11 GHz       2                      dBm

P1dB     1dB Gain

         Compression

         Output Third Order  f = 7-11 GHz       14                     dBm

TOI      Intercept

                                     TABLE III
                         THERMAL INFORMATION*

         Parameter        Test Conditions  TCH  RTJC  TM
                                           (oC) (qC/W) (HRS)
RJC Thermal              Vd = 2.5 V
Resistance               ID = 16 mA        73   75    > 1 E+6
(channel to backside of  Pdiss = 0.04 W
carrier)

Note: Assumes epoxy mounted at 70C baseplate temperature. Worst case
condition with no RF applied, 100% of DC power is dissipated.

                                                                                                                                                                                             3
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                                                                                                  TGA2600-EPU

                                    Measured Fixtured Data

                           Bias Conditions: Vd = 2.5V, Id= 17mA

Noise Figure (dB)  1.4
                   1.2
                           7     8     9 10 11 12 13 14 15 16
                     1
                   0.8
                   0.6
                   0.4
                   0.2

                     0
                        6

                                       Frequency (GHz)

                   2

                   1.8                       Id = 17mA

                   1.6                       Id = 10mA

Noise Figure (dB)                            Id = 8mA

                   1.4                       Id = 5mA

                   1.2

                   1

                   0.8

                   0.6

                   0.4

                   0.2

                   0

                        5     6     7  8  9  10         11  12  13

                                       Frequency (GHz)

                                                                                                                                                                                             4
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                                                                                           July 20, 2005

                           Measured Fixtured Data                                          TGA2600-EPU

                   Bias Conditions: Vd = 2.5V, Id= 17mA

           42                                                       42
           36
           30                                                       36
           24
           18                               Gain                    30
           12
                              Output                                24   Return Loss (dB)
             6
Gain (dB)    0             468                                      18
            -6
           -12                                                      12
           -18
           -24                                                      6
           -30
                                                                    0
                2
                                                                    -6

                                                                    -12

                                                                    -18

                                                     Input          -24

                                                                    -30

                                                  10 12 14 16 18

                                   Frequency (GHz)

           33

           32

           31

Gain (dB)  30

           29

           28              7 GHz

                           9 GHz

           27              11 GHz

           26

           25

               -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6

                                              Pout (dBm)

                   3.5

                   3

Output P1dB (dBm)  2.5

                   2

                   1.5

                   1

                   0.5

                   0

                        6  7       8              9         10  11  12

                                   Frequency (GHz)

                                                                                                                                                                                             5
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                                                                                                   July 20, 2005
                                                                                                TGA2600-EPU

                                   Measured Fixtured Data

                          Bias Conditions: Vd = 2.5V, Id= 17mA

Output TOI (dBm)  18

                  17      7       8    9    10              11  12

                  16                 Frequency (GHz)

IMD3 (dBc)        15      7 GHz
                          9 GHz
                  14      11 GHz

                  13      -17     -15  -13  -11             -9  -7

                  12

                  11

                  10
                      6

                  60
                  58
                  56
                  54
                  52
                  50
                  48
                  46
                  44
                  42
                  40

                     -19

                               Output Power Per Tone (dBm)

                                                                                                                                                                                             6
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(( "(                        Advance Product Information

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                                                                        TGA2600-EPU

             Mechanical Characteristics

                                                                                                                                                !
                                                                                                                                                
                                                                                                                                                !
                                                                                                                                                
                                                                                                                                                
                                                                                                                                                
                                                                                                                                                '
                                                                                                                                                "
                                                                                                                                                

                                                                                                                                                                (&"%

                                                                                            

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     GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
     be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                             7
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Recommended Assembly Diagram

             9G

             S)

5) ,1            5) 287

        S)

       9J

   GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
   be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                             8
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                                     Assembly Process Notes

    Assembly notes:
                Use conductive epoxy with limited exposure to temperatures at or above 175 C.
                Coefficient of thermal expansion matching is critical for long-term reliability.
                Devices must be stored in a dry nitrogen atmosphere.

    Component placement and adhesive attachment assembly notes:
                Vacuum pencils and/or vacuum collets are the preferred method of pick up.
                Air bridges must be avoided during placement.
                The force impact is critical during auto placement.
                Curing should be done in a convection oven; proper exhaust is a safety concern.
                Microwave or radiant curing should not be used because of differential heating.

    Interconnect process assembly notes:
                Thermosonic ball bonding is the preferred interconnect technique.
                Force, time, and ultrasonics are critical parameters.
                Aluminum wire should not be used.
                Maximum stage temperature is 150 C.

      GaAs MMIC devices are susceptible to damage from Electrostatic Discharge. Proper precautions should
      be observed during handling, assembly and test.

                                                                                                                                                                                             9
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